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一種高速低壓低靜態(tài)功耗欠壓鎖定電路
本文針對傳統(tǒng)欠壓鎖定電路靜態(tài)功耗較大，降低了電源的效率且增加了芯片散熱系統(tǒng)的負(fù)擔(dān)，影響系統(tǒng)的穩(wěn)定性等不足之處，提出了一種CMOS工藝下的低壓低靜態(tài)功耗欠壓鎖定電路，并且通過HSPICE仿真對結(jié)果進(jìn)行了分析。
2008-10-16
高速低壓低靜態(tài)功耗欠壓鎖定電路 先導(dǎo)控制技術(shù) 加速響應(yīng)回路 電源管理
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電源中的負(fù)載管理與負(fù)載開關(guān)設(shè)計與實現(xiàn)
本文針對便攜式電子產(chǎn)品延長充電時間間隔的方法，提出采用現(xiàn)代的負(fù)載管理來最大限度省電。首先分析了電源管理IC和負(fù)載開關(guān)IC組成負(fù)載管理，接著分析了電源管理IC及負(fù)載開關(guān)組成的結(jié)構(gòu)，然后分析了新型負(fù)載開關(guān)的特點，最后簡單地介紹幾種較典型的負(fù)載開關(guān)。
2008-10-16
電源負(fù)載管理 負(fù)載開關(guān)設(shè)計 省電
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IGBT 在不間斷電源中的應(yīng)用
在UPS 中使用的功率器件有雙極型功率晶體管、功率MOSFET、可控硅和IGBT，IGBT 既有功率MOSFET 易于驅(qū)動，控制簡單、開關(guān)頻率高的優(yōu)點，又有功率晶體管的導(dǎo)通電壓低，通態(tài)電流大的優(yōu)點、使用IGBT 成為UPS 功率設(shè)計的首選，只有對IGBT的特性充分了解和對電路進(jìn)行可靠性設(shè)計，才能發(fā)揮IGBT 的優(yōu)點。本...
2008-10-16
IGBT 在線式 UPS SCR 反偏電壓
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DirectFET技術(shù)徹底革新大電流DC-DC變換器的設(shè)計
現(xiàn)代電子設(shè)備在很大程度上依靠DC-DC變換器為其提供電源。在很多計算機，網(wǎng)絡(luò)和電信應(yīng)用中，對電流的要求已經(jīng)超過了100A。要達(dá)到這樣的輸出能力，需要多只MOSFET并聯(lián)的多相式變換器才能實現(xiàn)，這樣就帶來了嚴(yán)重的布板擁擠以及功耗等問題。國際整流器公司的一項新的技術(shù)，即DirectFET，證明在載流能力...
2008-10-16
DirectFET DC/DC DFPR
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超級電容器簡介
本文針對目前超級電容器在某些需要高功率、高效率解決方案設(shè)計中的應(yīng)用，全面介紹了超級電容器。它分析了超級電容器的結(jié)構(gòu)，詳細(xì)闡述了超級電容器的特點和優(yōu)勢，最后介紹了它的廣泛用途。
2008-10-16
超級電容器 電池技術(shù)缺陷
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將有源鉗位添加到同步反向電源的優(yōu)勢
本文提出將有源鉗位添加到同步反向電源這一新做法，并通過實驗將利用電源變壓器來驅(qū)動同步 FET的電源與添加了有源鉗位電路中柵極驅(qū)動變壓器的電源進(jìn)行比較，得出后者的優(yōu)勢。
2008-10-15
有源鉗位同步反向電源 有源鉗位正向轉(zhuǎn)換器
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帶自動均流的DC/DC變換器并聯(lián)模塊的研究
本文分析和比較了幾種DC/DC 電源模塊并聯(lián)均流技術(shù), 介紹了TI公司（UC3907為Unitrode公司的產(chǎn)品，但該公司已被TI公司收購，所以下文統(tǒng)稱TI公司）生產(chǎn)的UC3907芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)和功能。在此基礎(chǔ)上, 設(shè)計出一種基于UC3846和UC3907的帶自動均流的大功率DC/DC 變換器的控制電路。并通過在UC3907的14腳和6腳之...
2008-10-14
并聯(lián) 自動均流 DC/DC變換器
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采用多輸入DC/DC變換器實現(xiàn)對諧波和紋波的抑制
電子儀器和設(shè)備中的電源越來越廣泛地采用開關(guān)方式的DC/DC變換器，以致于工頻電源中高次諧波的含量增多，國際IEC對此作了限制。文中提出采用多輸入的DC/DC變換器，抑制輸入電流的高次諧波，獲得良好效果用前饋控制和反饋控制相結(jié)合的辦法，使輸出電壓的低頻紋波，由單輸入時的280mV左右降至80mV左右...
2008-10-14
多輸入 變換器 諧波失真 輸出紋波 功率因數(shù)
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IGCT門極驅(qū)動電路的原理分析
在目前的中電壓大功率應(yīng)用領(lǐng)域，占主導(dǎo)地位的功率半導(dǎo)體器件有晶閘管、GTO和IGBT等，這些傳統(tǒng)的功率器件在實用方面都存在一些缺陷。ABB半導(dǎo)體公司率先提出了一種新型功率半導(dǎo)體器件—IGCT。它的關(guān)鍵思想是將改進(jìn)結(jié)構(gòu)的GTO與反并聯(lián)二極管和門極驅(qū)動電路集成在一起，再與其門極驅(qū)動器在外圍以低電感方...
2008-10-14
IGCT 門極驅(qū)動電路 硬驅(qū)動
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