SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望實(shí)現(xiàn)現(xiàn)有Si材料無(wú)法實(shí)現(xiàn)的大幅提高效率及小型化。2012年，這些新一代功率半導(dǎo)體在實(shí)用化方面取得了很大進(jìn)展。其中，應(yīng)用最為活躍的是SiC二極管，已擴(kuò)展到鐵路及工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域。

比如鐵路領(lǐng)域，東京Metro地鐵銀座線(xiàn)的“01系車(chē)輛”配備三菱電機(jī)制造的帶SiC二極管的逆變器裝置，從2012年2月開(kāi)始運(yùn)營(yíng)。

在工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域，富士電機(jī)于2012年9月推出了配備SiC二極管的、可驅(qū)動(dòng)泵機(jī)及風(fēng)扇的逆變器裝置。三菱電機(jī)在對(duì)連接在CNC（數(shù)控裝置）上的機(jī)床馬達(dá)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)及控制的“馬達(dá)驅(qū)動(dòng)裝置”上采用SiC二極管，從2012年12月開(kāi)始銷(xiāo)售。

SiC功率元件的開(kāi)發(fā)也在加快。尤其是功率模塊方面，不斷有新產(chǎn)品亮相。進(jìn)入2012年后，科銳（Cree）、三菱電機(jī)、羅姆均推出了全SiC功率模塊產(chǎn)品。最先行動(dòng)的是羅姆，，科銳及三菱電機(jī)則緊跟其后。三菱電機(jī)早已在自家的逆變器裝置上采用SiC功率模塊，而對(duì)外銷(xiāo)售是從2012年開(kāi)始的。

SiC晶體管方面也有新種類(lèi)的晶體管產(chǎn)品推出，這就是BJT（bipolar junction transistor）。飛兆半導(dǎo)體（Fairchild Semiconductor）宣布，將于2013年上半年開(kāi)始量產(chǎn)BJT。

耐壓600V的GaN產(chǎn)品亮相

GaN功率元件在2012年也有長(zhǎng)足進(jìn)步，已有耐壓600V的GaN功率晶體管產(chǎn)品亮相。以往產(chǎn)品的最大耐壓只有200V。開(kāi)始提供耐壓600V產(chǎn)品的是美國(guó)的TransPhorm公司，該公司的GaN功率晶體管單體為常開(kāi)工作，但通過(guò)在該GaN功率晶體管上級(jí)聯(lián)Si制MOSFET，可實(shí)現(xiàn)常閉工作。

隨著耐壓600V的產(chǎn)品亮相，GaN功率元件在輸出功率為數(shù)kW的功率轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的應(yīng)用也進(jìn)入了實(shí)質(zhì)性階段。實(shí)際上，安川電機(jī)就試制出了使用GaN功率元件的太陽(yáng)能發(fā)電用功率調(diào)節(jié)器，該公司2012年10月宣布，力爭(zhēng)在2014年內(nèi)實(shí)現(xiàn)實(shí)用化。

如上所述， SiC及GaN功率元件的實(shí)用化在2012年取得了長(zhǎng)足進(jìn)步，2013年相關(guān)行動(dòng)將更為活躍。