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AI&IoT

愛普科斯(EPCOS)輸出端過壓保護(hù)參考設(shè)計

雷擊產(chǎn)生的浪涌電壓會對電子設(shè)備帶來危害，EPCOS輸出端過壓保護(hù)參考設(shè)計ProShot 6000可保護(hù)家電免受電壓浪涌致命影響。

2009-03-13

雷擊 EPCOS 浪涌電路保護(hù) ProShot 6000 壓敏電阻氣體放電管

中國電子展推出三大技術(shù)采購研討會

2009-03-12

中國電子展推出三大技術(shù)采購研討會

中國電子展深圳舉行　三大技術(shù)采購研討會

2009-03-12

中國電子展深圳舉行　三大技術(shù)采購研討會

2009-03-12

中國電子展深圳舉行　三大技術(shù)采購研討會

飛利浦MASTER LED憑出色設(shè)計和耐用性再獲兩大獎

近日，飛利浦MASTER LED獲得法國設(shè)計研究中心（Institute Francais du Design）及巴黎國際酒店及餐飲設(shè)備展（Equip''''''''Hotel Paris）榮譽(yù)。

2009-03-12

MASTER LED LED 飛利浦照明

USB 3.0測試標(biāo)準(zhǔn)將于09年6月底出臺

新一代USB“USB 3.0”的兼容性測試標(biāo)準(zhǔn)有望于2009年上半年出臺。參與測試標(biāo)準(zhǔn)制定的美國安捷倫科技（Agilent Technologies）表示，預(yù)定于09年6月底之前推出“Test Specification 1.0”。這是安捷倫公司的USB應(yīng)用產(chǎn)品經(jīng)理Jim Choate在09年3月6日于東京都內(nèi)舉行的研討會“USB 3.0―SuperSpeed USB的沖擊”上...

2009-03-12

USB 3.0 測試儀器

Si7137DP：Vishay新型P 通道功率MOSFET

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）發(fā)布采用其新型 p 通道 TrenchFET第三代技術(shù)的首款器件 --- Si7137DP，該 20V p通道 MOSFET 采用 SO-8 封裝，具備業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。

2009-03-12

TrenchFET Si7137DP MOSFET 導(dǎo)通電阻開關(guān)

中國版WEEE出臺：電器廠商成本上升5%

在歐盟《關(guān)于報廢電子電器設(shè)備指令》(WEEE)全面實施近三年后，中國版WEEE出臺。條例對制造商有很多保護(hù)措施，而金融危機(jī)的到來讓該條例正式實施的時間推遲到2011年元旦。中國版的WEEE在多次征求意見和修改后對生產(chǎn)者采取了優(yōu)惠的政策，但保留了“生產(chǎn)者負(fù)責(zé)制”。該法規(guī)有可能使電器制造商的成本上升5...

2009-03-12

中國版WEEE WEEE 關(guān)于報廢電子電器設(shè)備指令廢棄電器電子產(chǎn)品回收處理管理條例

中國電子展推出三大技術(shù)采購研討會：技術(shù)降成本，創(chuàng)新求發(fā)展

2009-03-11

中國電子展推出三大技術(shù)采購研討會：技術(shù)降成本創(chuàng)新求發(fā)展

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中國電子展推出三大技術(shù)采購研討會：技術(shù)降成本，創(chuàng)新求發(fā)展

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