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電子行業(yè)日新月異 成啟制勝三大策略

發(fā)布時間:2012-02-13 來源:電子元件技術(shù)網(wǎng)

高端觀點:

  • 成啟半導(dǎo)體不斷提升產(chǎn)品技術(shù)水平
  • 成啟半導(dǎo)體與方案公司合作,提供最佳應(yīng)用方案
  • 成啟半導(dǎo)體嚴把品質(zhì)關(guān)
發(fā)展趨勢:
  • HOMSEMI能夠配合客戶生產(chǎn)出更高品質(zhì)的產(chǎn)品
  • HOMSEMI能夠協(xié)助客戶進入更高端的領(lǐng)域
  • 成啟半導(dǎo)體比競爭對手更快覺察需求的變化趨勢

自進入2011年以來,由于日本大地震,泰國洪災(zāi)及歐洲主權(quán)債務(wù)危機,對中國電子行業(yè)帶來嚴重沖擊,供求關(guān)系惡化,導(dǎo)致產(chǎn)品價格大幅降低,企業(yè)盈利水平下降,全球電子行業(yè)指數(shù)均出現(xiàn)較大幅度下滑。而2012年我國電子產(chǎn)業(yè)也是機遇與挑戰(zhàn)并存,調(diào)結(jié)構(gòu)、轉(zhuǎn)方式、增強產(chǎn)業(yè)核心競爭力是企業(yè)在新的經(jīng)濟形勢下采取的重要舉措。成啟半導(dǎo)體董事長陳學(xué)東表示:應(yīng)對電子行業(yè)的機遇與挑戰(zhàn),成啟半導(dǎo)體(HOMSEMI)有制勝的三大策略!

一、 不斷提升產(chǎn)品技術(shù)水平

成啟半導(dǎo)體(HOMSEMI)通過和國外先進的芯片設(shè)計和制造平臺合作,除了能提供傳統(tǒng)的PLANNAR(平面)工藝MOSFET之外,還可以提供處于世界先進水平的0.18微米TRENCH(溝槽)工藝MOSFET。目前HOMSEMI MOSFET的最高耐壓能夠達到900V,最大電流達到196A,最小的RDS(ON)能低于2.5mΩ。這些指標都處于行業(yè)的領(lǐng)先水平,而且在2012年,成啟半導(dǎo)體還會進一步推出0.13微米的TRENCH 工藝產(chǎn)品,成啟半導(dǎo)體(HOMSEMI)產(chǎn)品的性能優(yōu)勢將會進一步體現(xiàn)。

二、 與方案公司合作,提供最佳應(yīng)用方案

POWER MOSFET的應(yīng)用領(lǐng)域比較多,和周邊元件的匹配比較復(fù)雜,影響的因素較多,又要控制好成本和可靠性。為了協(xié)助客戶解決這些問題,成啟半導(dǎo)體和多家領(lǐng)先的方案設(shè)計公司結(jié)成了合作聯(lián)盟,在:無葉風扇、HID、LED、金鹵燈、電焊機、步進馬達驅(qū)動、電動自行車、航模電機等行業(yè)推出了先進的整體應(yīng)用方案,方案中的MOSFET都針對應(yīng)用進行了優(yōu)化和匹配,所以能達到性能、成本、可靠性的最佳平衡。而且,這些設(shè)計方案成啟半導(dǎo)體都是作為售前服務(wù)提供給客戶的。

成啟半導(dǎo)體(HOMSEMI)的這種和方案公司合作的成功案例很多,例如:在汽車HID安定器這個行業(yè),產(chǎn)品應(yīng)用的環(huán)境溫度高達105℃,而且存在著2萬多伏的高壓放電等一系列的嚴酷條件。HOMSEMI MOSFET在這種產(chǎn)品使用一年后綜合的不良率低于萬分之一。“請留意,這是根據(jù)客戶產(chǎn)品出廠一年后的返修數(shù)據(jù)統(tǒng)計出的結(jié)果,這個數(shù)據(jù)是我們產(chǎn)品優(yōu)勢最有力的證明。”陳學(xué)東表示。

三、 嚴把品質(zhì)關(guān)

成啟半導(dǎo)體的品質(zhì)控制體系除了常規(guī)的CP(芯片中測)、FT(產(chǎn)品終測)之外,還專門設(shè)立了可靠性實驗室,使用PCT、TST、HTRB等一系列的技術(shù)手段,對每一批次的產(chǎn)品進行抽樣可靠性測試。避免產(chǎn)品的批次性問題。

陳學(xué)東說:“我們對品質(zhì)的苛求為客戶帶來了實質(zhì)的價值。例如:在馬達驅(qū)動的應(yīng)用,HOMSEMI MOSFET超低的RDS(ON)使客戶能驅(qū)動更大功率的馬達,同時HOMSEMI 100%的產(chǎn)品通過焦耳耐受量測試(EAS),使HOMSEMI MOSFET在馬達反向電動勢的沖擊下可靠性更高。”

結(jié)語

成啟半導(dǎo)體一直專注于發(fā)展HOMSEMI自主品牌的功率半導(dǎo)體,主要的產(chǎn)品是PLANNAR工藝MOSFET和TRENCH工藝MOSFET,為功率半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展做出了貢獻。陳學(xué)東認為成啟半導(dǎo)體(HOMSEMI)一直處于優(yōu)勝的地位,有幾大因素:

1)隨著中國電子產(chǎn)品在國際市場上的定位不斷提高,HOMSEMI高品質(zhì)的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品能夠配合客戶生產(chǎn)出更高品質(zhì)的產(chǎn)品。

2)HOMSEMI在功率半導(dǎo)體的知識和經(jīng)驗,能夠協(xié)助客戶進入更高端的領(lǐng)域。

3)為應(yīng)對市場變化,成啟半導(dǎo)體的產(chǎn)品也在不斷的更新,例如,成啟半導(dǎo)體馬上將會量產(chǎn)IGBT產(chǎn)品,2012年下半年,還將會推出陶瓷基板的POWER MOSFET。

4)成啟半導(dǎo)體更貼近客戶應(yīng)用的經(jīng)營模式使成啟半導(dǎo)體能比競爭對手更快覺察需求的變化趨勢。

5)最重要的是,雖然電子行業(yè)日新月異,但是對高品質(zhì)的追求是永恒不變的,所以成啟半導(dǎo)體的戰(zhàn)略對企業(yè)長遠發(fā)展很有借鑒意義。
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