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SiC MOSFET替代Si MOSFET,只有單電源正電壓時如何實現(xiàn)負壓？
現(xiàn)代工業(yè)對電力電子設備提出了很多要求：體積小、重量輕、功率大、發(fā)熱少。面對這些要求，Si MOSFET因Si材料自身的限制而一籌莫展。SiC MOSFET因SiC材料的先天優(yōu)勢開始大顯神通。SiC MOSFET大規(guī)模商用唯一的缺點就是價格。
2021-12-07
SiC MOSFET 單電源正電壓 Si MOSFET
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優(yōu)化信號鏈的電源系統(tǒng) — 第3部分：RF收發(fā)器
本文重點關注信號鏈的另一部分——RF收發(fā)器。本文將探討器件對來自各電源軌的噪聲的敏感度，確定哪些器件需要額外的噪聲濾波。本文提供了一種優(yōu)化的電源解決方案，并通過將其SFDR和相位噪聲性能與當前PDN（當連接到RF收發(fā)器時）進行比較來進一步驗證。
2021-12-07
信號鏈 電源系統(tǒng) RF收發(fā)器
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第13屆年度DigiWish如愿以償活動和節(jié)日禮物指南如期而至，Digi-Key請您查收！
Digi-Key推出其第 13 屆年度 DigiWish 如愿以償活動和 2021 年節(jié)日禮物指南。節(jié)日將近，Digi-Key 正在幫助 24 位幸運的獲獎者盡早將項目從他們的愿望清單中劃掉，這些贈品將在全球范激發(fā)許多新的創(chuàng)新，這是本司激勵和支持工程師并實現(xiàn)全球創(chuàng)新的持續(xù)使命的一部分。
2021-12-03
Digi-Key DigiWish 節(jié)日禮物指南
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2022第十二屆亞太國際電源產(chǎn)品及技術展覽會
十三五期間，中國電源產(chǎn)業(yè)發(fā)展態(tài)勢良好，2016年中國電源市場規(guī)模首次突破2000億大關，達2056億元，同比增長6.9%，2018年，中國電源市場的規(guī)模達到2459億元，同比增長5.95%，并預計到2023年，其市場規(guī)模將增至4221億元。隨著LED照明、分布式光伏、風能、充電樁、云計算、大數(shù)據(jù)、智慧城市的興起與繁...
2021-12-02
亞太國際電源產(chǎn)品技術展覽會 風能 充電樁 云計算
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GDDR6給FPGA帶來的大帶寬存儲優(yōu)勢以及性能測試
隨著互聯(lián)網(wǎng)時代的到來，人類所產(chǎn)生的數(shù)據(jù)發(fā)生了前所未有的、爆炸性的增長。IDC預測，全球數(shù)據(jù)總量將從2019年的45ZB增長到2025年的175ZB[1]。同時，全球數(shù)據(jù)中近30%將需要實時處理，因而帶來了對FPGA等硬件數(shù)據(jù)處理加速器的需求。如圖1所示。
2021-12-02
GDDR6 FPGA 存儲優(yōu)勢
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I2C通信協(xié)議：了解I2C Primer、 PMBus和SMBus
I2C，即Inter-Integrated Circuit，是一種常用的串行通信協(xié)議，用于在器件之間——特別是兩個或兩個以上不同電路之間建立通信。I2C Primer是最常用的I2C。本文將介紹I2C Primer的基本特性和標準，并重點說明在通信實現(xiàn)過程中如何正確使用該協(xié)議。從I2C的基本原理出發(fā)，我們將介紹其變體子集——系統(tǒng)管理...
2021-12-02
wenwei
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貿(mào)澤電子攜手Bourns推出全新電子書探討浪涌保護技術的設計挑戰(zhàn)
專注于引入新品推動行業(yè)創(chuàng)新的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子宣布與知名電子元器件制造商和供應商Bourns聯(lián)手推出全新電子書《How to Choose the Right Surge Protection Technology》（如何選擇合適的浪涌保護技術）。在該書中，Bourns和其他知名公司的行業(yè)專家就一些常見問題提供了見解，包括涵蓋浪涌保...
2021-11-30
貿(mào)澤電子 Bourns 浪涌保護技術
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低壓差穩(wěn)壓器LDO的基本原理與主要參數(shù)
取樣電壓加在比較器A的同相輸入端，與加在反相輸入端的基準電壓Uref相比較，兩者的差值經(jīng)放大器A放大后，控制串聯(lián)調(diào)整管的壓降，從而穩(wěn)定輸出電壓。
2021-11-29
低壓差穩(wěn)壓器LDO
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MOSFET性能改進：RDS(ON)的決定因素
許多中高壓MOSFET（250V及以上）具有平面MOS（π-MOS）結構，而小于200V的產(chǎn)品大多具有溝槽MOS（U-MOS）結構。因此，當耐受電壓VDSS＝600V時，Rdrift成為主導因素，當耐受電壓是30V時，因素Rch的比例較高。
2021-11-29
MOSFET RDS
- 車用開關電源的開關頻率定多高才不影響EMC？
- 大聯(lián)大世平集團的駕駛員監(jiān)控系統(tǒng)（DMS）方案榮獲第六屆“金輯獎之最佳技術實踐應用”獎
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