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Si7615DN：Vishay 新型第三代20V P通道功率MOSFET
Vishay Siliconix發(fā)布具有業(yè)界最低導(dǎo)通電阻的新型第三代20V P通道TrenchFET?功率MOSFET
2009-05-14
MOSFET Vishay 導(dǎo)通電阻
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開關(guān)電源原理與設(shè)計(四)
本文介紹反轉(zhuǎn)式串聯(lián)開關(guān)電源的工作原理，反轉(zhuǎn)式串聯(lián)開關(guān)電源儲能電感的計算方法，反轉(zhuǎn)式串聯(lián)開關(guān)電源儲能濾波電容的計算方法。
2009-05-13
開關(guān)電源 反轉(zhuǎn)式串聯(lián)開關(guān) 儲能電感 濾波電容
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開關(guān)電源原理與設(shè)計（三）
本文介紹了串聯(lián)式開關(guān)電源儲能濾波電感的計算方法、串聯(lián)式開關(guān)電源儲能濾波電容的計算方法。
2009-05-12
開關(guān)電源 陶顯芳 儲能濾波電容 儲能濾波電感
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美汽車巨頭加快汽車電池研發(fā)生產(chǎn)及聯(lián)盟步伐
美國汽車電池制造商A123系統(tǒng)公司近日宣布，該公司已成功獲美國通用電氣（GE）公司注資6900萬美元，主要投入研發(fā)與生產(chǎn)汽車鋰電池和電池模塊。此舉顯示美國汽車業(yè)加快向新能源汽車的轉(zhuǎn)型。
2009-05-12
汽車電池 汽車鋰電池 新能源汽車
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醫(yī)療影像設(shè)備高增長 元器件廠商頻利好
即使在全球金融風(fēng)暴的陰霾中，中國醫(yī)療影像設(shè)備市場依然將保持較快增長。
2009-05-12
經(jīng)濟危機 醫(yī)療影像設(shè)備 元器件
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電力電子業(yè)突破技術(shù)瓶頸任重道遠(yuǎn)
近年來，我國電力電子器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)水平不斷提高，應(yīng)用領(lǐng)域日益廣泛，已逐漸成為國民經(jīng)濟發(fā)展中基礎(chǔ)性的支柱產(chǎn)業(yè)之一。隨著電力電子器件產(chǎn)業(yè)日益受到國家的重視，國家對其生產(chǎn)企業(yè)和科研機構(gòu)的扶持力度也在逐步加大。然而，在科研和產(chǎn)業(yè)化不斷取得突破的同時，全行業(yè)仍面臨諸多困難，尤其是關(guān)鍵技術(shù)...
2009-05-12
電力電子 IGBT IGCT 晶閘管 西安電力電子研究所
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三星加緊與中移動談判力爭獲上網(wǎng)本高補貼
記者昨日從三星公司銷售部門人士處獲悉，三星公司正在加緊與中國移動談判，以圖其G3上網(wǎng)本能夠像戴爾、惠普、海爾、同方、聯(lián)想等廠家一樣，獲得高達(dá)2100元的用戶補貼。
2009-05-11
三星 中國移動 G3上網(wǎng)本
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SBR10U200P5：Diodes推出高壓超勢壘整流器第一款器件
Diodes公司推出高壓超勢壘整流器 (Super Barrier Rectifier，簡稱SBR)系列的第一款器件SBR10U200P5。
2009-05-11
整流器 Diodes 功率密度 電源適配器
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IR推出新系列邏輯電平柵極驅(qū)動溝道HEXFET功率MOSFET
國際整流器公司(IR) 推出新系列邏輯電平柵極驅(qū)動溝道HEXFET功率MOSFET。該器件具有基準(zhǔn)通態(tài)電阻 (RDS(on)) 和高封裝電流額定值，適用于高功率DC電機和電動工具、工業(yè)電池及電源應(yīng)用。
2009-05-07
IRLS3034 HEXFET功率MOSFET
- 車輛區(qū)域控制架構(gòu)關(guān)鍵技術(shù)——趨勢篇
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