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瑞薩RA MCU在BMS產(chǎn)品中的應(yīng)用
BMS電池管理系統(tǒng)一般包含以下幾個部分：電壓采樣、電流采樣、充放電控制、硬件過流保護、SOC算法、對外的通信接口等。本案例中SOC算法和通信接口，由RA2L1（R7FA2L1A93CFL）完成，其余部分由AFE（Analog Front End）模擬前端芯片ISL489206或ISL489204（14串）完成。
2022-10-11
瑞薩 MCU BMS
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IGBT適用于ZVS 還是 ZCS？
提到軟開關(guān)技術(shù)，大家耳熟能詳?shù)挠辛汶妷洪_通ZVS（Zero voltage switching） 和零電流關(guān)斷ZCS（Zero current switching），同時，尤其是在現(xiàn)在的電源產(chǎn)品中，絕大多數(shù)的采用軟開關(guān)拓撲的電源產(chǎn)品都選擇了ZVS，而不是ZCS，所以，Si MOSFET和SiC MOSFET一直是很多同學(xué)提到ZVS時想到的主要功率器件搭檔...
2022-10-11
IGBT ZVS ZCS
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噪聲是什么？EMC是什么？噪聲損害是電子社會的現(xiàn)代病
電腦的通信錯誤、手機通話突然斷開……您有過類似的經(jīng)驗嗎？我們周圍充斥著噪聲，它們會通過各種線路侵入電子設(shè)備，引發(fā)故障。那么，這些看不見的噪聲的真身是什么？本周為您帶來3篇關(guān)于電子噪音及EMC對策的科普文章，希望有助于您了解其基礎(chǔ)知識。
2022-10-11
噪聲 EMC 噪聲損害
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測量SiC MOSFET柵-源電壓時的注意事項：一般測量方法
SiC MOSFET具有出色的開關(guān)特性，但由于其開關(guān)過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎(chǔ)知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動作-前言”中介紹的需要準確測量柵極和源極之間產(chǎn)生的浪涌。在這里，將為大家介紹在測量柵極和源極之間的電壓時需要注意的事項。我們將以Si...
2022-10-11
測試測量 SiC MOSFET 柵-源電壓
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安森美在羅馬尼亞設(shè)立新研發(fā)中心，提升全球設(shè)計能力
領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，近日宣布在羅馬尼亞布加勒斯特設(shè)立一個全新的研發(fā)中心，以進一步提升安森美的全球設(shè)計能力。該研發(fā)中心將致力于開發(fā)耐高溫和經(jīng)久耐用的產(chǎn)品，用于汽車隔離驅(qū)動以及用于智能感知的高精度器件，以進一步順應(yīng)汽車和工業(yè)發(fā)展...
2022-10-10
安森美 研發(fā)中心 智能感知
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如何使用AT32F407以太網(wǎng)通信接口實現(xiàn)在應(yīng)用中編程(IAP)
在應(yīng)用中編程(IAP)是一種在現(xiàn)場通過 MCU 通信接口（例如 USART、USB、CAN 和以太網(wǎng)）進行固件升級的方式。無論是IAP代碼還是應(yīng)用程序代碼都位于微控制器的內(nèi)置FLASH中，IAP代碼通常存儲在MCU FLASH的第一頁，而用戶應(yīng)用程序代碼則占據(jù)剩余的FLASH區(qū)域。
2022-10-10
AT32F407 以太網(wǎng) 通信接口 編程
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電源線噪聲：共模干擾、差模干擾
電源線噪聲是電網(wǎng)中各種用電設(shè)備產(chǎn)生的電磁騷擾沿著電源線傳播所造成的。電源線噪聲分為兩大類：共模干擾、差模干擾。
2022-10-10
電源線噪聲 共模干擾 差模干擾
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