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安森美收購California Micro Devices
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)于14日宣布以每股4.7美元，11日收盤價3.05美元溢價54%，總金額1.08億美元現(xiàn)金收購California Micro Devices，強化手機產(chǎn)品線。
2009-12-21
安森美 CMD 手機
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Gartner：硅晶圓市場將復(fù)蘇 2010年增長23%
市場分析機構(gòu)Gartner表示，09年第三季度，全球?qū)杈A需求環(huán)比增長17% ，2009年對全球硅晶圓需求整體下滑幅度好于之前預(yù)期。但預(yù)計2010年第二季度會開始恢復(fù)穩(wěn)步增長，硅晶圓年度增長率將為23.4%。
2009-12-21
硅晶圓 Gartner 復(fù)蘇
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FXO-LC32 系列：FXO推出新款2.5伏XpressO XO LVDS振蕩器
Fox Electronics 最近推出了 FXO-LC32 系列低壓差分信號 (LVDS) 振蕩器，擴充 XpressO XO LVDS 振蕩器系列。新款2.5伏 XpressO 晶體振蕩器采用更小的 3.2mm x 2.5mm 封裝，穩(wěn)定性高達 ±25ppm，擁有業(yè)界標準封裝，包括占用空間(footprint)和腳位(pin-out)。
2009-12-21
FXO-LC32 Fox LVDS 振蕩器 XpressO
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NCV840x：安森美推出符合汽車標準的自保護低端MOSFET驅(qū)動IC
首要高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體推出高度集成保護的NCV840x系列低端自保護MOSFET。這系列器件通過了AEC-Q101標準認證，非常適用于嚴格的汽車及工業(yè)工作環(huán)境中的開關(guān)應(yīng)用。
2009-12-21
安森美 汽車標準 自保護 MOSFET 驅(qū)動IC
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能源革命為微電子產(chǎn)業(yè)提供新機遇
在過去10年中，中國的GDP與能耗基本上是同比例增加的。從單位GDP(國內(nèi)生產(chǎn)總值)的能耗來看，根據(jù)國家統(tǒng)計局提供的數(shù)據(jù)，當前中國1億美元GDP所消耗的能源是12.03萬噸標準煤，大約是日本的7.2倍，是德國的5.62倍，是美國的3.52倍，是印度的1.18倍，是世界平均水平的3.28倍。中國的GDP要趕超美國，如果...
2009-12-21
能源革命 微電子 新機遇 GDP 低能耗
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Sistema稱正與俄羅斯政府攤旁合伙收購英飛凌
12月15日消息，俄羅斯Sistema公司總裁今日表示，公司正在就俄羅斯政府可能收購英飛凌股份一事中成為俄方合作伙伴之一進行談判。英飛凌是德國最大的芯片制造商。
2009-12-21
英飛凌 芯片制造 Sistema 收購
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2010十大科技猜想：超級電容車將面世
美國某雜志網(wǎng)站近日對2010年的科技發(fā)展趨勢進行了分析，并預(yù)測2010年或?qū)⑷〉弥卮笱芯窟M展的十大科技產(chǎn)品或科技概念，其中包括仿人機器人、“超級電容”動力汽車，和直接碳燃料技術(shù)等。
2009-12-21
2010 科技猜想 超級電容車 機器人
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OPA653/OPA659：TI推出業(yè)界速度最快的JFET輸入放大器
德州儀器 (TI) 宣布推出 OPA653 與 OPA659 JFET 輸入運算放大器，其可實現(xiàn)3 倍于同類競爭產(chǎn)品的 2675 V/us 壓擺率，從而可顯著提高脈沖響應(yīng)。
2009-12-21
OPA653 OPA659 TI JFET 放大器
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電子元器件業(yè)景氣期將至 相關(guān)公司擴張產(chǎn)能
電子元器件類上市公司近期的擴張產(chǎn)能動作趨于頻繁。通富微電近日公告，將在未來三年投入10億元進行產(chǎn)能擴張。此前，拓日新能宣布8.5億元在陜西投建光伏電池生產(chǎn)線項目，華天科技董事會審議通過DFN型微小形封裝集成電路生產(chǎn)線技術(shù)改造項目，總投資為2億元。
2009-12-21
電子元器件 景氣期將至 公司擴張 半導(dǎo)體
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