產(chǎn)品特點(diǎn)：

• SCH2080KE實(shí)現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝
• 無(wú)開(kāi)啟電壓，具備卓越的電流電壓特性
• 正向電壓降低70％以上，減少了損耗和部件個(gè)數(shù)
• 無(wú)尾電流，可進(jìn)行低損耗開(kāi)關(guān)

應(yīng)用領(lǐng)域：

• 工業(yè)設(shè)備和太陽(yáng)能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器等的逆變器、轉(zhuǎn)換器

羅姆面向工業(yè)設(shè)備和太陽(yáng)能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開(kāi)發(fā)出耐壓高達(dá)1200V的第2代SiC MOSFET“SCH2080KE”。本產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝，比Si-IGBT相比，工作損耗降低了70％，并可達(dá)到50kHz以上的開(kāi)關(guān)頻率。

本產(chǎn)品于世界首次成功實(shí)現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝。內(nèi)部二極管的正向電壓（VF）降低70％以上，實(shí)現(xiàn)更低損耗的同時(shí)還可減少部件個(gè)數(shù)。該產(chǎn)品生產(chǎn)基地在ROHM Apollo Co., Ltd.（日本福岡縣），從6月份開(kāi)始出售樣品，從7月份開(kāi)始陸續(xù)量產(chǎn)。

現(xiàn)在，在1200V級(jí)別的逆變器和轉(zhuǎn)變器中一般使用Si-IGBT，但尾電流和外置FRD的恢復(fù)導(dǎo)致的功率轉(zhuǎn)換損耗較大，因此，更低損耗、可高頻動(dòng)作的SiC-MOSFET的開(kāi)發(fā)備受期待。但是，傳統(tǒng)的SiC-MOSFET，體二極管通電導(dǎo)致的特性劣化（導(dǎo)通電阻和正向電壓的上升／耐性劣化）和柵氧化膜故障等可靠性方面的課題較多，之前無(wú)法實(shí)現(xiàn)真正的全面導(dǎo)入。

此次，羅姆通過(guò)改善晶體缺陷相關(guān)工藝和元件構(gòu)造，成功地攻克了包括體二極管在內(nèi)的可靠性方面的所有課題。而且，與傳統(tǒng)產(chǎn)品相比，單位面積的導(dǎo)通電阻降低了約30％，實(shí)現(xiàn)了芯片尺寸的小型化。
另外，通過(guò)獨(dú)創(chuàng)的安裝技術(shù)，還成功將傳統(tǒng)上需要外置的SiC-SBD一體化封裝，使SiC-MOSFET的體二極管長(zhǎng)久以來(lái)的課題—降低正向電壓成為可能。
由此，與一般的逆變器中所使用的Si-IGBT相比，工作時(shí)的損耗降低了70％以上，實(shí)現(xiàn)了更低損耗的同時(shí)，還實(shí)現(xiàn)了50kHz以上的更高頻率，而且有助于外圍部件的小型化。

另外，此次還同時(shí)開(kāi)發(fā)了與SiC-SBD非同一封裝的型號(hào)SiC-MOSFET“SCT2080KE”，提供滿足不同電路構(gòu)成和客戶需求的產(chǎn)品。兩種產(chǎn)品將在6月19日(周二)～21日(周四)于上海世博展覽館舉行的聚集電力電子、智能運(yùn)動(dòng)、電力特性等最新技術(shù)的專業(yè)類展會(huì)“PCIM Asia 2012”的羅姆展臺(tái)展出。詳細(xì)特點(diǎn)描述如下：

SiC-MOSFET與SiC-SBD一體化封裝

成功實(shí)現(xiàn)“SCH2080KE”與傳統(tǒng)上需要外置的SiC-SBD的一體化封裝，降低了正向電壓?？蓽p少部件個(gè)數(shù)，而且有助于進(jìn)一步節(jié)省空間。產(chǎn)品陣容中還包括傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的“SCT2080KE”，可滿足客戶的多種需求。
無(wú)開(kāi)啟電壓，具備卓越的電流電壓特性
通過(guò)優(yōu)化工藝和元件構(gòu)造，與第1代產(chǎn)品相比，單位面積的導(dǎo)通電阻降低約30％。不存在一般使用的Si-IGBT長(zhǎng)久以來(lái)所存在的開(kāi)啟電壓，因此即使在低負(fù)載運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)損耗也很低。
正向電壓降低70％以上，減少了損耗和部件個(gè)數(shù)
SiC-MOSFET的體二極管，在SiC物質(zhì)特性的原理上決定了其開(kāi)啟電壓較大，高達(dá)2.5V以上，常常成為逆變器工作時(shí)的損耗。“SCH2080KE”集SiC-SBD與SiC-MOSFET于同一封裝內(nèi)，大大降低了正向電壓。不僅損耗更低，還可減少部件個(gè)數(shù)。

無(wú)尾電流，可進(jìn)行低損耗開(kāi)關(guān)
由于不會(huì)產(chǎn)生Si-IGBT中常見(jiàn)的尾電流，因此關(guān)斷時(shí)的開(kāi)關(guān)損耗可減少90％，有助于設(shè)備更加節(jié)能。另外，達(dá)到了Si-IGBT無(wú)法達(dá)到的50kHz以上的開(kāi)關(guān)頻率，因此，可實(shí)現(xiàn)外圍設(shè)備的小型化、輕量化。