【導讀】東芝宣布，該公司已基于使用小于當前主流技術(shù)功率的65納米邏輯工藝開發(fā)了閃存嵌入式工藝，以及基于130納米邏輯及模擬電源工藝開發(fā)了單柵非易失性存儲器（NVM）[1]工藝。
將最佳工藝用于不同應(yīng)用將使東芝能夠擴大其在微控制器、無線通信集成電路（IC）、電機控制驅(qū)動器和電源IC等領(lǐng)域的產(chǎn)品陣容。
130納米非易失性存儲器和65納米閃存的樣品出貨計劃分別于2015年第四季度和2016年第二季度啟動。
目前，物聯(lián)網(wǎng)（IoT）市場在部分領(lǐng)域?qū)Φ凸挠兄鴱妱诺男枨?，包括可穿戴和醫(yī)療保健相關(guān)的設(shè)備。作為回應(yīng)，東芝采用了SST[2]的第三代SuperFlash®電池技術(shù)，以及其自有的65納米邏輯工藝技術(shù)。該公司還擁有微調(diào)電路和制造工藝，用于開發(fā)其超低功耗閃存嵌入式邏輯工藝。采用這種工藝的微控制器面向消費和工業(yè)應(yīng)用推出，可將功耗降低至當前主流技術(shù)的約60%。
繼首個系列的微控制器之后，東芝計劃于2016財年推出短距離無線技術(shù)——藍牙低功耗（BLE）產(chǎn)品——的樣品。該公司還計劃將65納米工藝應(yīng)用于其無線通信IC產(chǎn)品系列，包括近場通信（NFC）控制器和非接觸式卡。這些無線通信IC產(chǎn)品系列可優(yōu)化利用低功耗特征。
除了具備低功耗優(yōu)勢外，該加工技術(shù)還有助于縮短開發(fā)時間，因為開發(fā)過程中應(yīng)用軟件能夠輕松寫入和重新寫入閃存。
通過對提供超低功耗的設(shè)備進行工程改造，以進一步促進專門的閃存外圍電路技術(shù)及邏輯和模擬電路技術(shù)的開發(fā)，東芝將滿足市場對低功耗應(yīng)用持續(xù)增長的需求。該公司致力于以50μA/MHz操作為目標降低整個系統(tǒng)的功耗，以及面向物聯(lián)網(wǎng)開發(fā)創(chuàng)新產(chǎn)品。
在關(guān)心成本是否顯著降低的應(yīng)用方面，東芝已開發(fā)了一種NVM嵌入式工藝，這種工藝將YMC[3]的單柵多次編程（MTP）電池應(yīng)用于東芝的130納米邏輯工藝技術(shù)中。
采用針對寫入時間的MTP規(guī)格可改善新工藝的性能，同時將掩膜圖案光刻中增加的步數(shù)限制在三步或更少，甚至為零。
NVM和模擬電路嵌在單一芯片上，可將多芯片系統(tǒng)通常執(zhí)行的多個功能整合。此舉可減少終端數(shù)量，以及實現(xiàn)更小型化封裝。
通過利用MTP來調(diào)整輸出精度，東芝將擴大其在高精度至關(guān)重要的領(lǐng)域的產(chǎn)品陣容，例如電源管理IC。
注：
[1] NVM：非易失性存儲器。
[2] SST：美國超捷半導體。美國微芯科技公司（Microchip Technology Inc.）的全資子公司。
[3] YMC Inc.：億而得微電子公司。一家臺灣的IP開發(fā)公司。
* SuperFlash®是美國微芯科技公司在美國及其他國家的注冊商標。
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