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AN90039用于汽車(chē)以太網(wǎng)應(yīng)用的ESD保護(hù)器件（100Base-T1、1000Base-T1）（下）
本應(yīng)用筆記介紹適用于 100BASE-T1 和 1000BASE-T1 的現(xiàn)代半導(dǎo)體 ESD 保護(hù)器件的特性。ESD 保護(hù)器件的作用是實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健的系統(tǒng)，使系統(tǒng)能夠承受破壞性的 ESD 事件并提供更高的EMC性能。本文提供了使用共模扼流圈（CMC）來(lái)增強(qiáng)這種耐受性的建議。
2023-06-09
AN90039 汽車(chē)以太網(wǎng) ESD保護(hù)
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幾種紅外LED反向擊穿類(lèi)型
根據(jù) Using LED as a Single Photon Detector[1] 所介紹的紅色LED的單光子雪崩反向擊穿電流效應(yīng)， ?在博文 測(cè)試一些LED的反向擊穿過(guò)程中的單光子現(xiàn)象[2] 中對(duì)于手邊的幾種LED進(jìn)行測(cè)試，?發(fā)現(xiàn)只有兩款紅外LED可以出現(xiàn)反向雪崩擊穿現(xiàn)象，其它LED都沒(méi)有這種情況。?對(duì)于同一種紅外LED，經(jīng)過(guò)測(cè)試發(fā)現(xiàn)...
2023-06-08
LED 反向擊穿
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汽車(chē)LiDAR GaN的Design Win——高效功率轉(zhuǎn)換引領(lǐng)市場(chǎng)
光探測(cè)與測(cè)距(LiDAR)是一項(xiàng)具有巨大發(fā)展?jié)摿Φ募夹g(shù)。首個(gè)概念是在激光發(fā)明后不久的20世紀(jì)60年代提出的，隨后在測(cè)量，航空航天和自動(dòng)駕駛汽車(chē)方面的機(jī)會(huì)真正推動(dòng)了增長(zhǎng)。
2023-06-06
汽車(chē) LiDAR GaN 功率轉(zhuǎn)換
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推挽電路的坑，你踩過(guò)沒(méi)？
在做信號(hào)控制以及驅(qū)動(dòng)時(shí)，為了加快控制速度，經(jīng)常要使用推挽電路。推挽電路可以由兩種結(jié)構(gòu)組成：上P下N，上N下P。其原理圖分別如下所示。
2023-06-06
推挽電路 信號(hào)控制
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三種主要電機(jī)的實(shí)物結(jié)構(gòu)及其應(yīng)用電路
雖然“電機(jī)的種類(lèi)”這幾個(gè)字說(shuō)起來(lái)簡(jiǎn)單，但隨著技術(shù)的發(fā)展，電機(jī)已經(jīng)變得越來(lái)越多樣化，因此分類(lèi)方法也呈現(xiàn)多樣化趨勢(shì)，可以根據(jù)電源種類(lèi)、產(chǎn)生轉(zhuǎn)矩的原理、電機(jī)結(jié)構(gòu)以及應(yīng)用領(lǐng)域等進(jìn)行分類(lèi)。
2023-06-02
電機(jī) 應(yīng)用電路
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使用示波器測(cè)量電源的控制環(huán)路響應(yīng)
雖然可以使用專(zhuān)用設(shè)備執(zhí)行頻率響應(yīng)分析，但也可以使用較新的 示波器 來(lái)測(cè)量電源控制環(huán)路的響應(yīng)。使用示波器、信號(hào)源和自動(dòng)化軟件，可以快速進(jìn)行測(cè)量并以熟悉的波德圖呈現(xiàn)。這使得評(píng)估裕量并將電路性能與模型進(jìn)行比較變得容易。波德圖通過(guò)兩個(gè)圖繪制系統(tǒng)的頻率響應(yīng)——幅值圖和相位圖（以度為單位的相...
2023-06-02
示波器測(cè)量 電源 控制環(huán)路響應(yīng)
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運(yùn)算放大器參數(shù)測(cè)試有哪些方法？
一款單個(gè)測(cè)試電路可“執(zhí)行對(duì)任何運(yùn)算放大器全面檢查所需的所有標(biāo)準(zhǔn)DC測(cè)試”。單個(gè)測(cè)試電路在那個(gè)時(shí)候可能夠用，但今天并非如此，因?yàn)楝F(xiàn)代運(yùn)算放大器具有更全面的規(guī)范。因此，單個(gè)測(cè)試電路不再包攬所有DC測(cè)試。
2023-06-02
運(yùn)算放大器 參數(shù)測(cè)試
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OBD-II 系統(tǒng)的 ESD 防護(hù)（下）
本文為OBD-II系統(tǒng)ESD保護(hù)系列文章的下篇。在前文《OBD-II系統(tǒng)的ESD防護(hù)（上）》中，我們已詳細(xì)介紹了OBD-II端口及其支持的協(xié)議。
2023-06-01
OBD-II系統(tǒng) ESD防護(hù)
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SiC 和 GaN 功率器件的可靠性和質(zhì)量要求
在 SiC 方面，GeneSiC 使用溝槽輔助平面柵極工藝流程，確保可靠的柵極氧化物和具有較低傳導(dǎo)損耗的器件。測(cè)試表明，在 150-kHz、1,200-V、7.5-kW DC/DC 轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中，溫度較低的器件運(yùn)行溫度約為 25°C。據(jù)估計(jì)，這種溫差可將器件壽命提高 3 倍。該公司對(duì)其 SiC 產(chǎn)品進(jìn)行了 100% 的雪崩測(cè)試，其示例...
2023-05-31
SiC 功率器件 GaN 功率器件
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