電動汽車車載充電器(OBC)正經(jīng)歷著飛速的發(fā)展，它使消費者可以在家中、公共充電樁或商業(yè)網(wǎng)點使用交流電源直接為電池充電。為了提高充電速度，OBC功率水平已從3.6kW增加到了22kW，但與此同時，OBC必須安裝在現(xiàn)有機械外殼內(nèi)并且必須始終隨車攜帶，以免影響行駛里程。OBC功率密度最終將從現(xiàn)在的低于2kW/L增加到高于4kW/L。

 

開關頻率的影響

 

OBC本質(zhì)上是一個開關模式的電源轉(zhuǎn)換器。它主要由變壓器、電感器、濾波器和電容器等無源器件以及散熱器組成，這些器件構成了其重量和尺寸的大部分。增加開關頻率需要縮小無源器件尺寸。但是，較高的開關頻率會在功率金屬氧化物半導體(MOSFET)和絕緣柵雙極晶體管等開關元件中造成較高的功耗。

 

縮小尺寸需要進一步降低功率損耗才能保持器件溫度不變，因為縮小尺寸后散熱面積隨之減小。需要同時增加開關頻率和效率才能形成這種更高的功率密度。這帶來了巨大的設計難題，而硅基電源器件很難解決這一難題。

 

增加開關速度（器件端子之間電壓和電流的變化速度）將從根本上減少開關能量損耗。這一過程必不可少，否則實際的最大頻率將受到限制。在端子之間具有較低寄生電容（在低電感電路布線中精心設計）的電源器件便可以順利實現(xiàn)此目的。

 

優(yōu)于硅器件的性能

 

使用寬帶隙半導體，例如氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)構建的電源器件具有獨特的物理特性，可顯著降低電容，同時確保同等的導通電阻和擊穿電壓。更高的擊穿臨界電場（GaN比硅高10倍）和更高的電子遷移率（GaN比硅高33%）可有效實現(xiàn)更低的導通電阻和更低的電容。這樣一來，GaN和SiC FET與硅相比本身就可以在更高的開關速度下工作，并且損耗更低。

 

GaN的優(yōu)勢尤其明顯：

 

●     GaN的低柵極電容可在硬開關期間實現(xiàn)更快的導通和關斷，從而減少了交叉功率損耗。GaN的柵極電荷品質(zhì)因數(shù)為1nC-Ω。

 

●     GaN的低輸出電容可在軟開關期間實現(xiàn)快速的漏源轉(zhuǎn)換，在低負載（磁化）電流下尤其如此。例如，典型 GaN FET的輸出電荷品質(zhì)因數(shù)為5nC-Ω，而硅器件為25nC-Ω。借助這些器件，設計人員可以使用較小的死區(qū)時間和低磁化電流，而它們對于增加頻率和減少循環(huán)功率損耗必不可少。

 

●     與硅和SiC電源MOSFET不同，GaN晶體管結構中本身沒有體二極管，因此沒有反向恢復損耗。這使得圖騰柱無橋功率因數(shù)校正等新型高效架構可以在數(shù)千瓦時變得可行，這在以前使用硅器件時是無法實現(xiàn)的。

 

所有這些優(yōu)點使設計人員能夠使用GaN在更高的開關頻率下實現(xiàn)高效率，如圖1所示。額定電壓為650V的GaN FET可支持最高10kW的應用，例如服務器交流/直流電源、電動汽車高壓直流/直流轉(zhuǎn)換器和OBC（并聯(lián)堆疊可達到22kW）。SiC器件最高可提供1.2kV的電壓，并具有高載流能力，非常適合用于電動汽車牽引逆變器和大型三相電網(wǎng)逆變器。

 

 

圖 1：GaN在支持超高頻應用方面優(yōu)于所有技術

 

高頻設計挑戰(zhàn)

 

在開關頻率達到數(shù)百伏特時，需要對典型的10ns上升和下降時間進行精心設計，以避免寄生電感效應。FET和驅(qū)動器之間的共源電感和柵極回路電感具有以下關鍵影響：

 

●     共源電感限制漏源瞬態(tài)電壓(dV/dt)和瞬態(tài)電流(dI/dt)，從而降低開關速度，增加硬開關期間的重疊損耗和軟開關期間的轉(zhuǎn)換時間。

 

●     柵極回路電感限制柵極電流dI/dt，從而降低開關速度，增加硬開關期間的重疊損耗。其他負面影響包括增加對米勒導通效應的易感性，形成額外功率損耗風險，增加更大程度減小柵極絕緣體電壓過應力的設計難題，如果不適當緩解過應力，則會降低可靠性。

 

這樣一來，工程師可能需要使用鐵氧體磁珠和阻尼電阻，但是這些會降低開關速度并與增加頻率的目標背道而馳。盡管GaN和SiC器件本身就適用于進行高頻工作，但要充分發(fā)揮它們的優(yōu)勢仍需要克服系統(tǒng)級設計難題。如果能夠獲得設計精良的產(chǎn)品，而該產(chǎn)品兼顧了易用性、穩(wěn)定性和設計靈活性的話，則可以加快對該技術的應用。

 

具有集成式驅(qū)動器、保護和功耗管理功能的GaN FET

 

德州儀器(TI)的650V完全集成式汽車類GaN FET具有GaN的高效、高頻開關優(yōu)勢，且沒有相關的設計和器件選擇缺陷。GaN FET和驅(qū)動器緊密集成在低電感四方扁平無引線(QFN)封裝中，大大降低了寄生柵極回路電感，讓設計人員無需擔憂柵極過應力和寄生米勒導通效應，并且共源電感非常低，可實現(xiàn)快速開關，減少損耗。

 

LMG3522R030-Q1 與 C2000™ 實時微控制器中的高級控制功能（如 TMS320F2838x 或 TMS320F28004x相結合，可在功率轉(zhuǎn)換器中實現(xiàn)高于1MHz的開關頻率，與現(xiàn)有的硅和SiC解決方案相比，其磁體尺寸減小了59％。

 

與分立式FET相比，演示中大于100V/ns 的漏源壓擺率可降低67%的開關損耗，而其可調(diào)節(jié)性介于 30-150V/ns之間，可權衡效率與電磁干擾，從而降低下游產(chǎn)品設計風險。集成式電流保護功能確保了穩(wěn)健性，并增加了許多新功能，包括用于管理有源功率的數(shù)字脈寬調(diào)制溫度報告、運行狀況監(jiān)測和理想二極管模式（如 LMG3525R030-Q1 所提供），讓設計人員無需實施自適應死區(qū)時間控制。12mm×12mm的頂部冷卻QFN封裝還可以增強散熱管理。

 

TI GaN器件通過了4,000多萬小時的器件可靠性測試，并且10年壽命的故障率小于1，可滿足汽車制造商所期望的耐用性。TI GaN在普遍可用的硅基板上構建，并使用所有內(nèi)部制造設施的現(xiàn)有工藝節(jié)點制造，與基于SiC或藍寶石基板的其他技術不同，它具有確定的供應鏈和成本優(yōu)勢。在線訪問TI GaN，了解有關汽車類GaN FET的更多信息。

 

 

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