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如何選取SiC MOSFET的Vgs門極電壓及其影響
在IGBT時代，門極電壓的選擇比較統(tǒng)一，無非Vge=+15V/-15V或+15V/-8V或+15V/0V這幾檔。而在新興的SiC MOSFET領域，還未有約定俗成的門極電壓規(guī)范。本文愿就SiC MOSFET的門極電壓選擇上的困惑，提供些有用的參考。
2022-06-15
SiC MOSFET 門極電壓
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性能出眾的1200V第四代SiC FET為高壓市場提供了優(yōu)秀的SiC功率解決方案
UnitedSiC（現名Qorvo）擴充了其1200V產品系列，將其突破性的第四代SiC FET技術推廣到電壓更高的應用中。新UF4C/SC系列中的六款新產品的規(guī)格從23毫歐到70毫歐，現以TO247-4L（采用開爾文連接）封裝提供，而1200V的53毫歐和70毫歐SiC FET還以TO247-3L封裝提供。這些新發(fā)布的SiC FET具有不凡的性能，...
2022-06-15
SiC FET 高壓市場 解決方案
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適合工業(yè)應用的魯棒SPI/I2C通信
對于控制器和外設之間的短距離電路板內連接，串行外設接口(SPI)和Inter-Integrated Circuit (I2C)接口是流行的事實上的通信標準。由于存在廣泛的硬件和軟件支持，SPI和I2C已被傳感器、執(zhí)行器和數據轉換器制造商廣泛采用。當控制器和外設位于同一電路板上、共享同一接地層且相距不遠（不大于1米）時...
2022-06-14
工業(yè)應用 SPI ADI
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新推出的同步SAR模數轉換器的片內校準優(yōu)勢
本文評估在電阻模數轉換器(ADC)前面的外部電阻的影響。這些系列的同步采樣ADC包括一個高輸入阻抗電阻可編程增益放大器(PGA)，用于驅動ADC和縮放輸入信號，允許直接連接傳感器。但是，有幾個原因導致在設計期間，我們最終會在模擬輸入前面增加外部電阻。以下部分從理論上解釋預期的增益誤差，該誤差...
2022-06-14
SAR 模數轉換器 ADI
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手機無線充電器壞了
對于手邊的一款外部引線斷裂的蘋果手機無線充電器進行拆卸，觀察其內部電路工藝設計。但是由于電路上主要芯片型號文字顯示不清，故此對于其主要工作原理尚不清楚。
2022-06-14
手機 無線充電器
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電解電容
在博文 基于光耦的LED振蕩電路[1] 介紹了一款基于光耦的多諧振蕩電路，對于光耦前向耦合電流增益的特性進行了討論。博文分別被公眾號 TSINGHUAZHUOQING[2] 與 電子工程專輯[3] 轉載。
2022-06-14
電解電容 光耦 振蕩電路
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“創(chuàng)新強鏈，雙驅發(fā)展”2022年中國（深圳）集成電路峰會
由深圳市人民政府聯(lián)合中國半導體行業(yè)協(xié)會集成電路設計分會、“核高基”國家科技重大專項總體專家組共同舉辦的以“創(chuàng)新強鏈，雙驅發(fā)展”為主題的“2022 中國（深圳）集成電路峰會”（以下簡稱：ICS2022 峰會），將于2022年6月30日至7月1日在深圳坪山格蘭云天國際酒店隆重舉行。
2022-06-13
中國（深圳）集成電路峰會
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