-
Vishay發(fā)布高頻RF應用新款SMD MLCC，Q值超2000
日前，Vishay 宣布推出針對高頻RF應用高功率表面貼裝多層陶瓷片式電容器(MLCC)，新款QUAD HIFREQ系列產(chǎn)品具有超過2000的超高Q值和低至0.01Ω的ESR，電壓等級高達1500V，適用于電信、醫(yī)療、國防和工業(yè)設備。
2013-08-28
-
Vishay推出手勢遙控應用高功率高速紅外發(fā)射器
日前，Vishay 宣布推出用于手勢遙控應用的新款高功率高速940nm紅外發(fā)射器VSLB9530S。該器件在100mA電流下的發(fā)射功率達40mW，在垂直方向和水平方向的半強角分別達到±18°和±36°，采用TELUX封裝，且開關速度很快，時間僅15ns。
2013-08-28
-
Vishay發(fā)布醫(yī)療設備用TANTAMOUNT固鉭片式電容
日前，Vishay宣布推出新系列TANTAMOUNT表面貼裝固鉭模壓片式電容器TM3系列，新款可靠的模塑電容器采用穩(wěn)固的陽極設計、威布爾分級和Hi-Rel篩選，可在各種家用和醫(yī)用非生命支持醫(yī)療監(jiān)護和診斷設備中提供更好的性能和可靠性。
2013-08-22
-
Vishay新增12款±35°半靈敏度角新款高速表面貼裝光探測器
Vishay日前宣布推出采用微型鷗翼、倒鷗翼和側視型封裝及寬視角半球形透鏡的新款高速光探測器。對于需要成對發(fā)射器-探測器的應用，新增二極管可以匹配Vishay的新款±25°和±28°發(fā)射器。其中，VEMD2xx3(SL) PIN光電二極管半靈敏度角為±35°，典型輸出電流為10μA，具有1nA的極低暗電流；VEMT2xx3(SL)光電晶體管的典型輸出電流為2.7mA。
2013-08-12
-
Vishay推出高2.1mm的新款10mm標準SMD 7段LED數(shù)碼管
Vishay發(fā)布高2.1mm的新款10mm標準SMD 7段LED數(shù)碼管——VDMx10x0和VDMx10A1系列。該器件采用發(fā)光均勻、無污點的數(shù)碼管和灰色封裝表面，有紅橙黃綠4種顏色，發(fā)光強度達2750μcd，可用于多種應用。
2013-08-07
-
Vishay新款TMBS整流器在3A下正向壓降僅0.34V
日前，Vishay宣布推出12款電流等級從6A至20A的新型45V、60V和100V的TMBS Trench MOS勢壘肖特基整流器。新的整流器在3A下的正向電壓降只有0.34V，采用表面貼裝TO-252(DPAK)封裝，非常適合商業(yè)應用。
2013-08-02
-
Vishay發(fā)布軍工和航天應用液鉭高能電容器，業(yè)界容量最高
Vishay 日前宣布發(fā)布新款液鉭高能電容器---HE4，這款器件在+25℃和1kHz條件下的最大ESR只有0.025?，在市場上類似器件當中容量最高，容量為1100μF～72000μF。HE4的制造工藝使其可以承受高應力和惡劣的環(huán)境，采用可在軍工和航天應用中提高可靠性和性能的特殊殼體設計。
2013-07-26
-
Vishay開發(fā)出可承受1850A電流尖峰沖擊的緩沖電容
中高功率逆變器中的IGBT切換時會引起很大的電壓和電流尖峰，這種尖峰是導致嚴重EMI的重要原因。Vishay最新開發(fā)的緩沖電容可承受2500V/μs的高能脈沖和1850A的峰值電流，壽命超過30萬小時，可耐105℃高溫。
2013-07-20
-
Vishay新增超高容量液鉭電容器，75V下容量達1000 μF
Vishay日前宣布推出采用特殊密封的新型超高容量系列液鉭電容器---T18系列。新型液鉭電容器適用于航空和航天應用，采用D外形尺寸，在75V下的容量高達1000 μF。
2013-07-20
-
Vishay攜最新半導體和無源元件出展
日前，Vishay 宣布，將展出其最新的半導體和無源元件，展示其在各個產(chǎn)品線上所取得的業(yè)界領先的創(chuàng)新技術，幫助各種應用提高效率和可靠性。展品包括LED驅(qū)動、二極管、最新電容器、電阻和電感器等。
2013-07-05
-
Vishay將在2013中國電子展成都站展示最新業(yè)界領先技術
Vishay將在6月20至22日成都世紀城新國際會展中心舉行的2013中國電子展成都站（夏季會）上展出其全線技術方案。Vishay的展位在3號館A214，展示亮點是其最新的業(yè)界領先的創(chuàng)新產(chǎn)品，包括無源元件、二極管、功率MOSFET、功率IC和光電子產(chǎn)品。
2013-06-18
-
Vishay新型單相橋式整流器 反向電壓可達1000V
日前，Vishay推出四款單相橋式整流器MBL104S、MBL106S、MBL108S和MBL110S，反向電壓可達1000V，能夠承受最高30A浪涌電流。該器件采用薄型MBLS封裝，十分適用于智能手機充電器的AC/DC全波整流。
2013-05-10
- 聚合物電容全景解析：從納米結構到千億市場的國產(chǎn)突圍戰(zhàn)
- 超300cd亮度+毫米級光域！艾邁斯歐司朗SYNIOS P2720重構車燈微光學架構
- 從存儲轉(zhuǎn)發(fā)到AI自治：以太網(wǎng)交換機的四階技術躍遷
- 驅(qū)動器技術全景圖：從原理到國產(chǎn)替代的破局之路
- 奇瑞羅姆技術共創(chuàng)日，共繪汽車電子未來藍圖
- 隔離式柵極驅(qū)動器核心技術全景：安全、能效與國產(chǎn)破局路徑
- 三新驅(qū)動西部崛起：第十三屆西部電子信息博覽會成都盛大啟幕
- EMVCo C8預認證！意法半導體STPay-Topaz-2重塑支付芯片安全邊界
- 村田開始量產(chǎn)村田首款0402英寸47μF多層陶瓷電容器
- 安規(guī)電容技術全景圖：從安全設計到國產(chǎn)替代突圍
- 滌綸電容技術全解析：從聚酯薄膜特性到高保真應用設計指南
- 灣芯展2025預登記啟動！10月深圳共襄半導體盛宴
- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動避撞技術展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車模塊拋負載的解決方案
- 車用連接器的安全創(chuàng)新應用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
