網(wǎng)友熱議:如何提高boost電路的輸出功率?【原創(chuàng)】
發(fā)布時(shí)間:2015-06-23 責(zé)任編輯:sherry
【導(dǎo)讀】網(wǎng)友求助:用LT1243(同UC3843)仿真一個(gè)BOOST升壓電路,要求輸出36V、2A,即額定功率72W,但是仿真的結(jié)果發(fā)現(xiàn),輕載的時(shí)候可以穩(wěn)定輸出36V,重載的時(shí)候輸出電壓無法升壓,而且波形很奇怪,誰能幫分析一下是什么原因該怎么改進(jìn)?
電路圖如下:
輕載1K歐電阻時(shí)輸出電壓波形如下圖所示:
重載18歐(測(cè)試能否達(dá)到額定功率72W)輸出電壓波形如下:
證明無法達(dá)到輸出功率.....
百度說BOOST電路輸出功率是由電感和MOS管決定的,可是修改了相應(yīng)的參數(shù)輸出波形還是和原來的一樣無法重載,不知道怎么解決。
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還有想知道實(shí)際情況下如果拿18歐電阻接入36V的電路可以產(chǎn)生2A的電流,但是這遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過了電阻的額定功率,是不是要用一個(gè)電子負(fù)載來模擬這18歐的電阻呢?我做了一個(gè)簡易的電子負(fù)載,恒流工作模式的,電子負(fù)載電路圖如下:
這個(gè)電子負(fù)載我用DC電源進(jìn)行測(cè)試能否使用,檢測(cè)時(shí)電流能達(dá)到我所設(shè)定的1A、2A的值,但是MOS管很熱,這是因?yàn)楣β蔬^高的原因嗎?怎么解決呢?
最后,加入我的BOOST電路修改后功率能達(dá)到72W能否用這個(gè)我自己制作的電子負(fù)載進(jìn)行測(cè)試呢?
網(wǎng)友討論區(qū):
網(wǎng)友A:多拿幾個(gè)18ohm的電阻做串并聯(lián)就可以,如果太熱,找個(gè)風(fēng)扇吹。功率不能出72W,可能是限流了,減小R1的阻值試試,看看重載是否穩(wěn)定?
網(wǎng)友B:接18歐姆負(fù)載仿真的時(shí)候,COMP端的波形是什么樣子的?還有你輸入20V,采用1歐姆的取樣電阻,取樣電阻也太大了吧?你先換個(gè)0.1歐姆的試試。
網(wǎng)友C:照你的輸出功率,流過MOS管的電流大概在5A以上,請(qǐng)檢查取樣電阻是否滿足要求。
網(wǎng)友D:1. MOS很熱很正常,將散熱器,而且由于功率高達(dá)72W,需要比較大的散熱器
2.一個(gè)簡單的辦法是在MOS管漏極串功率電阻,可以適當(dāng)?shù)慕档蚆OS管的損耗
3.可以使用自己的電子負(fù)載測(cè)試,但是需要考量穩(wěn)定性。
網(wǎng)友E: MOSFET發(fā)熱有很多原因的,例如MOSFET的內(nèi)阻,自身的結(jié)電容等。有很多辦法可以改善的。
1.增大散熱片散熱
2.電感感量增大,降低峰值電流
3.加快MOSFET開關(guān)速度
4.優(yōu)化工作頻率
網(wǎng)友F:當(dāng)然更換MOSFET也是可以的,要選擇那些內(nèi)阻小,結(jié)電容小的MOSFET,一般都是通流能力強(qiáng)的。不是耐壓高的。IGBT適合高壓大電流,不建議使用
網(wǎng)友G:這個(gè)問題好寬泛,對(duì)于controller,功率與外部MOS和芯片驅(qū)動(dòng)能力有關(guān)(可以外加驅(qū)動(dòng)器),對(duì)于convertor與內(nèi)部集成MOS有關(guān)。
網(wǎng)友H:限流了,減小R1的阻值,你更改下你的L1感量。
網(wǎng)友I:重載時(shí)候的波形也是正常的,只是紋波比較大而已,可以優(yōu)化一下電路,適當(dāng)增大電感量和電容量。
大家有什么好的建議,歡迎提出,謝謝!
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