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通過模擬減法消除 PWM DAC 紋波(2)
該電路的基本工作原理是PWM 紋波信號(hào)電流與 PWM 信號(hào)電流的 AC 耦合（通過 C2）逆向無源求和（通過 R1 和 R2），然后在 DAC 輸出電容器 C1 中對(duì)求和進(jìn)行積分。由此產(chǎn)生的紋波分量的部分抵消允許足夠的紋波衰減，同時(shí)使用比單級(jí) RC 濾波器所需的濾波器時(shí)間常數(shù)短得多的時(shí)間常數(shù)。更快的響應(yīng)和更短的...
2023-02-20
模擬減法口 PWM DAC
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如何使用非耗散鉗位提高反激式效率
在反激式轉(zhuǎn)換器的標(biāo)準(zhǔn)形式中，變壓器的漏感會(huì)在初級(jí)場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 的漏極上產(chǎn)生電壓尖峰。為防止此尖峰變得過大和損壞，F(xiàn)ET 需要一個(gè)鉗位網(wǎng)絡(luò)，通常帶有耗散鉗位，如圖1所示。但是耗散鉗位中的功率損失限制了反激式轉(zhuǎn)換器的效率。在這篇電源技巧中，我將研究反激式轉(zhuǎn)換器的兩種不同變體，它們...
2023-02-20
非耗散鉗位 反激式
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基于晶體管VBE 的振蕩器測(cè)量溫度
模擬 EE 世界失去了一顆明星。Jim 的數(shù)百篇文章、書籍和應(yīng)用筆記是（并將繼續(xù)是）信息、靈感和看到大師輕松解決棘手設(shè)計(jì)難題的喜悅的無底泉源，所有這些都包含在令人愉快的寫作風(fēng)格中。這里介紹的設(shè)計(jì)思想源自他發(fā)表在 AN45測(cè)量和控制電路集（夜班尿布和設(shè)計(jì)）第 7 頁的電路之一。
2023-02-20
晶體管VBE 振蕩器
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如何為電磁線圈仿真選擇邊界條件
在使用 COMSOL Multiphysics 中的 AC/DC 模塊對(duì)線圈進(jìn)行建模時(shí)，你是否需要考慮使用哪種類型的邊界條件來截?cái)嘟Ｓ?。在這篇文章中，我們將介紹可以使用的不同邊界條件以及如何在它們之間進(jìn)行選擇。
2023-02-20
電磁線圈 仿真
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2023第十屆世界雷達(dá)博覽會(huì)、2023第三屆“雷達(dá)與未來”全球峰會(huì)新聞發(fā)布會(huì)在京召開
2月17日上午，2023第十屆世界雷達(dá)博覽會(huì)、2023第三屆“雷達(dá)與未來”全球峰會(huì)新聞發(fā)布會(huì)在京召開。中國(guó)電子科技集團(tuán)副總經(jīng)理?xiàng)钴姵鱿l(fā)布會(huì)并致辭。中國(guó)雷達(dá)行業(yè)協(xié)會(huì)、中國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)集團(tuán)有限公司、北京市石景山區(qū)人民政府、中電科發(fā)展規(guī)劃研究院有限公司、中電科技國(guó)際貿(mào)易有限公司等領(lǐng)導(dǎo)和嘉賓出席...
2023-02-20
世界雷達(dá) 智慧城市 數(shù)字交通 智慧農(nóng)業(yè) 智能制造
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一文搞懂IGBT的損耗與結(jié)溫計(jì)算
與大多數(shù)功率半導(dǎo)體相比，IGBT 通常需要更復(fù)雜的一組計(jì)算來確定芯片溫度。這是因?yàn)榇蠖鄶?shù) IGBT 都采用一體式封裝，同一封裝中同時(shí)包含 IGBT 和二極管芯片。為了知道每個(gè)芯片的溫度，有必要知道每個(gè)芯片的功耗、頻率、θ 和交互作用系數(shù)。還需要知道每個(gè)器件的 θ 及其交互作用的 psi 值。
2023-02-20
IGBT 損耗 結(jié)溫
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R-Car DNN模擬器的介紹
本篇文章我們將介紹瑞薩為R-Car V4H提供的三種類型的DNN開發(fā)模擬器，以及它們的使用情況和特點(diǎn)。
2023-02-20
R-Car DNN模擬器
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