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東京農(nóng)工大學(xué)開發(fā)出單層碳納米管與鈦酸鋰復(fù)合而成的鋰離子電容器
東京農(nóng)工大學(xué)研究生院于2009年3月宣布,開發(fā)出了采用碳納米纖維(CNF)與LTO復(fù)合而成的負(fù)極的鋰離子電容器,與以往的采用活性炭的雙電層電容器相比,實(shí)現(xiàn)了約3倍的能量密度。而且還表示,將完善由日本Chemi-Con定于2011年春季樣品供貨采用該技術(shù)的鋰離子電容器的體制。
2010-04-19
東京 大學(xué) 單層 碳納米管 鈦酸鋰 鋰離子電容器
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IR上市導(dǎo)通電阻僅0.95mΩ的25V耐壓功率MOSFET
據(jù)稱,該功率MOSFET的導(dǎo)通電阻與全部柵極電荷量的乘積FOM(figure of merit,優(yōu)值)為“業(yè)界最高”。全部柵極電荷量為標(biāo)準(zhǔn)50nC。最大柵源間電壓為±20V,最大漏電流為37A。批量購(gòu)買1萬(wàn)個(gè)時(shí)的單價(jià)為1.50美元。
2010-04-19
IR 導(dǎo)通電阻 耐壓 功率MOSFET
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2011年電路保護(hù)市場(chǎng)將持續(xù)增長(zhǎng)
2011年,市場(chǎng)預(yù)測(cè)預(yù)測(cè)表明:表面貼裝式壓敏電阻將在手機(jī)和汽車電子市場(chǎng)持續(xù)成長(zhǎng);聚合物PTC熱敏電阻在傳統(tǒng)過流保護(hù)如筆記本電腦和上網(wǎng)本的USB防護(hù)和電池的二次防護(hù)方面得到發(fā)展;NTC熱敏電阻的市場(chǎng)重心將偏向汽車和大型家庭用空調(diào)系統(tǒng)(其價(jià)值在于組件的生產(chǎn),而不是熱敏電阻本身);氣體放電管由于...
2010-04-16
過流保護(hù) 過壓保護(hù) 電路保護(hù)
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全球半導(dǎo)體設(shè)備資本支出衰退潮有望扭轉(zhuǎn)
國(guó)際研究暨顧問機(jī)構(gòu)Gartner發(fā)布最終統(tǒng)計(jì)結(jié)果,2009年全球半導(dǎo)體設(shè)備資本設(shè)備支出為166億美元,較2008年衰退45.8%。在主要設(shè)備部門中,受到削減資本支出的沖擊,晶圓廠設(shè)備支出大幅下滑47%,后端設(shè)備(BEE)支出亦減少40%。
2010-04-16
半導(dǎo)體設(shè)備 資本支出 衰退潮 扭轉(zhuǎn)
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多晶硅產(chǎn)業(yè)將在2011年面臨大幅震蕩
多晶硅產(chǎn)業(yè)將在2011年面臨大幅震蕩。此結(jié)論來源于Bernreuter信息研究公司(以下簡(jiǎn)稱Bernreuter研究)今日發(fā)布的最新研究報(bào)告《太陽(yáng)能多晶硅的生產(chǎn)狀況》。多晶硅被視為半導(dǎo)體和光伏產(chǎn)業(yè)的供給原料,但在該市場(chǎng)于2009年轉(zhuǎn)至供過于求的狀態(tài)之前,多晶硅一直處于短缺。
2010-04-16
多晶硅 面臨 大幅震蕩 Bernreuter
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供貨商節(jié)制擴(kuò)產(chǎn) 被動(dòng)組件全年缺貨
被動(dòng)組件自去年第四季起供應(yīng)吃緊,廠商即使紛紛拉高產(chǎn)能利用率至滿水位,還是跟不上客戶拉貨的腳步,庫(kù)存逐步見底,國(guó)巨的成品庫(kù)存天數(shù)由上季的23天,到第一季一口氣掉到14天,為歷史最低庫(kù)存量。
2010-04-16
供貨商 節(jié)制擴(kuò)產(chǎn) 被動(dòng)組件 缺貨
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選擇合適的OVP、OCP元器件應(yīng)對(duì)電路保護(hù)設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)
隨著電子系統(tǒng)越來越復(fù)雜,對(duì)各種電子系統(tǒng)的可靠性要求不斷提高,各種電路保護(hù)元器件已經(jīng)成為電子系統(tǒng)中必不可少的組成部分,保護(hù)器件廠商也需要緊跟電路設(shè)計(jì)的趨勢(shì)開發(fā)出新型產(chǎn)品應(yīng)對(duì)設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。
2010-04-16
電路保護(hù) 過壓 過流 SZ2010
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TDK開發(fā)出Serial ATAⅡ?qū)?yīng)的SHG2A系列Half Slim Type SSD
TDK開發(fā)出Serial ATAⅡ?qū)?yīng)的SHG2A系列Half Slim Type SSD,是世界首次公開壽命監(jiān)控軟件、高速度、高信賴性、長(zhǎng)壽命的Half Slim型SATA2 固態(tài)硬盤,日本首次*SLC閃存采用,使用電源保護(hù)電路,斷電耐受性達(dá)到業(yè)內(nèi)最高水平。
2010-04-16
硬盤 壽命監(jiān)控 Half Slim SATA2 固態(tài)硬盤
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創(chuàng)新是保持半導(dǎo)體營(yíng)業(yè)收入穩(wěn)定關(guān)鍵
據(jù)iSuppli公司,盡管2010年半導(dǎo)體營(yíng)業(yè)收入預(yù)計(jì)增長(zhǎng)15.4%,擺脫2009年的銳減局面,但保持增長(zhǎng)的關(guān)鍵其實(shí)就是兩個(gè)字:創(chuàng)新。
2010-04-15
半導(dǎo)體 創(chuàng)新 硅片
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