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如何優(yōu)化SiC柵級驅動電路？
對于高壓開關電源應用，碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統(tǒng)硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優(yōu)勢。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開關性能優(yōu)勢。它是電壓控制的場效應器件，能夠像 IGBT 一樣進行高壓開關，同時開關頻率等于或高于低壓硅 MOSFET 的開關頻率。之前的文章中，我們介紹了SiC MOSFET 特有...
2023-11-29
SiC 柵級驅動
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振動場合的電源模塊該如何選型？
在不同的應用環(huán)境，該如何進行電源模塊的應用選型？選擇合適電源模塊可以延長模塊的使用壽命，本文主要是介紹在振動場合電源模塊可能出現(xiàn)的一些失效形態(tài)和如何選用可靠的電源模塊。
2023-11-29
振動場合 電源模塊 選型
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機電1-Wire接觸封裝解決方案及其安裝方法
本文介紹已獲專利的適用于機電接觸應用的1-Wire?接觸封裝解決方案，并對比傳統(tǒng)的封裝解決方案以展示1-Wire接觸封裝解決方案的優(yōu)越性。本文還就如何將該解決方案安裝到配件或耗材提供了建議，并作了機械規(guī)格和可靠性分析。
2023-11-29
機電 1-Wire 接觸封裝
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有關Matter的十個關鍵問題，你知道正確的答案嗎？
智能家居市場正在快速增長，越來越多的家庭采用聯(lián)網設備來實現(xiàn)家庭自動化。然而，由于這些聯(lián)網設備通常運行在不同的通信協(xié)議上，極大地阻礙了智能家居系統(tǒng)內的互聯(lián)互通，市場上幾乎沒有一家公司的產品能滿足所有智能家居市場的需求。 新興的Matter智能家居協(xié)議就是為了解決這一挑戰(zhàn)而創(chuàng)建的。它...
2023-11-28
Matter 智能家居
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如何在 3DICC 中基于虛擬原型實現(xiàn)多芯片架構探索
在系統(tǒng)定義和規(guī)劃時，虛擬原型可以用來分析架構設計決策可能產生的影響，將系統(tǒng)的功能性和非功能性要求轉化為系統(tǒng)的物理硬件屬性，包括裸片的目標工藝、面積大小以及不同組成芯片的組裝要求等。根據(jù)不同的解決方案，選擇不同的chiplets和堆疊架構，進行早期的分析驅動的架構探索和優(yōu)化迭代，包括電...
2023-11-28
3DICC 虛擬原型 多芯片架構
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漫談QLC其一：QLC定義及應用
目前，閃存增容的主要方式有兩種，其一是結構上，由2D NAND到3D NAND，從平面到立體，實現(xiàn)閃存容量的提升，并隨著堆疊層數(shù)的增加優(yōu)化成本，繼而適應市場需求；其二是邏輯上，提升存儲單元存儲的位數(shù)，即由僅能存儲1位數(shù)據(jù)的SLC，到存儲2位數(shù)據(jù)的MLC，直到如今能存儲4位數(shù)據(jù)的QLC，通過這種方式，提...
2023-11-28
QLC 閃存
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通過碳化硅 TOLL 封裝開拓人工智能計算的前沿
近些年來，人工智能（AI）的蓬勃發(fā)展推動了芯片組技術的新進步。與傳統(tǒng) CPU 相比，現(xiàn)在的芯片組功能更強大，運行更高效，但功率消耗也更高。功率消耗的急劇攀升為系統(tǒng)設計人員帶來了難題，他們正在努力設計既能在更小的空間內提供更大功率，又能保證效率和可靠性的電源。
2023-11-28
碳化硅 TOLL 封裝 人工智能計算
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