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相約第104屆中國(guó)電子展,觀眾預(yù)登記通道正式啟動(dòng)!
第104屆中國(guó)電子展 上海觀眾預(yù)登記現(xiàn)已全面開啟!
2024-10-08
第104屆中國(guó)電子展 預(yù)登記
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超低功耗與高精度兼?zhèn)洌ξ锫?lián)網(wǎng)與可穿戴設(shè)備的性能提升
低功耗在現(xiàn)代電子設(shè)備設(shè)計(jì)中越來(lái)越受到重視,尤其是在物聯(lián)網(wǎng)(IoT)和可穿戴設(shè)備中。電池壽命的延長(zhǎng)和設(shè)備能效的提升成為了關(guān)鍵。以瑞士微晶Micro Crystal的RV-3028-C7實(shí)時(shí)鐘模塊為例,它在時(shí)間保持模式下的超低功耗表現(xiàn)堪稱行業(yè)翹楚。
2024-09-30
物聯(lián)網(wǎng)
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從智能手機(jī)到助聽器:MEMS音頻技術(shù)開啟無(wú)限可能
近年來(lái),微機(jī)電系統(tǒng) (MEMS) 技術(shù)給音頻行業(yè)帶來(lái)了翻天覆地的變化。MEMS技術(shù)在音頻應(yīng)用中使用微小的機(jī)械部件將電信號(hào)轉(zhuǎn)換成聲波,實(shí)現(xiàn)了更小巧、更高效的音頻設(shè)備。
2024-09-30
智能手機(jī) 助聽器 MEMS 音頻技術(shù)
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意法半導(dǎo)體第四代碳化硅功率技術(shù)問(wèn)世:為下一代電動(dòng)汽車電驅(qū)逆變器量身定制
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱ST;) 推出第四代 STPOWER 碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)。第四代技術(shù)有望在能效、功率密度和穩(wěn)健性三個(gè)方面成為新的市場(chǎng)標(biāo)桿。在滿足汽車和工業(yè)市場(chǎng)需求的同時(shí),意法半導(dǎo)體還針對(duì)電動(dòng)汽車電驅(qū)系統(tǒng)的關(guān)鍵部件逆變器...
2024-09-30
意法半導(dǎo)體 碳化硅功率技術(shù) 電動(dòng)汽車 電驅(qū)逆變器
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預(yù)補(bǔ)償方法以減少Class D功率放大器的爆裂噪聲
如今,Class D功率放大器在音頻系統(tǒng)中被廣泛使用。然而,在放大器啟動(dòng)或關(guān)閉時(shí),以及在靜音/取消靜音切換期間,揚(yáng)聲器中經(jīng)常會(huì)出現(xiàn)爆裂聲或點(diǎn)擊聲。這些噪音可能會(huì)被聽到,并使用戶感到不適。在音頻系統(tǒng)中靜音功率放大器是避免在啟動(dòng)或關(guān)閉期間出現(xiàn)爆裂聲的有效方法。此外,音頻系統(tǒng)有時(shí)播放音樂(lè),...
2024-09-29
Class D功率放大器 爆裂噪聲
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MVG 將安立無(wú)線通信測(cè)試儀 MT8000A 集成到 ComoSAR 系統(tǒng)中,以增強(qiáng) 5G SAR 測(cè)量能力
作為全球電磁波人體暴露評(píng)估測(cè)量和服務(wù)的領(lǐng)導(dǎo)者,Microwave Vision Group(MVG)近日隆重宣布成功將安立公司 MT8000A無(wú)線通信測(cè)試儀集成到其ComoSAR系統(tǒng)中。通過(guò)為OpenSAR軟件提供專用驅(qū)動(dòng)程序,此次集成覆蓋了新無(wú)線電(NR)FR1頻段(7.125 GHz以下)。這一里程碑實(shí)現(xiàn)了對(duì)支持5G設(shè)備的SAR(比吸收...
2024-09-29
MVG MT8000A 無(wú)線通信測(cè)試儀 5G
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優(yōu)化電源管理芯片 擁抱汽車電氣化新時(shí)代
隨著汽車工業(yè)的不斷發(fā)展和科技的迅速迭代,汽車電氣化已成為未來(lái)發(fā)展的主要趨勢(shì)。電源管理芯片作為汽車電氣化的核心組成部分,正扮演著越來(lái)越重要的角色,市場(chǎng)規(guī)模逐步擴(kuò)大的同時(shí)呈現(xiàn)出強(qiáng)勁的增長(zhǎng)勢(shì)頭。為應(yīng)對(duì)變化的電氣化市場(chǎng)需求,電源管理芯片行業(yè)正在不斷推出更加高效、安全、小型化的產(chǎn)品。全...
2024-09-28
電源管理 芯片 汽車 電氣化
- 如何解決在開關(guān)模式電源中使用氮化鎵技術(shù)時(shí)面臨的挑戰(zhàn)?
- 不同拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中使用氮化鎵技術(shù)時(shí)面臨的挑戰(zhàn)有何差異?
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