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如何使用降壓轉(zhuǎn)換器創(chuàng)建負(fù)電壓輸出
降壓拓?fù)渫ǔＳ糜趯⑤^大的總線或系統(tǒng)電壓轉(zhuǎn)換為較小的電壓，使用降壓轉(zhuǎn)換器的優(yōu)點(diǎn)在于，與執(zhí)行相同轉(zhuǎn)換的線性調(diào)節(jié)器相比，效率非常高。為了從正輸入電壓產(chǎn)生負(fù)輸出電壓，設(shè)計(jì)者通常會選擇降壓-升壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)或可能的SEPIC轉(zhuǎn)換器，這兩者都提供了比線性調(diào)節(jié)器高得多的合理效率，但是使用降壓轉(zhuǎn)換器也可以達(dá)到相同的結(jié)果，只要稍微改變同步降壓轉(zhuǎn)換器的節(jié)點(diǎn)參考，就可以創(chuàng)建一個(gè)負(fù)升壓轉(zhuǎn)換器?。
2024-01-15
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基于 GaN 的高效率 1．6kW CrM 圖騰柱PFC參考設(shè)計(jì) TIDA－00961 FAQ
高頻臨界模式 (CrM) 圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC) 是一種使用 GaN 設(shè)計(jì)高密度功率解決方案的簡便方法。TIDA-00961 參考設(shè)計(jì)使用 TI 的 600V GaN 功率級 LMG3410 和 TI 的 Piccolo? F280049 控制器。
2024-01-12
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意法半導(dǎo)體公布新的公司組織架構(gòu)
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM) 公布了新的公司組織架構(gòu)，這項(xiàng)決定將從2024 年 2 月 5 日起生效。
2024-01-11
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高壓MOS在適配器產(chǎn)品上的應(yīng)用
電源適配器，英文Adapter通常指AC-DC（由交流輸入轉(zhuǎn)換為直流輸出）的開關(guān)電源；一般由控制 IC、MOS管、整流肖特基管、電阻電容、磁性材料、DC 線、外殼等元器件及部件組成，通過整流、變壓和穩(wěn)壓等轉(zhuǎn)換形式，為電子設(shè)備等提供所需要的電能形態(tài)。
2024-01-10
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百家跨國公司看中國丨意法半導(dǎo)體曹志平：持續(xù)完善在華產(chǎn)業(yè)鏈部署
在化合物半導(dǎo)體發(fā)展熱潮下，歐洲半導(dǎo)體巨頭意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，以下簡稱“ST”）的動向備受關(guān)注。憑借早期與某全球知名電動汽車制造商推動相關(guān)器件在新能源汽車上應(yīng)用落地，ST在碳化硅器件市場占據(jù)著優(yōu)勢份額。據(jù)ST介紹，其在全球碳化硅MOSFET市場份額已超50%。
2024-01-08
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意法半導(dǎo)體公布2023年第四季度及全年財(cái)報(bào)和電話會議時(shí)間安排
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM)將在2024年1月25日歐洲證券交易所開盤前公布2023年第四季度及全年財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)。
2024-01-08
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用于電動汽車充電器應(yīng)用 PFC 的 SiC 器件
交流充電樁適合在家中或工作場所為電動汽車充電，因?yàn)槟壳败囕d充電器的額定功率通常達(dá)到11千瓦，充滿電需要8~10小時(shí)。然而，對于假期等長途旅行，消費(fèi)者希望在休息期間充電更快。
2024-01-04
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?碳化硅助力實(shí)現(xiàn) PFC 技術(shù)的變革
碳化硅（SiC）功率器件已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于服務(wù)器電源、儲能系統(tǒng)和光伏逆變器等領(lǐng)域。近些年來，汽車行業(yè)向電力驅(qū)動的轉(zhuǎn)變推動了碳化硅（SiC）應(yīng)用的增長， 也使設(shè)計(jì)工程師更加關(guān)注該技術(shù)的優(yōu)勢，并拓寬其應(yīng)用領(lǐng)域。
2024-01-03
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超高壓MOS在變頻器上的應(yīng)用
典型的AC380V變頻器應(yīng)用框圖，主要包括輸入AC380V三相整流、三相逆變IGBT功率驅(qū)動、輔助電源等部分；其中輔助電源主要經(jīng)過DC高壓降壓后為IGBT驅(qū)動IC、主控mcu、通訊模塊芯片等供電。
2024-01-02
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貿(mào)澤和TE聯(lián)手發(fā)布新電子書，探討電動汽車和互聯(lián)交通的發(fā)展態(tài)勢
2023年12月27日 – 專注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動化產(chǎn)品授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 與全球知名的連接器和傳感器制造商TE Connectivity聯(lián)手發(fā)布了一本新電子書，探討電動汽車和快速發(fā)展的互聯(lián)交通的現(xiàn)況。這本新電子書重點(diǎn)介紹了一些新興工程主題，如V2X生態(tài)系統(tǒng)、5G車隊(duì)遠(yuǎn)程信息處理、大功率電動汽車充電的未來以及其他設(shè)計(jì)趨勢，對電動汽車和互聯(lián)交通領(lǐng)域的電動交通革命提供了深刻見解。
2023-12-29
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鎧俠發(fā)布 2TB microSDXC 存儲卡
2023年12月20日,中國上海 — 全球存儲器解決方案領(lǐng)導(dǎo)者鎧俠今天宣布已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)2TB microSDXC存儲卡,這對于智能手機(jī)用戶、內(nèi)容創(chuàng)作者和移動游戲玩家來說是一項(xiàng)突破性的進(jìn)展。EXCERIA PLUS G2 2TB microSDXC存儲卡提供更強(qiáng)大的性能和更大的容量,讓用戶能夠記錄和存儲更多內(nèi)容。
2023-12-29
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功率電子器件從硅（Si）到碳化硅（SiC）的過渡
眾所周知，硅（Si）材料及其基礎(chǔ)上的技術(shù)方向曾經(jīng)改變了世界。硅材料從沙子中提煉，構(gòu)筑了遠(yuǎn)比沙土城堡更精密復(fù)雜的產(chǎn)品。如今，碳化硅（SiC）材料作為一種衍生技術(shù)進(jìn)入了市場——相比硅材料，它可以實(shí)現(xiàn)更高功率等級的功率轉(zhuǎn)換、更快的開關(guān)速度、傳熱效率上也優(yōu)于硅材料。本篇博客探討了SiC材料如何提升產(chǎn)品性能以超越基于硅材料的領(lǐng)域，從而為我們?nèi)碌臄?shù)字世界創(chuàng)造下一代解決方案。
2023-12-25
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