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意法半導(dǎo)體為數(shù)據(jù)中心和AI集群帶來(lái)更高性能的云光互連技術(shù)
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱(chēng)ST;紐約證券交易所代碼:STM) 推出了新一代專(zhuān)有硅光技術(shù),為數(shù)據(jù)中心和 AI 集群帶來(lái)性能更高的光互連解決方案。隨著 AI 計(jì)算需求的指數(shù)級(jí)增長(zhǎng),計(jì)算、內(nèi)存、電源以及這些資源的互連都面臨著性能和能效的挑戰(zhàn)。...
2025-02-21
意法半導(dǎo)體 數(shù)據(jù)中心 AI集群 云光互連技術(shù)
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電阻,電動(dòng)力和功率耗散
電阻是一種被動(dòng)的兩端電氣組件,將電阻作為電路元件實(shí)現(xiàn)。它是阻礙電荷流動(dòng)的導(dǎo)體,從而產(chǎn)生電阻。這種抗性是由于自由電子和導(dǎo)體原子的晶體晶格的碰撞而產(chǎn)生的。這是電阻的主要特性。
2025-02-21
電阻 電動(dòng)力 功率耗散
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公共基礎(chǔ)放大器設(shè)計(jì)
公共堿基放大器是另一種類(lèi)型的雙極連接晶體管(BJT)配置,其中晶體管的基本端子是輸入和輸出信號(hào)的常見(jiàn)終端,因此其名稱(chēng)為common Base(CB)。與更流行的普通發(fā)射極(CE)或公共收集器(CC)配置相比,常見(jiàn)的基本配置作為放大器不太常見(jiàn),但由于其的輸入/輸出特性,但仍被使用。
2025-02-21
公共基礎(chǔ) 放大器
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英飛凌推出采用Q-DPAK和TOLL封裝的全新工業(yè)CoolSiC MOSFET 650 V G2
電子行業(yè)正在向更加緊湊而強(qiáng)大的系統(tǒng)快速轉(zhuǎn)型。為了支持這一趨勢(shì)并進(jìn)一步推動(dòng)系統(tǒng)層面的創(chuàng)新,全球功率系統(tǒng)、汽車(chē)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)正在擴(kuò)展其CoolSiC MOSFET 650 V單管產(chǎn)品組合,推出了采用Q-DPAK和TOLL封裝的兩個(gè)全新產(chǎn)品系列。
2025-02-21
英飛凌
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超級(jí)電容器如何有效加強(qiáng)備用電源和負(fù)載管理 (上)
超級(jí)電容器,也被稱(chēng)作雙電層電容器(EDLC),其儲(chǔ)能機(jī)制迥異于傳統(tǒng)電池,乃是依賴(lài)于靜電方式累積能量,而非通過(guò)化學(xué)反應(yīng)來(lái)實(shí)現(xiàn)。這一獨(dú)特性質(zhì)1,使得超級(jí)電容器在應(yīng)對(duì)需要瞬時(shí)釋放大量電能或要求長(zhǎng)期耐用性的應(yīng)用場(chǎng)景中,展現(xiàn)出了非凡的適用性。
2025-02-21
超級(jí)電容器 備用電源 負(fù)載管理
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揭秘:48V系統(tǒng)如何撬動(dòng)汽車(chē)收益杠桿
目前國(guó)內(nèi)汽車(chē)行業(yè)對(duì)于整車(chē)低壓48V電源系統(tǒng)有很大的熱情, 48V并不是一個(gè)全新的技術(shù),在過(guò)去幾年無(wú)論是燃油車(chē)還是新能源車(chē)都有使用48V作為輔助電源,以下我們對(duì)整車(chē)12V及48V電源系統(tǒng)做一個(gè)簡(jiǎn)單的介紹。
2025-02-21
48V系統(tǒng) 汽車(chē)
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第 4 代碳化硅技術(shù):重新定義高功率應(yīng)用的性能和耐久性
本白皮書(shū)重點(diǎn)介紹 Wolfspeed 專(zhuān)為高功率電子應(yīng)用而設(shè)計(jì)的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)?;谠谔蓟鑴?chuàng)新領(lǐng)域的傳承,Wolfspeed 定期推出尖端技術(shù)解決方案,重新定義行業(yè)基準(zhǔn)。在第 4 代發(fā)布之前,第 3 代碳化硅 MOSFET 憑借多項(xiàng)重要設(shè)計(jì)要素的平衡,已在廣泛用例中得到驗(yàn)證,為硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用的全...
2025-02-20
碳化硅技術(shù) 高功率應(yīng)用
- 車(chē)輛區(qū)域控制架構(gòu)關(guān)鍵技術(shù)——趨勢(shì)篇
- 元器件江湖群英會(huì)!西部電博會(huì)暗藏國(guó)產(chǎn)替代新戰(zhàn)局
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- 如何判斷薄膜電容的質(zhì)量好壞?從參數(shù)到實(shí)測(cè)的全面指南
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