晶體的串聯(lián)和并聯(lián)諧振
發(fā)布時(shí)間:2018-03-19 來源:John Dunn 責(zé)任編輯:wenwei
【導(dǎo)讀】石英晶體的外殼上標(biāo)有器件的額定工作頻率,但那只是一個(gè)近似值,實(shí)際上晶體有多個(gè)諧振頻率,即使在理想情況下也是如此。本文以理想晶體的等效電路為例,表明并聯(lián)諧振頻率絕不會低于串聯(lián)諧振頻率。至于哪個(gè)諧振更重要,則取決于應(yīng)用。
石英晶體的外殼上標(biāo)有器件的額定工作頻率,但那只是一個(gè)近似值,實(shí)際上晶體有多個(gè)諧振頻率,即使在理想情況下也是如此。
圖1顯示了理想晶體的等效電路,其中只有三個(gè)電路元件,串聯(lián)的電容C1和電感L1、與該L1 C1串聯(lián)對并聯(lián)的另一個(gè)電容C2。
圖1:理想石英晶體的等效電路。
在特定的串聯(lián)諧振頻率,輸入阻抗Z為零,L1和C1處于串聯(lián)諧振。電容C2與此無關(guān)。
然而,在特定的并聯(lián)諧振頻率,輸入阻抗Z達(dá)到無窮大。這是C2與L1 C1的串聯(lián)組合發(fā)生并聯(lián)諧振的頻率,呈現(xiàn)電感性阻抗。要使L1 C1對在并聯(lián)諧振時(shí)呈現(xiàn)感性,并聯(lián)諧振必須發(fā)生在比串聯(lián)諧振更高的頻率。
因此,并聯(lián)諧振頻率只能比串聯(lián)諧振頻率高,即使只高一點(diǎn)點(diǎn)。并聯(lián)諧振頻率絕不會低于串聯(lián)諧振頻率。至于哪個(gè)諧振對你更重要,則取決于應(yīng)用。
借助不復(fù)雜的數(shù)學(xué)運(yùn)算,阻抗Z可以表示如下:
圖2:阻抗公式。
串聯(lián)諧振頻率:Fseries = 1/(2 * pi * sqrt(L1 C1))
并聯(lián)諧振頻率:Fparallel = 1/(2 * pi * sqrt(L1 C1 C2 /(C1 + C2)))
圖3:串聯(lián)和并聯(lián)諧振的相對位置。
本文轉(zhuǎn)載自電子技術(shù)設(shè)計(jì)。
推薦閱讀:
特別推薦
- 授權(quán)代理商貿(mào)澤電子供應(yīng)Same Sky多樣化電子元器件
- 使用合適的窗口電壓監(jiān)控器優(yōu)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)
- ADI電機(jī)運(yùn)動控制解決方案 驅(qū)動智能運(yùn)動新時(shí)代
- 倍福推出采用 TwinSAFE SC 技術(shù)的 EtherCAT 端子模塊 EL3453-0090
- TDK推出新的X系列環(huán)保型SMD壓敏電阻
- Vishay 推出新款采用0102、0204和 0207封裝的精密薄膜MELF電阻
- Microchip推出新款交鑰匙電容式觸摸控制器產(chǎn)品 MTCH2120
技術(shù)文章更多>>
- 中微公司成功從美國國防部中國軍事企業(yè)清單中移除
- 華邦電子白皮書:滿足歐盟無線電設(shè)備指令(RED)信息安全標(biāo)準(zhǔn)
- 功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(九)——功率半導(dǎo)體模塊的熱擴(kuò)散
- 準(zhǔn) Z 源逆變器的設(shè)計(jì)
- 第12講:三菱電機(jī)高壓SiC芯片技術(shù)
技術(shù)白皮書下載更多>>
- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車模塊拋負(fù)載的解決方案
- 車用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
熱門搜索
單向可控硅
刀開關(guān)
等離子顯示屏
低頻電感
低通濾波器
低音炮電路
滌綸電容
點(diǎn)膠設(shè)備
電池
電池管理系統(tǒng)
電磁蜂鳴器
電磁兼容
電磁爐危害
電動車
電動工具
電動汽車
電感
電工電路
電機(jī)控制
電解電容
電纜連接器
電力電子
電力繼電器
電力線通信
電流保險(xiǎn)絲
電流表
電流傳感器
電流互感器
電路保護(hù)
電路圖