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Microchip聯(lián)手貿(mào)澤推出介紹8位微控制器的簡(jiǎn)潔性與高效率的電子書
2023年11月14日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Microchip Technology聯(lián)手推出一本新電子書，重點(diǎn)介紹8位微控制器 (MCU) 的價(jià)值和使用案例。在《The Mighty 8-Bit Microcontroller》（強(qiáng)大的8位微控制器）這本書中，多位行業(yè)...
2023-11-16
Microchip 貿(mào)澤 微控制器
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氮化鎵取代碳化硅，從PI開(kāi)始？
在功率器件選擇過(guò)程中，以氮化鎵、碳化硅為代表的寬禁帶半導(dǎo)體越來(lái)越受到了人們的重視，在效率、尺寸以及耐壓等方面都相較于硅有了顯著提升，但是如何定量分析這三類產(chǎn)品的不同？Power Intergrations（PI）資深培訓(xùn)經(jīng)理Jason Yan日前結(jié)合公司新推出的1250V氮化鎵(GaN)產(chǎn)品，詳細(xì)解釋了三類產(chǎn)品的優(yōu)...
2023-11-16
氮化鎵 碳化硅 PI
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IEPE傳感器與電荷輸出傳感器
在本文中，我們將查看可用于向 IEPE 傳感器供電的典型電源裝置的圖表。我們還將了解 IEPE 型和電荷輸出傳感器的優(yōu)點(diǎn)和局限性。
2023-11-16
IEPE傳感器 電荷 傳感器
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『這個(gè)知識(shí)不太冷』探索5G射頻技術(shù)（下）
5G愿景的真正實(shí)現(xiàn)，還需要更多創(chuàng)新。網(wǎng)絡(luò)基站和用戶設(shè)備（例如：手機(jī)） 變得越來(lái)越纖薄和小巧，能耗也變得越來(lái)越低。為了適合小尺寸設(shè)備，許多射頻應(yīng)用所使用的印刷電路板（PCB）也在不斷減小尺寸。因此，射頻應(yīng)用供應(yīng)商必須開(kāi)發(fā)新的封裝技術(shù)，盡量減小射頻組件的占位面積。再進(jìn)一步，部分供應(yīng)商開(kāi)...
2023-11-16
5G 射頻技術(shù)
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儲(chǔ)能系統(tǒng)良性發(fā)展，離不開(kāi)保護(hù)電路
本文將介紹在儲(chǔ)能系統(tǒng)中常用的電子元器件技術(shù)特點(diǎn)，并以貿(mào)澤電子官網(wǎng)在售的保護(hù)器件為例，說(shuō)明保護(hù)器件在儲(chǔ)能系統(tǒng)中的重要性。
2023-11-16
充電樁 儲(chǔ)能系統(tǒng)
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如何直觀的理解波導(dǎo)中微波的模式（TE\TM\TEM）？
光的傳播形態(tài)分類：根據(jù)傳播方向上有無(wú)電場(chǎng)分量或磁場(chǎng)分量，可分為TE\TM\TEM三類，任何光都可以這三種波的合成形式表示出來(lái)。三者可以這樣記憶：橫電磁波就是電和磁都是橫著的，橫電波只有電場(chǎng)是橫的，橫磁波就只有磁場(chǎng)是橫的。
2023-11-16
波導(dǎo) 微波 模式
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使用半大馬士革工藝流程研究后段器件集成的工藝
隨著技術(shù)推進(jìn)到1.5nm及更先進(jìn)節(jié)點(diǎn)，后段器件集成將會(huì)遇到新的難題，比如需要降低金屬間距和支持新的工藝流程。為了強(qiáng)化電阻電容性能、減小邊緣定位誤差，并實(shí)現(xiàn)具有挑戰(zhàn)性的制造工藝，需要進(jìn)行工藝調(diào)整。為應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)，我們嘗試在1.5nm節(jié)點(diǎn)后段自對(duì)準(zhǔn)圖形化中使用半大馬士革方法。我們?cè)趇mec生產(chǎn)...
2023-11-16
半大馬士革 后段器件
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- 貿(mào)澤推出針對(duì)基礎(chǔ)設(shè)施和智慧城市的工程技術(shù)資源中心
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