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MOS晶體管共源極放大器

發(fā)布時間:2020-06-30 來源:Doug Mercer 和 Antoniu Miclaus 責(zé)任編輯:wenwei

【導(dǎo)讀】共源極放大器是三種基本單級放大器拓?fù)渲?。MOS共源極放大器一般用作反相電壓放大器。晶體管的柵極端為輸入,漏極端為輸出,而源極為輸入和輸出共用(可連接至參考地端或電源軌),所謂共用即由此而來。
 
目標(biāo)
 
本活動的目的是研究MOS晶體管的共源極配置。
 
背景知識
 
共源極放大器是三種基本單級放大器拓?fù)渲?。MOS共源極放大器一般用作反相電壓放大器。晶體管的柵極端為輸入,漏極端為輸出,而源極為輸入和輸出共用(可連接至參考地端或電源軌),所謂共用即由此而來。
 
材料
 
●  ADALM2000主動學(xué)習(xí)模塊
●  無焊面包板
●  五個電阻
●  一個50 kΩ可變電阻、電位計
●  一個小信號NMOS晶體管(ZVN2110A)
 
指導(dǎo)
 
圖1所示配置展現(xiàn)了用作共源極放大器的NMOS晶體管。選擇適當(dāng)?shù)妮敵鲐?fù)載電阻RL,用于產(chǎn)生合適的標(biāo)稱漏極電流ID,VDS的電壓約為正電源電壓(+5 V)和負(fù)電源電壓VN(–5 V)的中間值。通過可調(diào)電阻RPOT來設(shè)置晶體管(VGS) 的標(biāo)稱偏置工作點,進而設(shè)置所需的IC。選擇適當(dāng)?shù)姆謮浩鱎1/R2,以便通過波形發(fā)生器W1提供足夠大的輸入激勵衰減,使W1的幅度與 VDS上的信號幅度大致相同。考慮到在晶體管VGS的柵極上會出現(xiàn)非常小的信號,這樣做更容易查看波形發(fā)生器W1信號。衰減的W1信號通過4.7 uF C1交流耦合到晶體管柵極,以免干擾直流偏置條件。
 
MOS晶體管共源極放大器
圖1.共源極放大器測試配置。
 
硬件設(shè)置
 
波形發(fā)生器W1配置為1 kHz正弦波,峰峰值幅度為3 V,偏移為0 V。并將其連接在示波器通道1+上,以顯示發(fā)生器輸出的信號W1。示波器通道2 (2+)用于交替測量M1柵極和漏極的波形。
 
MOS晶體管共源極放大器
圖2.NMOS二極管面包板電路。
 
程序步驟
 
打開連接到MOS晶體管漏極(VP = +5 V)和源極(VN = –5 V)的電源。
 
配置示波器以捕獲多個周期的輸入信號(橙色跡線)和輸出信號(紫色跡線)
 
產(chǎn)生的波形如圖3所示。
 
MOS晶體管共源極放大器
圖3.共源極放大器測試電路的波形圖。
 
共源極放大器的電壓增益A可以表示為負(fù)載電阻RL與小信號源極電阻rs的比值。晶體管的跨導(dǎo)gm是漏極電流ID和所謂的柵極過驅(qū)動電壓VGS-Vth的函數(shù),其中Vth是閾值電壓。
 
MOS晶體管共源極放大器
 
小信號源極電阻為1/gm且可視為與源極串聯(lián)?,F(xiàn)在,在柵極上施加電壓信號,相同的電流會流入rs和漏極負(fù)載RL。因此,RL × gm可得到增益A。
 
MOS晶體管共源極放大器
 
添加源極負(fù)反饋
 
共源極放大器為放大器提供反相輸出,具有極高增益,而且各晶體管之間的差異很大。增益與溫度和偏置電流密切相關(guān),所以實際增益有時無法預(yù)測。由于可能存在意外的正反饋,因此穩(wěn)定性是與此類高增益電路相關(guān)的另一個問題。此外小信號限值帶來的低輸入動態(tài)范圍也是一個問題;如果超過此限值,就會出現(xiàn)嚴(yán)重失真,晶體管也不會像其小信號模型那樣工作。如果添加負(fù)反饋,就會減少此類問題,從而提高性能。在這種簡單的放大器級中添加反饋有多種方法,最簡單也最可靠的方式是在源電路(RS)中添加一個小值電阻。這也稱為串聯(lián)反饋。反饋量取決于通過該電阻兩端的相對信號壓降。
 
源極負(fù)反饋增益方程:
 
MOS晶體管共源極放大器
 
附加材料
 
一個5 kΩ可變電阻、電位計
 
指導(dǎo)
 
斷開M1源極接地連接,并插入RS, a 5 kΩ(5 kΩ電位計),如圖4所示。調(diào)整RS,同時注意觀察晶體管漏極上的輸出信號。電路增益可通過修改RS 電位計的值來調(diào)整。
 
MOS晶體管共源極放大器
圖4.添加源極負(fù)反饋。
 
硬件設(shè)置
 
波形發(fā)生器W1配置為1 kHz正弦波,峰峰值幅度為3 V,偏移為0 V。并將其連接在示波器通道1+上,以顯示發(fā)生器輸出的信號W1。示波器通道2 (2+)用于交替測量M1柵極和漏極的波形。
 
MOS晶體管共源極放大器
圖5.添加了源極負(fù)反饋的面包板連接。
 
程序步驟
 
打開連接到漏極的電源(VP = 5 V)。
 
配置示波器以捕獲多個周期的輸入信號(橙色跡線)和輸出信號(紫色跡線)。
 
產(chǎn)生的波形如圖6所示。
 
MOS晶體管共源極放大器
圖6.添加了源極負(fù)反饋的波形圖。
 
提高源極負(fù)反饋放大器的交流增益
 
添加源極負(fù)反饋電阻提高了直流工作點的穩(wěn)定性,但降低了放大器增益??赏ㄟ^在負(fù)反饋電阻RS上并聯(lián)電容C2,在一定程度上恢復(fù)交流信號的較高增益,如圖7所示。
 
MOS晶體管共源極放大器
圖7.添加C2以增加交流增益。
 
硬件設(shè)置
 
波形發(fā)生器W1配置為1 kHz正弦波,峰峰值幅度為3 V,偏移為0 V。并將其連接示波器通道1+上,以顯示發(fā)生器輸出的信號W1。示波器通道2 (2+)用于交替測量M1柵極和漏極的波形。
 
MOS晶體管共源極放大器
圖8.添加了C2的面包板連接。
 
程序步驟
 
打開連接到漏極的電源(VP = 5 V)。
 
配置示波器以捕獲多個周期的輸入信號(橙色跡線)和輸出信號(紫色跡線)。
 
產(chǎn)生的波形如圖9所示。
 
MOS晶體管共源極放大器
圖9.添加了C2的波形圖。
 
問題
 
●  添加負(fù)反饋如何有助于穩(wěn)定直流工作點?
●  對于源極負(fù)反饋電路設(shè)置,增加RS對電壓增益A有何影響?
 
 
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