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使用SiC MOSFET和Si IGBT柵極驅(qū)動優(yōu)化電源系統(tǒng)
在電動汽車 (EV) 和光伏 (PV) 系統(tǒng)等綠色能源應(yīng)用所需的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電池充電器、電機(jī)驅(qū)動器和交流 (AC) 逆變器中，碳化硅 (SiC) MOSFET 和硅 (Si) IGBT 是關(guān)鍵元件。但是如要獲得最高的效率，SiC MOSFET 和 Si IGBT 的柵極在導(dǎo)通和關(guān)斷時需要精確的驅(qū)動電壓（具體取決于所使用的器件）。
2023-08-03
SiC MOSFET Si IGBT 柵極驅(qū)動 電源系統(tǒng)
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1200V,1700V,2000V......高性能碳化硅器件如何應(yīng)對持續(xù)挑戰(zhàn)？
SiC 等寬禁帶 (WBG) 器件對于當(dāng)今汽車和可再生能源等應(yīng)用至關(guān)重要。隨著我們的世界逐漸轉(zhuǎn)向使用可持續(xù)能源（主要是電力），能效比以往任何時候都更重要。提高開關(guān)模式能效的方法之一是降低銅損和開關(guān)損耗。然而，為了應(yīng)對這一挑戰(zhàn)，直流母線電壓不斷上升，半導(dǎo)體技術(shù)必須發(fā)展以跟上步伐。這些技術(shù)對...
2023-08-03
高性能 碳化硅器件 安森美
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穩(wěn)壓二極管的動態(tài)電阻
穩(wěn)壓二極管是利用其反向擊穿時電流會急劇升高的特性進(jìn)行穩(wěn)壓，表現(xiàn)出此時的動態(tài)電阻 Rz，也就是增加的 電壓除以增加的電流 ，所得到的比值比較小，這樣就會使得外部電壓的波動對穩(wěn)壓二極管兩端電壓影響較小。
2023-08-03
穩(wěn)壓二極管 動態(tài)電阻
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晶閘管在UPS旁路應(yīng)用中的損耗計(jì)算
功率晶閘管廣泛應(yīng)用于AC/DC變換器，UPS旁路等場合。本文通過公式計(jì)算和在線IPOSIM仿真兩種方式，對晶閘管在UPS旁路應(yīng)用中的損耗計(jì)算和結(jié)溫預(yù)估進(jìn)行說明，給廣大工程師在晶閘管選型時提供幫助。晶閘管在AC/DC整流應(yīng)用中的損耗計(jì)算，請參考微信文章《PIM模塊中整流橋的損耗計(jì)算》。
2023-08-03
晶閘管 UPS 損耗
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AFE8092幀同步特性簡析
TI Transceiver芯片是高集成度，高性能的射頻收發(fā)器芯片。產(chǎn)品族內(nèi)產(chǎn)品架構(gòu)種類豐富。在產(chǎn)品架構(gòu)方面，包括了以AFE77xx系列為代表的零中頻架構(gòu)收發(fā)信機(jī)，以AFE80xx, AFE79xx，AFE76xx系列為代表的射頻直采架構(gòu)收發(fā)信機(jī)。在產(chǎn)品通道數(shù)方面，支持最低2T2R1F，4T4R2F到8T8R2F的通道數(shù)。同時，也支持大...
2023-08-03
AFE8092 射頻收發(fā)器
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一文解讀GNSS信號對網(wǎng)絡(luò)中授時應(yīng)用的益處
無論身在何處，我們對于無時無刻地觀看視頻內(nèi)容已經(jīng)習(xí)以為常。但對負(fù)責(zé)、構(gòu)建和維護(hù)底層網(wǎng)絡(luò)的幕后工作者而言，事情并沒有那么簡單，消費(fèi)者日益提升的期望給他們帶來了重重難題。
2023-08-02
GNSS信號 L1頻段GNSS
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數(shù)字控制器補(bǔ)償模擬控制器
用于電源控制的新興數(shù)字 IC 缺乏模擬 IC 中常見的基本功能，例如內(nèi)置柵極驅(qū)動和電流限制。數(shù)字電源控制器通常僅具有 PWM（脈寬調(diào)制）邏輯輸出，并且分立柵極驅(qū)動器很少包含電流限制。此外，大多數(shù)受保護(hù)的 FET 僅在低頻、低側(cè)應(yīng)用中工作。
2023-08-02
數(shù)字控制器 模擬控制器
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