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BLL6H1214-500:NXP L波段雷達應(yīng)用RF輸出功率器件

發(fā)布時間:2008-11-25

產(chǎn)品特性:恩智浦的LDMOS L波段RF功率晶體管

  • 漏極效率大于50%
  • 增益:17dB
  • 達500W的耐用度
  • 無毒封裝、符合ROHS標準

應(yīng)用范圍:

  • L波段雷達應(yīng)用

恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors)擴張其業(yè)界領(lǐng)先的RF Power 晶體管產(chǎn)品線,近日推出最新的針對L波段雷達應(yīng)用的橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor,以下簡稱LDMOS)晶體管,該晶體管在1.2GHz到1.4GHz的頻率之間帶來達500W的突破性的RF輸出功率。

針對大范圍的L波段雷達應(yīng)用,恩智浦的LDMOS L波段RF功率晶體管設(shè)置了新的效率標準(漏極效率大于50%)、增益(17dB)和達500W的耐用度。

恩智浦半導(dǎo)體RF功率產(chǎn)品線全球產(chǎn)品市場經(jīng)理Mark Murphy表示:“作為首個推出L波段和S波段應(yīng)用的LDMOS的公司,恩智浦高效LDMOS RF功率晶體管產(chǎn)品線建立了一個嶄新的業(yè)界標準,為我們的客戶提供市場上表現(xiàn)最優(yōu)異和最耐用的晶體管。RF輸出功率達到500W這個突破,是恩智浦通力合作、貼近客戶需求的結(jié)果,使我們推出了可縮短上市時間的易于進行設(shè)計導(dǎo)入的晶體管。

恩智浦L波段RF晶體管(BLL6H1214-500)的主要表現(xiàn)參數(shù)包括:
 

  • 500W峰值輸出功率(在1.4GHz,100µs脈沖寬度,25%占空比時)
  • 17dB增益
  • 50%漏極效率
  • 更佳耐用度
  • 能夠承受高達5dB的過驅(qū)動能力
  • 更佳脈沖頂降 (低于0.2dB
  • 供電電壓50V
  • 無毒封裝、符合ROHS標準

恩智浦的這款器件結(jié)合了雙極管的功率密度和適用于L波段雷達設(shè)計的LDMOS技術(shù)優(yōu)勢,其環(huán)保的陶瓷封裝,可與BeO封裝互相替代。

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