限溫及限流- 靜電放電(ESD)保護
- 低導通阻抗(RDS(ON))值
- −40 °C至150 °C的寬工作溫度范圍
- 非常適用于嚴格的汽車及工業(yè)工作環(huán)境中的開關應用
首要高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體推出高度集成保護的NCV840x系列低端自保護MOSFET。這系列器件通過了AEC-Q101標準認證，非常適用于嚴格的汽車及工業(yè)工作環(huán)境中的開關應用。
NCV8401、NCV8402、NCV8402D(雙裸片)、NCV8403及NCV8404的設計是為了提供強固及可靠的工作，這些器件全都有豐富的自保護特性，包括限溫及限流、靜電放電(ESD)保護，以及用于過壓保護(OVP)的集成漏極至柵極鉗位。
安森美半導體汽車電源產(chǎn)品總監(jiān)Jim Alvenaz說：“汽車中的電子成分持續(xù)增加，需要提供能幫助減少元器件數(shù)量及節(jié)省珍貴電路板空間的半導體方案。安森美半導體的NCV840x系列幫助設計人員達到這些目的，提供強固的系統(tǒng)設計足以配合汽車嚴峻的應用環(huán)境。”
特性及優(yōu)勢
NCV840x驅動器能用于多種電阻型、電感型及電容型負載的開關，使設計人員能夠以更緊湊、更強固及工作壽命更長的另一選擇，替代機電式繼電器或分立電路。所有這些器件都提供邏輯電平輸入。
NCV8401、NCV8402D及NCV8403的額定漏極至源極電壓(VDSS)為42伏特(V)，最大漏極電流(ID)分別為33安培(A)、2 A和15 A。NCV8405的VDSS為40 V，最大額定ID為6 A。所有這些器件的柵極至源極電壓(VGS)為±14 V。
這新系列的所有器件均提供低導通阻抗(RDS(ON))值，幫助實現(xiàn)更高能效的系統(tǒng)設計。NCV8401、NCV8402D、NCV8403及NCV8405在10 V的RDS(ON)值分別為23毫歐(mΩ)、165 mΩ、53 mΩ和90 mΩ。
這些器件都提供−40 °C至150 °C的寬工作溫度范圍及高靜電抑制等級(25°C結溫時為4,000 V)。當VGS為5 V及10 V時，關閉溫度限制分別設定在175?C及165?C。
封裝及價格
NCV840x器件采用無鉛SOT-223、DPAK及SOIC8封裝，批量每1,000片的單價介于0.25美元至0.58美元之間。
