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測試SDRAM控制器的PDMA
現(xiàn)代電子信息設(shè)備往往需要保存和處理大量的數(shù)字信息，一個高性能的Memory控制器可以大大提高系統(tǒng)的性能。在進行SDRAM控制器的設(shè)計時，需要考慮很多因素，設(shè)計完成以后還要進行多項測試看是否完全滿足所要求的各項性能，為此我們設(shè)計了一個PDMA（Programmable Direct Mem o ry Access）用于測試SDRAM...
2012-01-06
SDRAM控制器 PDMA RTL仿真 PCI
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超高頻RFID的電磁兼容性分析
本文對目前中國已經(jīng)頒布應(yīng)用許可的840~845 MHz頻段和920~925 MHz頻段的RFID應(yīng)用[4]與相鄰頻段上其它無線通信系統(tǒng)的電磁兼容性進行了研究，并進行了實際測試。
2012-01-05
RFID 電磁兼容 EMC 射頻識別
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探討DSP設(shè)計的電磁兼容性問題
隨著DSP運算速度的提高，能夠?qū)崟r處理的信號帶寬也大大增加，它的研究重點也轉(zhuǎn)到了高速、實時應(yīng)用方面。但正是這樣，它的電磁兼容性問題也就越來越突出了，本文在DSP的電磁兼容性問題方面進行了一些探討。
2011-12-30
DSP 電磁兼容 EMC EMI 干擾
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跟名家學(xué)電磁兼容——標(biāo)準(zhǔn)、設(shè)計、故障分析
本期專題邀請到EMC/EMI領(lǐng)域的資深專家，從前期需要了解的電磁兼容國家新老標(biāo)準(zhǔn)的差異化解讀、電子產(chǎn)品EMC的工程設(shè)計、關(guān)鍵電子元件電磁兼容性能提升，到后期產(chǎn)品認(rèn)證面臨電磁騷擾問題的故障點定位分析，系統(tǒng)的幫助工程師快速完成從電磁兼容的標(biāo)準(zhǔn)了解、設(shè)計、故障分析及整改到最后通過測試獲得EMC測...
2011-12-24
電磁兼容 EMC EMI
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電磁兼容與 EMI抑制器件技術(shù)
開關(guān)電源三高一低的發(fā)展趨勢，使EMI濾波器面臨著持續(xù)改進壓力！本文介紹EMI濾波器的常見問題、發(fā)展趨勢及改善EMI濾波器性能的辦法；從濾波器L/C器件性能影響因素、L磁飽和/頻率的影響、 LC溫度的影響、濾波器L/C器件雜散耦合的影響、寄生參數(shù)/耦合的抑制五大方面分析無源EMI濾波器高頻性能的改善方...
2011-12-23
EMI濾波器 EMI EMI濾波器小型化設(shè)計
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電壓暫降、短時中斷和電壓變化抗擾度試驗
本文說明了在電壓暫降、短時中斷和電壓變化抗擾度試驗標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行中可能遇到的幾個問題。
2011-12-23
電壓暫降 短時中斷 電壓變化抗擾度試驗
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浪涌抗擾度試驗
本文對浪涌抗擾度試驗中新老標(biāo)準(zhǔn)的差異化進行解讀，內(nèi)容包括電源線耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)EUT端口的電壓波形和電流波形的要求、用在互連線試驗上的耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)、針對高速通信線路的耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)、新版標(biāo)準(zhǔn)中增加了對金屬接地參考平板的要求，并對于標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行中可能遇到安裝浪涌測試設(shè)備后實驗室的跳閘問題...
2011-12-23
浪涌 浪涌抗擾度 浪涌抗擾度試驗
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脈沖群抗擾度試驗
脈沖群抗擾度試驗包括以下幾方面的內(nèi)容：脈沖群發(fā)生器的特性參數(shù)、耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)、實驗室型式試驗的配置、試驗方法。
2011-12-22
脈沖群 脈沖群抗擾度 脈沖群抗擾度試驗
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射頻輻射電磁場抗擾度試驗
在新版標(biāo)準(zhǔn)里對試驗的嚴(yán)酷等級分為一般試驗等級和針對數(shù)字無線電話的射頻輻射而設(shè)定的試驗等級。
2011-12-22
射頻輻射 射頻輻射電磁場抗擾度 抗干擾度標(biāo)準(zhǔn)
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