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揭秘熱設(shè)計集成電路設(shè)計的關(guān)鍵密碼
本文將帶您深入探討設(shè)計工程師在熱設(shè)計過程中需要關(guān)注的一些關(guān)鍵問題。具體來說，我們將聚焦大功率氮化鎵（GaN）器件及其在實際應(yīng)用中所面臨的相關(guān)熱問題。
2024-06-13
熱設(shè)計 集成電路設(shè)計
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貿(mào)澤新一期EIT系列帶你了解軟件定義車輛的Zonal架構(gòu)
隨著汽車技術(shù)采用的電子元器件數(shù)量不斷增加，設(shè)計人員開始采用Zonal架構(gòu)來充分提升各個子系統(tǒng)的效率，同時能夠更輕松地管理整車的硬件和軟件棧。專注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動化產(chǎn)品授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 今天宣布推出新一期Empowering Innovation Together（共求創(chuàng)...
2024-06-13
貿(mào)澤 EIT系列 車輛 Zonal架構(gòu)
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凱澤斯勞滕理工大學通過全新DDS固件選項加速量子計算機開發(fā)進程
中國北京，2024年6月12日訊 —— 創(chuàng)建量子計算機（QC）的方法有很多，凱澤斯勞滕理工大學在Rymax One合作中采用的方法就是創(chuàng)建一個由單個原子組成的陣列，并將這些原子作為量子位使用。然而，其挑戰(zhàn)在于每個原子的定位必須十分精準。因此，凱澤斯勞滕理工大學使用了激光，并將每個原子都有效地鎖定在...
2024-06-12
全新DDS固件
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MOSFET器件的高壓CV測試詳解
MOSFET、IGBT和BJT等半導體器件的開關(guān)速度受到元件本身的電容的影響。為了滿足電路的效率，設(shè)計者需要知道這些參數(shù)。例如，設(shè)計一個高效的開關(guān)電源將要求設(shè)計者知道設(shè)備的電容，因為這將影響開關(guān)速度，從而影響效率。這些信息通常在MOSFET的指標說明書中提供。
2024-06-08
MOSFET 器件 高壓CV IGBT BJT
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紅頭文件！關(guān)于邀請參加第十二屆中國（西部）電子信息博覽會的通知
第十二屆中國（西部）電子信息博覽會將于2024年7月17日至19日在成都世紀城新國際會展中心7、8、9號館盛大舉辦。本屆博覽會以展示西部地區(qū)電子信息產(chǎn)業(yè)的最新發(fā)展成果和新場景為核心，形成了一條從成果展示到應(yīng)用技術(shù)，再到基礎(chǔ)元器件與集成電路的完整展覽主線。
2024-06-07
電子信息博覽會 基礎(chǔ)元器件 集成電路 以太網(wǎng)供電
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跨電感電壓調(diào)節(jié)器的多相設(shè)計、決策和權(quán)衡
最近推出的跨電感電壓調(diào)節(jié)器(TLVR)在多相DC-DC應(yīng)用中頗受歡迎，這些應(yīng)用為CPU、GPU和ASIC等低壓大電流負載供電。這一趨勢主要基于該技術(shù)出色的瞬態(tài)性能。TLVR還支持靈活的設(shè)計和布局，但有幾個缺點。本文闡述了TLVR設(shè)計選擇如何影響性能參數(shù)，并討論了相關(guān)權(quán)衡。
2024-06-06
跨電感 電壓調(diào)節(jié)器
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電子保險絲如何助力軟件定義車輛的區(qū)域架構(gòu)革新
在過去十年中，汽車行業(yè)經(jīng)歷的最大變革在于軟件定義車輛的興起。傳統(tǒng)的車輛設(shè)計中，針對如動力總成系統(tǒng)或信息娛樂系統(tǒng)等特定功能，均配備有專用的硬件子系統(tǒng)。為了滿足車型快速升級的需求，通過構(gòu)建模塊化、靈活的子系統(tǒng)（也稱為“區(qū)域”）來統(tǒng)一整合多種功能，變得更為經(jīng)濟高效?，F(xiàn)代汽車設(shè)計不再局...
2024-06-05
電子保險絲 車輛 區(qū)域架構(gòu)
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超結(jié)MOS在全橋電路上的應(yīng)用
全橋電路廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域，如開關(guān)電源、變頻器、逆變器、電動汽車、工業(yè)自動化等領(lǐng)域 。在電路中，全橋電路可以使直流電轉(zhuǎn)換成交流電；在電機控制中，全橋電路可用于變頻調(diào)速和正弦波控制。
2024-06-03
超結(jié)MOS 全橋電路
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ADI氮化鎵功率元件和工具為設(shè)計帶來了機會
氮化鎵 (GaN) 半導體在 20 世紀 90 年代初首次作為高亮度藍色發(fā)光二極管 (LED) 投入商業(yè)應(yīng)用，隨后成為藍光光盤播放器的核心技術(shù)。自此以后雖已取得長足進步，但在將近二十年后，該技術(shù)才因其高能效特性而在場效應(yīng)晶體管 (FET) 上實現(xiàn)商業(yè)可行性。
2024-05-26
ADI 氮化鎵 功率元件
- 車輛區(qū)域控制架構(gòu)關(guān)鍵技術(shù)——趨勢篇
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