產品特性：

• 采用TO 無鉛封裝
• 采用擴散焊接黏晶技術
• 提升電性與散熱表現
• 大幅降低封裝的導通電阻值

應用范圍：

• 汽車電子

近日消息，英飛凌科技(Infineon)于日前宣布推出采用 TO 無鉛封裝的汽車電源 MOSFET 系列產品。
　　
OtpiMOS T2 為業(yè)界率先采用 TO 無鉛封裝的車用電源 MOSFET，系列產品包括IPB160N04S4-02D ( 160A， TO-263 封裝)、IPB100N04S4-02D (100A, TO-263)、 IPP100N04S4-03D (100A, TO-220) 以及 IPI100N04S4-03D (100A, TO-262) 皆已上市。
　　
新型 40V OptiMOS T2 MOSFET 結合創(chuàng)新的封裝技術及英飛凌的薄晶圓制程技術。據英飛凌表示，其MOSFET 新系列產品超越了現行歐盟 RoHS 對于含鉛焊錫封裝的規(guī)范。
　　
英飛凌采用擴散焊接黏晶技術所生產的無鉛封裝包括TO-220, TO-262 以及 TO-263。由于封裝幾何方面對于晶粒焊墊厚度與晶片尺寸的特殊要求，現今擴散焊接粘晶技術僅適用于上述三種英飛凌所提供的封裝形式，OptiMOS T2 系列產品的量產已準備就緒。
　　
英飛凌指出，更嚴格的 ELV RoHS 標準可能將于 2014年施行，屆時將要求采用完全無鉛的封裝方式。作為業(yè)界首款無鉛封裝 MOSFET，英飛凌的新產品讓客戶滿足更嚴格的要求。
　　
英飛凌專利的無鉛黏晶 (die attach) 技術采用擴散焊接，可提升電性與散熱表現、可制造性以及品質。此黏晶技術搭配英飛凌的薄晶圓制程(60μm，標準為 175μm)，可實現不使用鉛及其他有毒物質的環(huán)保產品，并大幅降低封裝的導通電阻值 RDS(ON)。
　　
另外，熱阻 (RthJC) 改善率高達 40- 50%。英飛凌表示，傳統(tǒng)軟鉛焊料的熱傳導能力不佳，阻礙了MOSFET 接面之散熱，而新元件則大幅改良了熱阻。其他優(yōu)點還包括：由于沒有焊錫流跡 (Bleed-out) 及晶片傾斜 (Chip tiltness)的問題，以及更收斂的RDS(on) 與 RthJC 分布，提供了更佳的可制造性。降低產品內的機電應力，也提升了產品可靠性和品質。
　　
從新款 OptiMOS T2 40V (如：IPB160N04S4-02D，160A) 的規(guī)格得知，其 RDS(on) 僅 2.0mΩ 且 RthJC 僅 0.9K/W。相較于使用標準鉛焊接的同類產品，其導通電阻降低了約20% 。此外，英飛凌專利的擴散焊接技術可減少「晶片至導線架」的熱阻抗，讓新型 OptiMOS T2 產品擁有同級產品中最佳效能。