產(chǎn)品特性：
- RF8P20160HSR3，37W的平均射頻輸出功率
- RF8P20160HSR3，45.8 % 的能量轉(zhuǎn)換效率
- MRF8P20100HSR3，20W的平均射頻輸出功率
- MRF8P20100HSR3，44.3 % 的能量轉(zhuǎn)換效率
- 提供對(duì)寬帶的固有支持
- 用于支持TD-SCDMA的運(yùn)行
飛思卡爾半導(dǎo)體公司今天推出兩款LDMOS射頻功率晶體管。在中國(guó)，時(shí)分同步碼分多址存?。═D-SCDMA）無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò)被廣泛應(yīng)用，而這些射頻功率晶體管已經(jīng)專(zhuān)為服務(wù)于上述網(wǎng)絡(luò)的基站中所使用的功率放大器進(jìn)行了優(yōu)化。 這些先進(jìn)的器件是專(zhuān)為T(mén)D-SCDMA 設(shè)計(jì)的飛思卡爾LDMOS 功率晶體管系列中的最新產(chǎn)品，而TD-SCDMA在業(yè)界被廣泛部署。
TD-SCDMA是在中國(guó)開(kāi)發(fā)的第三代無(wú)線(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)，由中國(guó)最大的無(wú)線(xiàn)通信運(yùn)營(yíng)商使用。根據(jù) TD-SCDMA 論壇，將近770萬(wàn)用戶(hù)（約為全國(guó) 3G用戶(hù)的43%）通過(guò)TD-SCDMA網(wǎng)絡(luò)接受服務(wù)。
MRF8P20160HSR3晶體管和MRF8P20100HSR3器件均采用飛思卡爾最新的高壓第八代（HV8）LDMOS技術(shù)，它提供的性能水平位居業(yè)界最高行列。 兩個(gè)器件都提供對(duì)寬帶的固有支持，所以能夠在專(zhuān)為T(mén)D-SCDMA的運(yùn)行而分配的兩個(gè)頻帶(1880-1920 MHz 及 2010-2025 MHz）上提供它們的額定性能，這讓一個(gè)單獨(dú)的器件能夠?yàn)閮蓚€(gè)頻帶提供服務(wù)。
TD-SCDMA基站中的放大器均采用Doherty 架構(gòu)，該架構(gòu)包含兩個(gè)放大器，它們共同提供所有的運(yùn)行條件。這通常要求在載波以及功率放大器的末級(jí)功峰值路徑中配置單獨(dú)的RF功率晶體管。然而，飛思卡爾的LDMOS 晶體管均采用“雙路徑”設(shè)計(jì)，其中，Doherty末級(jí)放大器的實(shí)施所要求的兩個(gè)放大器被集成在一個(gè)單獨(dú)的封裝內(nèi)。這將把所需設(shè)備的數(shù)量減少一半。這些優(yōu)勢(shì)，加上高增益、高效率及低功耗，能夠降低TD-SCDMA放大器的生產(chǎn)成本、減少所需的組件并降低放大器的復(fù)雜度。
兩款器件的工作電壓均為26-32V，能在32V直流電源下處理的電壓駐波比為10:1，它們?cè)谠O(shè)計(jì)上是為了與數(shù)字預(yù)失真誤差校正電路一起使用。它們?cè)趦?nèi)部構(gòu)造上互相匹配，采用氣腔陶瓷封裝，也可提供膠帶和卷軸式封裝。這些器件還包含保護(hù)措施，防止在裝配線(xiàn)上遇到靜電釋放影響。靜電釋放保護(hù)也使門(mén)電壓在-6V和+10V 之間寬幅波動(dòng)，從而提高了高效模式（如C級(jí)模式）下運(yùn)行的性能。
這些先進(jìn)的器件已成為飛思卡爾現(xiàn)有的LDMOS射頻功率放大器陣營(yíng)中的成員，用于支持TD-SCDMA的運(yùn)行，其中包括MRF7P20040H LDMOS FET和MD7IC2050N多級(jí)集成功率放大器集成電路，每個(gè)器件均可在兩個(gè)TD-SCDMA頻帶上交付10W的平均功率。
