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倍頻式IGBT高頻感應(yīng)加熱電源負(fù)載短路的保護(hù)
本文倍頻式ICBT高頻感應(yīng)加熱電源電路保護(hù)為例，通過(guò)對(duì)負(fù)載短路時(shí)的電路特性的研究，提出了電路參數(shù)的選擇原則，更好的實(shí)現(xiàn)電路的保護(hù)。
2008-11-03
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IGBT驅(qū)動(dòng)與保護(hù)技術(shù)在直流調(diào)速系統(tǒng)中的應(yīng)用
本文將大功率開(kāi)關(guān)器件IGBT應(yīng)用在功率變換電路及直流調(diào)速系統(tǒng)中。闡述了IGBT 驅(qū)動(dòng)器的基本要求，同時(shí)介紹了EXB841 芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)，并分析了系統(tǒng)的工作原理。
2008-11-02
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使用柵極電阻控制IGBT的開(kāi)關(guān)
柵極電阻會(huì)影響IGBT的開(kāi)關(guān)時(shí)間、開(kāi)關(guān)損耗及各種其他參數(shù)，必須根據(jù)具體應(yīng)用的參數(shù)非常仔細(xì)地選擇和優(yōu)化。一般情況下，減小柵極電阻阻值可降低IGBT的開(kāi)關(guān)損耗，但同時(shí)也必須注意快速的導(dǎo)通關(guān)斷所帶來(lái)的電壓尖峰和電磁干擾。
2008-11-02
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一種新型實(shí)用的IGBT 驅(qū)動(dòng)電路
在分析了IGBT 驅(qū)動(dòng)條件的基礎(chǔ)上介紹了幾種常見(jiàn)的 IGBT 驅(qū)動(dòng)電路，并給出各自的優(yōu)缺點(diǎn)。介紹自行設(shè)計(jì)的一種簡(jiǎn)單、實(shí)用的新型IGBT 驅(qū)動(dòng)電路。經(jīng)實(shí)踐表明，該電路經(jīng)濟(jì)、實(shí)用、安全、可靠，同時(shí)具有IGBT 過(guò)電流保護(hù)功能，具有很好的應(yīng)用前景。
2008-11-02
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一種新型的IGBT短路保護(hù)電路的設(shè)計(jì)
本文提出了一種直接檢測(cè)IGBT發(fā)生短路故障的方法，在詳細(xì)分析IGBT短路檢測(cè)原理的基礎(chǔ)上給出了相應(yīng)的IGBT短路保護(hù)電路。仿真及實(shí)驗(yàn)結(jié)果均證明該電路工作穩(wěn)定可靠,能很好地對(duì)IGBT實(shí)施有效的保護(hù)。
2008-11-02
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面向汽車應(yīng)用的IGBT功率模塊淺談
由于汽車環(huán)境的復(fù)雜多變，應(yīng)用于EV和HEV的IGBT要經(jīng)受得住更多的考驗(yàn)。在功率循環(huán)、熱循環(huán)、機(jī)械振動(dòng)或機(jī)械沖擊等多種試驗(yàn)中，IGBT模塊會(huì)出現(xiàn)一些典型的故障模式。廠家針對(duì)這種問(wèn)題研發(fā)出了具有優(yōu)化性能和成本的功率半導(dǎo)體模塊。
2008-11-02
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中頻電阻焊機(jī)電源的IGBT保護(hù)方法
中頻直流逆變電阻焊接電源作為一種新型的控制電源，以其顯著的高質(zhì)低耗的特點(diǎn)成為電阻焊電源的發(fā)展方向。IGBT是一種用MOS管來(lái)控制晶體管的電力電子器件，具有電壓高、電流大、頻率高、導(dǎo)通電阻小等特點(diǎn)。本文從實(shí)際應(yīng)用出發(fā)，總結(jié)了過(guò)壓、過(guò)流與過(guò)熱保護(hù)的相關(guān)問(wèn)題和各種保護(hù)方法，適用性強(qiáng)、應(yīng)用效果好。
2008-10-25
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IGBT技術(shù)——半導(dǎo)體技術(shù)與封裝的完美匹配
本文討論了IGBT2、IGBT3 以及SEMITRANS模塊采用的新IGBT4 半導(dǎo)體技術(shù)之間的區(qū)別，并展示了在某些情況下新IGBT4技術(shù)所帶來(lái)的性能提升。
2008-10-23
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IGBT集成驅(qū)動(dòng)模塊的研究
本文主要研究IGBT集成驅(qū)動(dòng)模塊，首先闡述了IGBT驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路的原則，接著著重分析了EXB841、M57962AL、GH一039、HL402四類模塊的結(jié)構(gòu)和典型應(yīng)用，最后結(jié)合IR、UC37系列驅(qū)動(dòng)器進(jìn)行比較得出結(jié)論。
2008-10-17
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IGBT 在不間斷電源中的應(yīng)用
在UPS 中使用的功率器件有雙極型功率晶體管、功率MOSFET、可控硅和IGBT，IGBT 既有功率MOSFET 易于驅(qū)動(dòng)，控制簡(jiǎn)單、開(kāi)關(guān)頻率高的優(yōu)點(diǎn)，又有功率晶體管的導(dǎo)通電壓低，通態(tài)電流大的優(yōu)點(diǎn)、使用IGBT 成為UPS 功率設(shè)計(jì)的首選，只有對(duì)IGBT的特性充分了解和對(duì)電路進(jìn)行可靠性設(shè)計(jì)，才能發(fā)揮IGBT 的優(yōu)點(diǎn)。本文介紹UPS 中的IGBT 的應(yīng)用情況和使用中的注意事項(xiàng)。
2008-10-16
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IGCT門極驅(qū)動(dòng)電路的原理分析
在目前的中電壓大功率應(yīng)用領(lǐng)域，占主導(dǎo)地位的功率半導(dǎo)體器件有晶閘管、GTO和IGBT等，這些傳統(tǒng)的功率器件在實(shí)用方面都存在一些缺陷。ABB半導(dǎo)體公司率先提出了一種新型功率半導(dǎo)體器件—IGCT。它的關(guān)鍵思想是將改進(jìn)結(jié)構(gòu)的GTO與反并聯(lián)二極管和門極驅(qū)動(dòng)電路集成在一起，再與其門極驅(qū)動(dòng)器在外圍以低電感方式連接。在性能上明顯優(yōu)于目前廣泛使用的GTO和IGBT器件。著重對(duì)IGCT門極驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)和原理進(jìn)行了介紹和分析。
2008-10-14
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IGBT驅(qū)動(dòng)電路M57962L的剖析
IGBT是一種新型功率器件，即絕緣柵極雙極集體管(Isolated GateBipolar Transistor)，是上世紀(jì)末出現(xiàn)的一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式電力電子器件。它將GTR和MOSFET的優(yōu)點(diǎn)集于一身：輸入阻抗高，開(kāi)關(guān)頻率高，工作電流大等，在變頻器、開(kāi)關(guān)電源，弧焊電源等領(lǐng)域得到廣泛地應(yīng)用。M57962L采用+15V、- 10V雙電源供電，由于采用- 10V關(guān)斷電壓，能更可靠關(guān)斷，同時(shí)具有封閉性軟關(guān)斷功能，從而使IGBT更加安全的工作。
2008-10-11
- 協(xié)同創(chuàng)新，助汽車行業(yè)邁向電氣化、自動(dòng)化和互聯(lián)化的未來(lái)
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