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電子式電能表絕緣性能對(duì)EMC抗擾度試驗(yàn)的影響與改進(jìn)
本文討論電子式電能表的絕緣性能對(duì)EMC抗擾度試驗(yàn)的影響及改進(jìn)措施。通過(guò)增大間隙或爬電距離能使電能表的絕緣性能符合要求，從而能夠通過(guò)EMC抗擾度試驗(yàn)，而增加的成本最低。優(yōu)化后的試驗(yàn)流程為優(yōu)先通過(guò)6kV的脈沖電壓試驗(yàn)，然后進(jìn)行各項(xiàng)EMC抗擾度試驗(yàn)，可以達(dá)到事半功倍的效果。
2008-10-12
電子式電能表 絕緣性能 EMC 爬電距離
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電磁兼容EMC中的屏蔽技術(shù)分析
電磁場(chǎng)的屏蔽可分為靜電屏蔽、靜磁屏蔽和電磁屏蔽三種情況。本文描述了靜電屏蔽、靜磁屏蔽、電磁屏蔽的物理內(nèi)容、物理?xiàng)l件、屏蔽作用等以及它們之間的聯(lián)系。
2008-10-12
靜電 屏蔽 靜磁 電磁
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電磁兼容EMC中的屏蔽技術(shù)分析
電磁場(chǎng)的屏蔽可分為靜電屏蔽、靜磁屏蔽和電磁屏蔽三種情況。本文描述了靜電屏蔽、靜磁屏蔽、電磁屏蔽的物理內(nèi)容、物理?xiàng)l件、屏蔽作用等以及它們之間的聯(lián)系。
2008-10-12
靜電 屏蔽 靜磁 電磁
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電磁兼容EMC中的屏蔽技術(shù)分析
電磁場(chǎng)的屏蔽可分為靜電屏蔽、靜磁屏蔽和電磁屏蔽三種情況。本文描述了靜電屏蔽、靜磁屏蔽、電磁屏蔽的物理內(nèi)容、物理?xiàng)l件、屏蔽作用等以及它們之間的聯(lián)系。
2008-10-12
靜電 屏蔽 靜磁 電磁
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RFID 技術(shù)原理及其射頻天線設(shè)計(jì)
首先簡(jiǎn)要介紹RFID 技術(shù)的基本工作原理,然后介紹了幾種基本的RFID 射頻天線及其工作原理,并針對(duì)普遍使用的偶極子天線在RFID 系統(tǒng)中方向性上的不足提出改進(jìn),最后,給出一個(gè)具有全向收發(fā)功能的RFID 天線設(shè)計(jì).
2008-10-12
RFID 技術(shù) 天線 偶極子
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1.9GHz基站前端射頻LNA仿真與實(shí)現(xiàn)研究
本文給出了基于E-pHEMT管ATF-54143和混合耦合器2A1306-3的射頻低噪聲放大器的設(shè)計(jì)。E-pHEMT管的低噪聲系數(shù)和高OIP3使它在高動(dòng)態(tài)范圍電路設(shè)計(jì)上具有很大的優(yōu)勢(shì),并且該放大器的技術(shù)指標(biāo)達(dá)到了CDMA基站的接收前端對(duì)低噪聲放大器的規(guī)范要求,具有很好的應(yīng)用前景。
2008-10-12
截點(diǎn) E-pHEMT 平衡結(jié)構(gòu) LNA 仿真
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阻抗匹配
本文詳細(xì)討論了傳輸線的阻抗匹配問(wèn)題。重點(diǎn)介紹了串聯(lián)終端匹配和并聯(lián)終端匹配，提出將訊號(hào)的傳輸看成軟管送水澆花和傳輸線之終端控管技術(shù)。
2008-10-12
傳輸線 阻抗匹配 訊號(hào) 特性阻抗
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RF功率MOSFET產(chǎn)品及其工藝開(kāi)發(fā)
本文通過(guò)分析RF功率 LDMOSFET的性能和結(jié)構(gòu)特征，設(shè)計(jì)出RF 功率 LDMOSFET器件結(jié)構(gòu)，通過(guò)工藝和器件模擬確定了關(guān)鍵參數(shù)，并設(shè)計(jì)了一套符合6寸芯片生產(chǎn)線的制造工藝流程，對(duì)工藝中的難點(diǎn)提出了解決方案。
2008-10-12
RF MOSFET 性能 工藝
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運(yùn)放式射頻放大器
本文詳細(xì)介紹了放大器的基本拓?fù)浜蛥?shù)，如果價(jià)格可以接受的話，運(yùn)放，特別是CFB運(yùn)放非常適合射頻設(shè)計(jì)。
2008-10-12
運(yùn)放 射頻 CFB
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