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IPOSIM的今昔——從器件級的計(jì)算到基于系統(tǒng)的仿真
選擇合適的功率半導(dǎo)體器件是功率電路設(shè)計(jì)的核心，需要通過計(jì)算獲得器件的損耗、系統(tǒng)溫度，有時還需要估算器件的壽命。這是個系統(tǒng)工程，一般需要專業(yè)團(tuán)隊(duì)和多種仿真軟件實(shí)現(xiàn)。這對于大多數(shù)的設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)的項(xiàng)目很難實(shí)現(xiàn)，為此英飛凌25年前就提供的基于器件的損耗和溫度計(jì)算工具IPOSIM，這一平臺發(fā)展到今...
2022-06-22
IPOSIM 英飛凌 電路設(shè)計(jì)
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IPD芯片出貨量超10億顆，芯和半導(dǎo)體亮相IMS2022
國內(nèi)EDA、IPD行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)芯和半導(dǎo)體于正在美國丹佛舉行的2022年IMS展會上宣布，其IPD芯片累計(jì)出貨量已首超10億顆。
2022-06-21
IPD芯片 出貨量 芯和半導(dǎo)體
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Arm SystemReady創(chuàng)下新里程 為數(shù)據(jù)中心夯實(shí)創(chuàng)新根基
Arm? 近日發(fā)布自 Arm SystemReadyTM 推出 18 個月以來，獲得產(chǎn)業(yè)廣泛合作伙伴的支持，并已頒布超過 50 張認(rèn)證，其中Microsoft? Azure? 基于Arm架構(gòu)的 Ampere? Altra? 處理器的服務(wù)器獲得 SystemReady SR 認(rèn)證，成為首個獲得認(rèn)證的云服務(wù)提供商服務(wù)器，其搭載Arm架構(gòu)的Ampere Altra 處理器的Azure虛...
2022-06-21
Arm SystemReady 數(shù)據(jù)中心
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DC-DC升壓穩(wěn)壓器外圍元器件的選擇與優(yōu)化
在便攜和可穿戴設(shè)備等電池供電的低電壓應(yīng)用中，常有一些功能需要較高的電壓才能工作，例如射頻收發(fā)器、精密模擬電路、白光LED背光驅(qū)動、雪崩光電二極管(APD)的偏置電路等。這就需要采用DC-DC升壓轉(zhuǎn)換器來向上轉(zhuǎn)換到所需的電壓，讓設(shè)備既節(jié)能又高效的工作。
2022-06-21
DC-DC 升壓穩(wěn)壓器 外圍元器件
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MEMS壓力傳感器解決人機(jī)界面新痛點(diǎn)
2021 年 5 月，Qorvo 宣布了收購 NextInput 公司，作為其傳感器融合產(chǎn)品線的首次收購，Qorvo 對于 NextInput 在改善人機(jī)交互（HMI）市場的創(chuàng)新給予了厚望。同時，也意味著 Qorvo 除了在 RF MEMS 之外，也擁有了 MEMS 壓力傳感器的技術(shù)積累。
2022-06-21
MEMS 壓力傳感器 人機(jī)界面
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變頻器用IGBT模塊的故障分析及靜態(tài)測量
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速...
2022-06-21
變頻器 IGBT模塊 故障分析
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具備出色穩(wěn)定性的CoolSiC MOSFET M1H
過去幾年，實(shí)際應(yīng)用條件下的閾值電壓漂移（VGS(th)）一直是SiC的關(guān)注重點(diǎn)。英飛凌率先發(fā)現(xiàn)了動態(tài)工作引起的長期應(yīng)力下VGS(th)的漂移現(xiàn)象，并提出了工作柵極電壓區(qū)域的建議，旨在最大限度地減少使用壽命內(nèi)的漂移。[1]。
2022-06-21
穩(wěn)定性 CoolSiC MOSFET
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