產(chǎn)品特性：

• 導(dǎo)通電阻降低至52mΩcm2
• 采用了名為“Natural Super Junction”的新半導(dǎo)體連接技術(shù)
• 通過(guò)控制電極間隔便成功地提高耐壓為9.4kV
• 良好的電氣連接性能

應(yīng)用范圍：

• 消費(fèi)類電器
• 電氣設(shè)備等廣泛領(lǐng)域 

松下電器試制出使用GaN半導(dǎo)體、耐壓為9.4kV，導(dǎo)通電阻降低至52mΩcm2的二極管。而此前產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻為1000mΩcm2。設(shè)想用于工作電壓從數(shù)百伏消費(fèi)類電器和數(shù)kV產(chǎn)業(yè)電氣設(shè)備等廣泛領(lǐng)域。

新產(chǎn)品之所以同時(shí)實(shí)現(xiàn)了高耐壓和低導(dǎo)通電阻，是因?yàn)椴捎昧嗣麨?ldquo;Natural Super Junction”的新半導(dǎo)體連接技術(shù)。通過(guò)連接多個(gè)成分不同的GaN半導(dǎo)體，收到了與硅MOSFET上使用的“超級(jí)結(jié)構(gòu)造”相同的效果。而以往GaN半導(dǎo)體的p型層和n型層的雜質(zhì)濃度以及膜厚的控制需要較高的精度，因此難以使用超級(jí)結(jié)構(gòu)造。

該二極管采用新結(jié)構(gòu)，僅通過(guò)控制電極間隔便成功地提高了耐壓。為降低導(dǎo)通電阻，增加了作為溝道的二維電子氣體層數(shù)。并且利用凹陷結(jié)構(gòu)使溝道暴露，在暴露的區(qū)域形成電極，使全部溝道層獲得良好的電氣連接性能。由此而實(shí)現(xiàn)了耐壓9.4kV，導(dǎo)通電阻52mΩcm2。