【導(dǎo)讀】中高功率逆變器中的IGBT切換時會引起很大的電壓和電流尖峰,這種尖峰是導(dǎo)致嚴(yán)重EMI的重要原因。Vishay最新開發(fā)的緩沖電容可承受2500V/μs的高能脈沖和1850A的峰值電流,壽命超過30萬小時,可耐105℃高溫。
Vishay推出新款高性能鍍金屬聚丙烯膜緩沖電容器---Vishay Roederstein MKP386M,該器件可直接安裝在絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)模塊上,容量從0.047µF到10µF,可在+105℃高溫下工作,有700VDC~2500VDC和420VAC~800VAC共7個電壓等級。
Vishay還提供結(jié)構(gòu)長度58mm的器件,用于高功率IGBT模塊。緩沖電容器的ESR低至1.5mΩ,容量公差±5 %,引線間隔的每毫米自感為0.7nH,RMS電流高達(dá)20A。器件采用阻燃塑料外殼和環(huán)氧樹脂密封,無鉛、無鹵素,符合RoHS指令。
MKP386M現(xiàn)可提供樣品,并已實現(xiàn)量產(chǎn),供貨周期為十周到十二周。