你的位置:首頁(yè) > 測(cè)試測(cè)量 > 正文
手機(jī)內(nèi)存你真的懂嗎?手機(jī)內(nèi)存被充分利用沒(méi)?
發(fā)布時(shí)間:2015-01-24 責(zé)任編輯:sherryyu
【導(dǎo)讀】我們?cè)谔暨x手機(jī)時(shí)也會(huì)不自覺(jué)的主要關(guān)注自己感興趣的點(diǎn)。像屏幕、處理器、電池容量、攝像頭都是大家所關(guān)注的,手機(jī)內(nèi)存也是一個(gè)參考,那是不是數(shù)值越大越好?肯定不是,其實(shí)手機(jī)內(nèi)存中還有很多門(mén)道,下面就聽(tīng)小編給大家慢慢道來(lái)。
經(jīng)常關(guān)注手機(jī)圈的朋友都會(huì)對(duì)智能手機(jī)有著自己的傾向,這也是根據(jù)不同需求而定的,人們?cè)谔暨x手機(jī)時(shí)也會(huì)不自覺(jué)的主要關(guān)注自己感興趣的點(diǎn)。像屏幕、處理器、電池容量、攝像頭都是大家所關(guān)注的,作為硬件配置中“百搭”般的存在,內(nèi)存也是非常重要的。手機(jī)中的內(nèi)存相當(dāng)于PC上的內(nèi)存+硬盤(pán),運(yùn)行內(nèi)存就是PC上的內(nèi)存,內(nèi)置存儲(chǔ)就是硬盤(pán)了,其功能特性也是和PC大同小異。
簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō),不論是運(yùn)行內(nèi)存還是內(nèi)置存儲(chǔ),不出意外都是數(shù)值越大越好。當(dāng)然了,如果僅僅是這樣,那這篇文章也沒(méi)有寫(xiě)的意義,直接比數(shù)字就好了。其實(shí)手機(jī)內(nèi)存中還有很多門(mén)道,下面就聽(tīng)筆者給大家慢慢道來(lái)。
手機(jī)內(nèi)存之運(yùn)行內(nèi)存(一)
隨著對(duì)智能手機(jī)的研究也來(lái)越深入,我們可以發(fā)現(xiàn)它的內(nèi)部構(gòu)成和PC是出奇的一致。處理器是整個(gè)設(shè)備的核心,它能夠起到統(tǒng)籌全局的作用。內(nèi)存(手機(jī)的運(yùn)行內(nèi)存)則是與CPU進(jìn)行溝通的橋梁,手機(jī)中所有程序的運(yùn)行都是在內(nèi)存中進(jìn)行的,因此內(nèi)存的性能對(duì)手機(jī)的影響非常大。
手機(jī)內(nèi)存的各項(xiàng)參數(shù)也和PC基本保持一致,除了大家熟知內(nèi)存容量之外,內(nèi)存還受到很多參數(shù)影響,比如說(shuō)帶寬、時(shí)序、內(nèi)存技術(shù)等等。目前在手機(jī)端主流內(nèi)存技術(shù)是LPDDR3。
LPDDR3重點(diǎn)加入了新技術(shù):
Write-Leveling and CA Training(寫(xiě)入均衡與指令地址調(diào)馴):可讓內(nèi)存控制器補(bǔ)償信號(hào)偏差,確保內(nèi)存運(yùn)行于業(yè)內(nèi)最快輸入總線速度的同時(shí),維持?jǐn)?shù)據(jù)輸入設(shè)定、指令與地址輸入時(shí)序均滿足需求。
On Die Termination(片內(nèi)終結(jié)器/ODT):可選技術(shù),為L(zhǎng)PDDR3數(shù)據(jù)平面增加一個(gè)輕量級(jí)終結(jié)器,改進(jìn)高速信號(hào)傳輸,并盡可能降低對(duì)功耗、系統(tǒng)操作和針腳計(jì)數(shù)的影響。
LPDDR3技術(shù)
相比LPDDR2而言,第三代低功耗內(nèi)存技術(shù)在保障低功耗的同時(shí)又提高的整體性能,可以說(shuō)是全面秒殺前代產(chǎn)品,而隨著未來(lái)LPDDR4的發(fā)布,LPDDR3也面臨著被秒殺的命運(yùn)。
[page]內(nèi)存帶寬的優(yōu)點(diǎn)
其實(shí)即便是采用相同的LPDDR3技術(shù),內(nèi)存的性能也會(huì)有所不同,因?yàn)檫€有帶寬等因素控制。如果內(nèi)存的容量決定“倉(cāng)庫(kù)”的大小,那么內(nèi)存的帶寬決定“橋梁”的寬窄。很顯然,在容量沒(méi)有達(dá)到飽和的情況下,帶寬是影響傳輸效率的最主要因素,影響程度已經(jīng)超越了內(nèi)存容量。
手機(jī)內(nèi)存之運(yùn)行內(nèi)存(二)
我們都知道,電子設(shè)備都要牽扯到一個(gè)叫做延遲的概念,在內(nèi)存身上就是時(shí)序,也可以稱之為CL延遲,CL是CASLatency的縮寫(xiě),指的是內(nèi)存存取數(shù)據(jù)所需的延遲時(shí)間,簡(jiǎn)單的說(shuō),就是內(nèi)存接到CPU的指令后的反應(yīng)速度。一般的參數(shù)值是2和3兩種。數(shù)字越小,代表反應(yīng)所需的時(shí)間越短。
通常情況下,我們用4個(gè)連著的阿拉伯?dāng)?shù)字來(lái)表示一個(gè)內(nèi)存延遲,例如2-2-2-5。其中,第一個(gè)數(shù)字最為重要,它表示的是CASLatency,也就是內(nèi)存存取數(shù)據(jù)所需的延遲時(shí)間。第二個(gè)數(shù)字表示的是RAS-CAS延遲,接下來(lái)的兩個(gè)數(shù)字分別表示的是RAS預(yù)充電時(shí)間和Act-to-Precharge延遲。而第四個(gè)數(shù)字一般而言是它們中間最大的一個(gè)。
綜合這三點(diǎn)來(lái)看手機(jī)內(nèi)存,你就會(huì)有更深一層的認(rèn)識(shí),盲目的追求所謂的大內(nèi)存很多時(shí)候是沒(méi)用的,當(dāng)內(nèi)存資源充足的時(shí)候,內(nèi)存技術(shù)、帶寬、CL延遲才是影響手機(jī)流暢與否的決定性因素。
[page]1GB運(yùn)存很吃緊
不過(guò)話說(shuō)回來(lái),對(duì)于內(nèi)存占用率較高的Android手機(jī)而言,1GB容量只能算是及格,隨便用用就會(huì)占用85%以上的空間,如果內(nèi)存容量被占滿的話,手機(jī)流暢度會(huì)大打折扣。所以就目前來(lái)看,2GB容量運(yùn)存是一個(gè)比較合理的數(shù)值,不至于被占滿也不至于太浪費(fèi)。
手機(jī)內(nèi)存之內(nèi)置存儲(chǔ)
除了運(yùn)行內(nèi)存之外,手機(jī)內(nèi)存還有另一部分,那就是內(nèi)置存儲(chǔ),它的作用就相當(dāng)于PC上的硬盤(pán)。相比內(nèi)存這個(gè)斷電就清空數(shù)據(jù)隨機(jī)存儲(chǔ)器而言,它的優(yōu)勢(shì)就在于即使機(jī)器停電,這些數(shù)據(jù)也不會(huì)丟失,理論上可以實(shí)現(xiàn)永久保存,但速度是遠(yuǎn)遠(yuǎn)比不上運(yùn)行內(nèi)存的,所以用于平常存儲(chǔ)數(shù)據(jù)使用。
從形態(tài)來(lái)看,手機(jī)上的“硬盤(pán)”相當(dāng)于是固態(tài)硬盤(pán),因?yàn)樗闹黧w就是一塊存儲(chǔ)芯片,并不存在像機(jī)械硬盤(pán)那也的結(jié)構(gòu)。事實(shí)上,手機(jī)也不允許有這樣的設(shè)計(jì),畢竟體積在那擺著呢。
最后有一點(diǎn)還是要科普一下的,那就是內(nèi)存數(shù)值的問(wèn)題。很多人都在問(wèn),為什么明明是2GB運(yùn)存,確實(shí)際可用1GB出頭?明明是16GB存儲(chǔ)空間,實(shí)際可用也就12GB左右。導(dǎo)致這個(gè)問(wèn)題的其中一個(gè)原因是換算標(biāo)準(zhǔn)上的不同,電子設(shè)備計(jì)算容量都是按1024計(jì)算的的,比如1GB=1024MB,1MB=1024KB。而我們?nèi)藶橛?jì)算就以1000計(jì)算,廠商宣傳也是按這個(gè)數(shù)值,所有積少成多就有所差距了。
另一個(gè)原因就是初始占用的問(wèn)題了,對(duì)于智能手機(jī)上內(nèi)置存儲(chǔ)而言,像操作系統(tǒng),一些內(nèi)置軟件等信息都是存儲(chǔ)其中的,這些數(shù)據(jù)都是死的不可變動(dòng)的,所以它們會(huì)占用掉一些空間,從而讓我們總是用空間降低。
而對(duì)于運(yùn)行內(nèi)存方面,Android系統(tǒng)中有一個(gè)概念叫做服務(wù),很多系統(tǒng)級(jí)功能都是需要建立在服務(wù)開(kāi)啟的基礎(chǔ)上才能夠?qū)崿F(xiàn)的,而服務(wù)占用的資源就是運(yùn)行內(nèi)存了,而且很多服務(wù)都是開(kāi)機(jī)自啟動(dòng)的,所以運(yùn)行內(nèi)存不自然的就少了很多了。
總結(jié):
了解完手機(jī)內(nèi)存的知識(shí)之后,相信很多人都了解了如何合理的利用內(nèi)存,如何合理的選擇適合自己的手機(jī)。如果你是一個(gè)智能機(jī)輕度用戶,基本上1GB運(yùn)存已經(jīng)足夠了,畢竟現(xiàn)在已經(jīng)普及了LPDDR3內(nèi)存技術(shù)。如果你是一個(gè)中度或重度的發(fā)燒友的話,基本上2GB運(yùn)存也已經(jīng)足夠,手機(jī)流暢與否還是要看CL延遲和帶寬,這兩個(gè)參數(shù)OK了才行。而對(duì)于內(nèi)置存儲(chǔ)的需求就因人而異了,原則上是越大越好。
特別推薦
- 授權(quán)代理商貿(mào)澤電子供應(yīng)Same Sky多樣化電子元器件
- 使用合適的窗口電壓監(jiān)控器優(yōu)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)
- ADI電機(jī)運(yùn)動(dòng)控制解決方案 驅(qū)動(dòng)智能運(yùn)動(dòng)新時(shí)代
- 倍福推出采用 TwinSAFE SC 技術(shù)的 EtherCAT 端子模塊 EL3453-0090
- TDK推出新的X系列環(huán)保型SMD壓敏電阻
- Vishay 推出新款采用0102、0204和 0207封裝的精密薄膜MELF電阻
- Microchip推出新款交鑰匙電容式觸摸控制器產(chǎn)品 MTCH2120
技術(shù)文章更多>>
- 中微公司成功從美國(guó)國(guó)防部中國(guó)軍事企業(yè)清單中移除
- 華邦電子白皮書(shū):滿足歐盟無(wú)線電設(shè)備指令(RED)信息安全標(biāo)準(zhǔn)
- 功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(九)——功率半導(dǎo)體模塊的熱擴(kuò)散
- 準(zhǔn) Z 源逆變器的設(shè)計(jì)
- 第12講:三菱電機(jī)高壓SiC芯片技術(shù)
技術(shù)白皮書(shū)下載更多>>
- 車(chē)規(guī)與基于V2X的車(chē)輛協(xié)同主動(dòng)避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車(chē)安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車(chē)模塊拋負(fù)載的解決方案
- 車(chē)用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
熱門(mén)搜索
單向可控硅
刀開(kāi)關(guān)
等離子顯示屏
低頻電感
低通濾波器
低音炮電路
滌綸電容
點(diǎn)膠設(shè)備
電池
電池管理系統(tǒng)
電磁蜂鳴器
電磁兼容
電磁爐危害
電動(dòng)車(chē)
電動(dòng)工具
電動(dòng)汽車(chē)
電感
電工電路
電機(jī)控制
電解電容
電纜連接器
電力電子
電力繼電器
電力線通信
電流保險(xiǎn)絲
電流表
電流傳感器
電流互感器
電路保護(hù)
電路圖