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高壓交流隔離開關(guān)和接地開關(guān)選用的若干問題
本文分析了高壓交流隔離開關(guān)和接地開關(guān)選用的若干問題，包括：隔離開關(guān)開合母線轉(zhuǎn)換電流、接地開關(guān)開合感應(yīng)電流、單柱垂直斷口隔離開關(guān)的額定接觸區(qū)、接地開關(guān)的短路持續(xù)時間和隔離開關(guān)的過載能力、接地開關(guān)的長期通流問題、絕緣子爬電距離是否需要進行海拔修正的問題。
2008-10-23
隔離開關(guān) 接地開關(guān) 轉(zhuǎn)換電流 隔離電流 接觸區(qū)
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SiR476DP/SiR892DP/SiR850DP ：Vishay新型功率MOSFET
日前，Vishay推出一款新型 25V n 通道器件，從而擴展了其 Gen III TrenchFET功率 MOSFET 系列，對于采用 PowerPAK SO-8 封裝類型且具有該額定電壓的器件而言，該器件具有業(yè)界最低的導(dǎo)通電阻以及導(dǎo)通電阻與柵極電荷之乘積。
2008-10-23
SiR476DP SiR892DP SiR850DP MOSFET
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廣交會機電產(chǎn)品成交降13% 歐美客戶狠壓價
機電歡喜紡織愁的出口走勢悄然變化，中國外貿(mào)額中占到半壁的機電產(chǎn)品在金融海嘯沖擊下出口增速也很可能下滑。廣交會昨日對外公布第104屆一期情況，機電產(chǎn)品成交不容樂觀。廣交會昨日公布的數(shù)據(jù)顯示，本屆廣交會第一期到會境外采購商共87305人，出口累計成交164.5億美元，其中機電產(chǎn)品139.2億美元，...
2008-10-22
機電
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西門子變頻器參數(shù)設(shè)置的探討
本文介紹了西門子變頻器控制方式選擇，快速調(diào)試，加減速時間調(diào)整，以及轉(zhuǎn)動慣量設(shè)置。
2008-10-22
變頻器 控制方式 快速調(diào)試 加減速時間 轉(zhuǎn)動慣量
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用于軟起動器的晶閘管模塊SEMiSTART
本文介紹了電機起動控制的三種方式，軟起動器對晶閘管的要求，晶閘管模塊中使用的裝配和連接技術(shù)以及SEMiSTAT模塊的技術(shù)指標。
2008-10-22
電機 晶閘管 裝配 SEMiSTAT模塊
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自動轉(zhuǎn)換開關(guān)電器ATSE的現(xiàn)狀選擇與應(yīng)用
本文介紹了國內(nèi)外ATSE產(chǎn)品現(xiàn)狀，產(chǎn)品結(jié)構(gòu)分析對比及ATSE的選擇以及ATSE產(chǎn)品的應(yīng)用，最后簡介新一代PC級ATSE產(chǎn)品。
2008-10-22
ATSE PC級 轉(zhuǎn)換開關(guān)
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分立器件封裝低端市場競爭激烈
目前，半導(dǎo)體分立器件還沒有享受到像集成電路產(chǎn)業(yè)那樣的優(yōu)惠政策，不利于分立器件持續(xù)發(fā)展。中國分立器件企業(yè)要堅持在科學(xué)發(fā)展中尋找解決困難的途徑，以積極的姿態(tài)迎接中國半導(dǎo)體美好的明天。
2008-10-21
分立器件 光電二極管 二極管 三極管 肖特基二極管
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IGBT集成驅(qū)動模塊的研究
本文主要研究IGBT集成驅(qū)動模塊，首先闡述了IGBT驅(qū)動保護電路的原則，接著著重分析了EXB841、M57962AL、GH一039、HL402四類模塊的結(jié)構(gòu)和典型應(yīng)用，最后結(jié)合IR、UC37系列驅(qū)動器進行比較得出結(jié)論。
2008-10-17
IGBT集成驅(qū)動模塊 驅(qū)動保護電路 EXB841 M57962AL GH一039 HL402
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一種升壓型PFM控制DC/DC轉(zhuǎn)換器
本文設(shè)計了一種升壓型PFM控制DC/DC轉(zhuǎn)換器，該電路可在低輸入電壓0.9V下工作，利用PFM控制電路，根據(jù)負載大小自動切換占空比系數(shù)，結(jié)構(gòu)簡單、功耗低、在大范圍內(nèi)可獲得較低的輸出紋波和高效率，輸出電壓精度為±0.3%。
2008-10-17
DC/DC轉(zhuǎn)換器 PFM控制 升壓
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