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利用以太網(wǎng)供電 (PoE2) 恢復(fù)正常工作
IEEE新推出的以太網(wǎng)供電(PoE)標(biāo)準(zhǔn),也被稱為PoE 2或802.3bt(以前稱為PoE++),從推出至今剛滿3年,但其應(yīng)用勢(shì)頭比過(guò)去更為強(qiáng)勁。雖然因?yàn)槭艿?019年新冠肺炎疫情(COVID-19)的影響,遠(yuǎn)程工作的數(shù)量增加,但每年部署的以太網(wǎng)供電端口數(shù)量也在持續(xù)增加。雇主利用空下來(lái)的桌椅,升級(jí)IT基礎(chǔ)設(shè)施,打造面...
2022-05-16
以太網(wǎng)供電 HVAC PSE芯片
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UnitedSiC SiC FET用戶指南
本SiC FET用戶指南介紹了使用含快速開關(guān)SiC器件的RC緩沖電路的實(shí)用解決方案和指南。該解決方案經(jīng)過(guò)實(shí)驗(yàn)性雙脈沖測(cè)試(DPT)結(jié)果驗(yàn)證。緩沖電路損耗得到精確測(cè)量,可協(xié)助用戶計(jì)算緩沖電路電阻的額定功率。本指南還在UnitedSiC_AN0018《開關(guān)含緩沖電路的快速SiC FET應(yīng)用說(shuō)明》中分析了緩沖電路對(duì)硬開...
2022-05-13
UnitedSiC SiC FET 用戶指南
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如何提高系統(tǒng)功率密度
消費(fèi)電子的小型化、一體化,汽車和工業(yè)設(shè)備的智能化,幾乎都是各行業(yè)不可逆的發(fā)展趨勢(shì)。在這樣的大趨勢(shì)下,系統(tǒng)設(shè)計(jì)面臨著一個(gè)共同的難題:如何在有限的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的功率?
2022-05-13
功率密度 電源 工業(yè)設(shè)備
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Rhombus采用Wolfspeed SiC器件,實(shí)現(xiàn)更快電動(dòng)汽車充電速度
2022年5月12日,美國(guó)北卡羅來(lái)納州達(dá)勒姆市與中國(guó)上海市訊 — 全球碳化硅(SiC)技術(shù)引領(lǐng)者 Wolfspeed, Inc. (NYSE: WOLF) 于近日宣布,與電動(dòng)汽車(EV)充電和功率轉(zhuǎn)換技術(shù)的領(lǐng)軍企業(yè) Rhombus Energy Solutions 開展重要合作,其SiC MOSFET將被Rhombus用于其EV2flex? 系列充電基礎(chǔ)設(shè)施產(chǎn)品中,此舉將...
2022-05-12
Rhombus Wolfspeed SiC器件
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怎么理解驅(qū)動(dòng)芯片的驅(qū)動(dòng)電流能力
使用功率開關(guān)器件的工程師們肯定都有選擇驅(qū)動(dòng)芯片的經(jīng)歷。面對(duì)標(biāo)稱各種電流能力的驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品時(shí),往往感覺選擇非常困惑。特別是在成本壓力之下,總希望選擇一個(gè)剛好夠用的產(chǎn)品。以下內(nèi)容或許能給到些啟發(fā)。
2022-05-11
驅(qū)動(dòng)芯片 電流能力
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車載信息娛樂系統(tǒng)中的電源設(shè)計(jì)(下)
汽車車載信息娛樂系統(tǒng),又稱車機(jī),是基于車身總線系統(tǒng)和互聯(lián)網(wǎng)服務(wù)而形成的車載綜合信息處理系統(tǒng)。在上篇中,我們介紹了車機(jī)系統(tǒng)中一級(jí)電源和二級(jí)電源的性能要求,本文將專門介紹車機(jī)系統(tǒng)中的環(huán)視攝像頭電源和USB端口設(shè)計(jì)面臨的挑戰(zhàn)。
2022-05-10
車載信息娛樂系統(tǒng) 電源設(shè)計(jì)
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挑選一款合適的汽車級(jí)IGBT模塊: 解讀國(guó)內(nèi)首部車用IGBT標(biāo)準(zhǔn)
隨著新能源汽車行業(yè)的蓬勃發(fā)展,越來(lái)越多的IGBT產(chǎn)品應(yīng)運(yùn)而生。汽車零部件時(shí)常暴露在惡劣的氣候條件下,因此必須保證汽車級(jí)產(chǎn)品在高溫、高濕、高壓條件下可靠運(yùn)行。如何選擇合適的汽車級(jí)半導(dǎo)體器件,對(duì)于Tier1和OEM的產(chǎn)品可靠性及其成本至關(guān)重要。本文將從汽車行業(yè)的IGBT模塊環(huán)境試驗(yàn)的要求出發(fā),介...
2022-05-09
汽車級(jí) IGBT模塊 IGBT標(biāo)準(zhǔn)
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正確理解驅(qū)動(dòng)電流與驅(qū)動(dòng)速度
本文主要闡述了在驅(qū)動(dòng)芯片中表征驅(qū)動(dòng)能力的關(guān)鍵參數(shù):驅(qū)動(dòng)電流和驅(qū)動(dòng)時(shí)間的關(guān)系,并通過(guò)實(shí)驗(yàn)解釋了如何正確理解這些參數(shù)在實(shí)際應(yīng)用中的表現(xiàn)。
2022-05-07
驅(qū)動(dòng)電流 驅(qū)動(dòng)速度
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小體積大電流,高紋波抑制比LDO助力高密度電路設(shè)計(jì)
LDO相信大家都比較熟悉,因其低壓差的優(yōu)勢(shì)在硬件電路設(shè)計(jì)中基本上都會(huì)有它的身影。傳統(tǒng)線性穩(wěn)壓器一般要求輸入電壓比輸出電壓至少高出2V至3V,否則就會(huì)影響正常工作。這種限制對(duì)于硬件研發(fā)來(lái)說(shuō)過(guò)于苛刻,而且普通LDO體積較大,散熱量大,需要大面積PCB散熱,這會(huì)產(chǎn)生PCB使用空間浪費(fèi)的問(wèn)題。如果負(fù)...
2022-05-07
高紋波抑制比 LDO 電路設(shè)計(jì)
- 如何解決在開關(guān)模式電源中使用氮化鎵技術(shù)時(shí)面臨的挑戰(zhàn)?
- 不同拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中使用氮化鎵技術(shù)時(shí)面臨的挑戰(zhàn)有何差異?
- 多通道同步驅(qū)動(dòng)技術(shù)中的死區(qū)時(shí)間納米級(jí)調(diào)控是如何具體實(shí)現(xiàn)的?
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