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便攜式設備充電電路的分立器件保護方案
便攜式電子系統(tǒng)往往需要通過一個墻體適配器(交流-直流轉換子系統(tǒng))利用外部電源為其內部電池充電。如今的電池組大都采用了鋰技術，因為鋰技術能減小便攜式產品的總重量。但另一方面，這種產品必須遵守嚴格的充電規(guī)則。需要注意的是，充電步驟如果出現問題可能會導致鋰離子溫度升高、熱量失控而產生爆...
2008-10-11
墻體適配器 OVP 過壓閾值 AC-DC 啟動器件
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IGBT驅動電路M57962L的剖析
IGBT是一種新型功率器件，即絕緣柵極雙極集體管(Isolated GateBipolar Transistor)，是上世紀末出現的一種復合全控型電壓驅動式電力電子器件。它將GTR和MOSFET的優(yōu)點集于一身：輸入阻抗高，開關頻率高，工作電流大等，在變頻器、開關電源，弧焊電源等領域得到廣泛地應用。M57962L采用+15V、- 10V雙...
2008-10-11
IGBT M57962L 驅動電路 過流檢測
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DC/DC拓撲的分類和選擇標準
為了提高電力電子產品設計者選擇DC/DC拓撲的準確性和快速性，分析了現有市場上主流的通信、電腦用電源中DC/DC的應用特點，從電氣規(guī)格出發(fā)提出了電力電子產品設計中DC/DC變換器的電路拓撲選擇的四大標準。 輸入電壓高低決定是否采用軟開關；輸出電壓高低決定是否采用同步整流；輸入輸出電壓變換范圍...
2008-10-11
直流直流 經典拓撲 選擇標準 DC/DC ZVS
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三端雙向晶閘管的功耗計算和Tjmax預測
三端雙向晶閘管在工作時消耗大量電能，因而其散熱設計非常重要。散熱設計主要涉及到功率、熱阻和溫度升高等幾個計算階段。本文介紹的是設計計算以及設計案例，其數據主要來自實際應用和三端雙向晶閘管的數據表。
2008-10-11
三端雙向晶閘管 vo rs Tjmax
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韓國技術團隊訪問南方芯源
韓國楓葉半導體拜訪南方芯源總經理羅義先生，此次來訪是希望與南方芯源合作，共同開拓中國MOSFET市場。
2008-10-10
MOSFET 楓葉半導體 南方芯源
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PMEG系列：恩智浦FlatPower封裝MEGA Schottky整流器
恩智浦半導體近日宣布推出全新FlatPower封裝的MEGA Schottky整流器，包括SOD123W和SOD128。因為"金屬板綁定"的封裝成果，新的MEGA產品帶來可媲美標準SMA封裝的高功率性能。新產品以其卓越的前向壓降，可以允許50A的峰值電流和高至1W的Ptot功率耗散。
2008-10-10
MEGA Schottky整流器 PMEG2010ER PMEG3010ER PMEG4010ER
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光纖活動連接器等產品新認證標準獲批準
日前，國家認可委員會認可了針對光纖活動連接器、漏泄同軸電纜、地下通信管道用塑料管等多種產品的新認證規(guī)則。據新認證規(guī)則的起草單位工信部電信研究院泰爾認證中心主任袁和國介紹，按照有關要求，原獲證企業(yè)在下次監(jiān)督之前必須滿足新標準要求，泰爾認證中心下次監(jiān)督將按新標準要求進行并增加差異...
2008-10-09
光纖活動連接器 漏泄同軸電纜 測試標準
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估算電感在開關電源中的功耗
開關電源的功耗是多方面的，包括功率MOSFET損耗、輸入/輸出電容損耗、控制器靜態(tài)功耗以及電感損耗。本文主要討論電感損耗。眾所周知，電感損耗包括兩方面：其一是與磁芯相關的損耗，即傳統(tǒng)的鐵損；其二是與電感繞組相關的損耗，即通常所謂的銅損。本文介紹用估算的方法計算電感在開關電源中的功耗。
2008-10-09
功率電感 RDC 趨膚現象 滲透深度
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功率MOSFET驅動器提供了車載照明保護與控制
高壓側前置場 FET 驅動器和功率 FET 組合被廣泛地用于負載控制，這種組合還可能被應用于那些要求通過串行總線通信或者并行輸入控制來實現負載控制的工業(yè)和商業(yè)應用中。將每一個功率 FET 與熱相互作用隔離的這種能力，在那些單通道短路或者熱關閉故障不會中斷其它負載控制通道功能的情況下是非常有好...
2008-10-09
車載照明 FET 螺線管負載 浪涌電流
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