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微結(jié)構(gòu)不均勻性（負(fù)載效應(yīng)）及其對器件性能的影響：對先進(jìn)DRAM工藝中有源區(qū)形狀扭曲的研究
在DRAM結(jié)構(gòu)中，電容存儲單元的充放電過程直接受晶體管所控制。隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限，制造變量和微負(fù)載效應(yīng)正逐漸成為限制DRAM性能（和良率）的主要因素。而對于先進(jìn)的DRAM，晶體管的有源區(qū) (AA) 尺寸和形狀則是影響良率和性能的重要因素。
2021-08-23
負(fù)載效應(yīng) DRAM
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數(shù)字IC的高級封裝盤點(diǎn)與梳理
數(shù)字 IC 的封裝選項(xiàng)（以及相關(guān)的流行詞和首字母縮略詞）繼續(xù)成倍增加。微處理器、現(xiàn)場可編程門陣列 (FPGA) 和專用定制 IC (ASIC) 等高級數(shù)字 IC 以多種封裝形式提供。
2021-08-23
數(shù)字IC 高級封裝
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英特爾面向 CPU、GPU 和 IPU發(fā)布了重大技術(shù)架構(gòu)的改變和創(chuàng)新
在 2021 年英特爾架構(gòu)日上，英特爾公司高級副總裁兼加速計(jì)算系統(tǒng)和圖形事業(yè)部總經(jīng)理 Raja Koduri 攜手多位英特爾架構(gòu)師，全面介紹了兩種全新 x86 內(nèi)核架構(gòu)的詳情；英特爾首個(gè)性能混合架構(gòu)，代號“Alder Lake”，以及智能的英特爾? 硬件線程調(diào)度器；專為數(shù)據(jù)中心設(shè)計(jì)的下一代英特爾? 至強(qiáng)? 可擴(kuò)展處理...
2021-08-22
英特爾 CPU GPU IPU
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開關(guān)電源的LLC 拓?fù)?/span>
近來，LLC拓?fù)湟云涓咝?，高功率密度受到廣大電源設(shè)計(jì)工程師的青睞，但是這種軟開關(guān)拓?fù)鋵OSFET的要求卻超過了以往任何一種硬開關(guān)拓?fù)?。特別是在電源啟機(jī)，動(dòng)態(tài)負(fù)載，過載，短路等情況下。CoolMOS 以其快恢復(fù)體二極管，低Qg 和Coss能夠完全滿足這些需求并大大提升電源系統(tǒng)的可靠性。
2021-08-22
開關(guān)電源 LLC 拓?fù)?/p>
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如何理解FIT和MTBF
在我們的日常工作中，經(jīng)常會碰到器件失效或系統(tǒng)故障，這時(shí)為了清楚界定失效事件的嚴(yán)重性，就需要定量的來描述具體的失效率，這就需要用專業(yè)的術(shù)語來溝通，而有的工程師喜歡談FIT，有的工程師喜歡談MTBF，其實(shí)這兩個(gè)概念所描述的主體是不一樣的，因此有必要在此簡析一下。
2021-08-20
FIT MTBF
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利用SiC FET降低電磁干擾和開關(guān)損耗
器件緩沖似乎是處理開關(guān)過沖、振鈴和損耗的一種“野蠻”解決方案，而這對于諸如IGBT之類較老的技術(shù)來說確實(shí)如此。但是，寬禁帶器件，尤其是SiC FET，可以將該技術(shù)用為柵極電阻調(diào)諧的優(yōu)良替代方案，以提供較低的總損耗。
2021-08-20
SiC FET 電磁干擾 開關(guān)損耗
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解惑：耦合在電路中的作用？為什么需要耦合？
耦合是指把能量從一個(gè)電路傳送另外一個(gè)電路中去，耦合在模擬電路和數(shù)字電路中非常常見，微弱的信號可以耦合到放大電路進(jìn)行放大，經(jīng)過放大的信號同樣可以通過耦合進(jìn)行輸出。
2021-08-20
耦合電路 模擬電路 數(shù)字電路
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關(guān)于2021廈門國際照明展覽會新展期定檔的通告
在國家政府的正確領(lǐng)導(dǎo)下，各地各級部門面對疫情沉著冷靜，應(yīng)對有道。用科學(xué)溫暖有效的疫情防控措施，讓恣意妄行的疫情偃旗息鼓，再度得到控制，被封控地區(qū)、街道紛紛解封并重新降為低風(fēng)險(xiǎn)。
2021-08-17
廈門國際照明展
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固定增益雙端口G類差分放大器設(shè)計(jì)
ISL1561是固定增益雙端口G類差分放大器設(shè)計(jì)，與AB類放大器相比，可在降低功耗的情況下驅(qū)動(dòng)ADSL2 +和VDSL2。線路驅(qū)動(dòng)器采用+ 12V至+ 14V單電源供電，并且在檢測到升壓時(shí)會產(chǎn)生較高的電源電壓。靜態(tài)電流可以通過3引腳串行端口接口（SPI）用12位命令進(jìn)行編程。
2021-08-17
固定增益雙端口 G類差分放大器
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