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艾?；赥I AM625的HMI應(yīng)用方案SEED-AM625 Pi
下一代人機(jī)交互界面（HMI）將帶來與機(jī)器交互的全新方式，例如在嘈雜的工廠環(huán)境中通過手勢(shì)識(shí)別來發(fā)出命令，或通過無線連接的手機(jī)或平板電腦來控制機(jī)器。將邊緣 AI 功能添加到 HMI 應(yīng)用（包括機(jī)器視覺、分析和預(yù)測(cè)性維護(hù)），有助于賦予 HMI 全新的意義，而不是僅限于實(shí)現(xiàn)人機(jī)交互的界面。
2023-11-21
HMI 方案 處理器
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最適合 AI 應(yīng)用的計(jì)算機(jī)視覺類型是什么？
計(jì)算機(jī)視覺是指為計(jì)算機(jī)賦予人類視覺這一技術(shù)目標(biāo)，從而賦能裝配線檢查到駕駛輔助和機(jī)器人等應(yīng)用。計(jì)算機(jī)缺乏像人類一樣憑直覺產(chǎn)生視覺和畫面的能力。我們必須給予計(jì)算機(jī)一些算法，以便處理領(lǐng)域特異性任務(wù)。
2023-11-20
AI 應(yīng)用 計(jì)算機(jī)視覺
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康普和意法半導(dǎo)體強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，讓物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備Matter證書管理既安全又簡(jiǎn)便
全球網(wǎng)絡(luò)連接領(lǐng)導(dǎo)者康普(納斯達(dá)克股票代碼：COMM)與服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST；紐約證券交易所代碼:STM)發(fā)布了一個(gè)整合康普 PKIWorks? 物聯(lián)網(wǎng)安全平臺(tái)與深受市場(chǎng)歡迎的意法半導(dǎo)體 STM32WB微控制器(MCU)的解決方案，為設(shè)備制造商提供一...
2023-11-20
康普 意法半導(dǎo)體 物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備 Matter證書管理
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熱烈慶祝瑞森半導(dǎo)體成立10周年
彈指一揮間，瑞森半導(dǎo)體已在功率半導(dǎo)體行業(yè)奮勇前行了十年。3650個(gè)白天與黑夜，瑞森半導(dǎo)體在風(fēng)雨兼程中砥礪前行，在傾情奉獻(xiàn)中不負(fù)初心。十年里有太多的故事，有成功開發(fā)出首顆產(chǎn)品的激動(dòng)，有首次客戶量產(chǎn)的喜悅，有銷量首次破億的興奮，有初次海外貿(mào)易的緊張，更有全球合作伙伴、客戶的關(guān)愛與支持...
2023-11-19
瑞森半導(dǎo)體 芯片
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瞬變對(duì)AI加速卡供電的影響
圖形處理單元(GPU)、張量處理單元(TPU)和其他類型的專用集成電路(ASIC)通過提供并行處理能力來實(shí)現(xiàn)高性能計(jì)算，以滿足加速人工智能(AI)訓(xùn)練和推理工作負(fù)載的需求。
2023-11-19
瞬變 AI加速卡 供電
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NTCRP的絕緣電阻和耐壓如何測(cè)試？
TDK的NTCRP系列（NTC熱敏電阻）廣泛應(yīng)用于各種可靠性要求較高的應(yīng)用中，包括電動(dòng)汽車的驅(qū)動(dòng)電機(jī)和電池、工業(yè)設(shè)備的溫度檢測(cè)等。而嚴(yán)格的絕緣電阻和絕緣耐壓測(cè)試是保障用戶使用安全性和可靠性的重要措施。
2023-11-19
NTCRP 絕緣電阻 測(cè)試
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博世皇甫杰：AI的“東風(fēng)”吹到了消費(fèi)級(jí)MEMS傳感器
東風(fēng)勁吹的AI和其貌不揚(yáng)的傳感器，外界眼中似乎風(fēng)馬牛不相及的兩個(gè)領(lǐng)域如今也擦出了“火花”！日前，在第11屆EEVIA年度中國(guó)硬科技媒體論壇上，來自Bosch Sensortec GmbH的高級(jí)現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用工程師皇甫杰分享了博世最新搭載AI的MEMS傳感器技術(shù)和案例，讓人大耳目一新。
2023-11-18
博世 AI MEMS傳感器
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氮化鎵取代碳化硅，從PI開始？
在功率器件選擇過程中，以氮化鎵、碳化硅為代表的寬禁帶半導(dǎo)體越來越受到了人們的重視，在效率、尺寸以及耐壓等方面都相較于硅有了顯著提升，但是如何定量分析這三類產(chǎn)品的不同？Power Intergrations（PI）資深培訓(xùn)經(jīng)理Jason Yan日前結(jié)合公司新推出的1250V氮化鎵(GaN)產(chǎn)品，詳細(xì)解釋了三類產(chǎn)品的優(yōu)...
2023-11-16
氮化鎵 碳化硅 PI
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使用半大馬士革工藝流程研究后段器件集成的工藝
隨著技術(shù)推進(jìn)到1.5nm及更先進(jìn)節(jié)點(diǎn)，后段器件集成將會(huì)遇到新的難題，比如需要降低金屬間距和支持新的工藝流程。為了強(qiáng)化電阻電容性能、減小邊緣定位誤差，并實(shí)現(xiàn)具有挑戰(zhàn)性的制造工藝，需要進(jìn)行工藝調(diào)整。為應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)，我們嘗試在1.5nm節(jié)點(diǎn)后段自對(duì)準(zhǔn)圖形化中使用半大馬士革方法。我們?cè)趇mec生產(chǎn)...
2023-11-16
半大馬士革 后段器件
- 克服碳化硅制造挑戰(zhàn)，助力未來電力電子應(yīng)用
- 了解交流電壓的產(chǎn)生
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