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第7講：SiC單晶襯底加工技術(shù)
SiC單晶是一種硬而脆的材料，切片加工難度大，磨削精度要求高，因此晶圓制造是一個(gè)長(zhǎng)時(shí)間且難度較高的過(guò)程。本文介紹了幾種SiC單晶的切割加工技術(shù)以及近年來(lái)新出現(xiàn)的晶圓制備方法。
2024-10-23
SiC 單晶 襯底加工技術(shù)
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讓汽車LED照明無(wú)死角，LED驅(qū)動(dòng)的全面進(jìn)化
LED照明因其高亮度、低能耗、長(zhǎng)壽命及快速響應(yīng)等特點(diǎn)，在汽車行業(yè)被廣泛采用。LED前大燈、日間行車燈、剎車燈和轉(zhuǎn)向燈等已成為眾多車型的標(biāo)準(zhǔn)配置。同時(shí)，隨著智能駕駛技術(shù)的進(jìn)步，汽車LED照明方案也在向智能化方向發(fā)展。例如，自適應(yīng)前照燈系統(tǒng)能夠根據(jù)路面情況和車速自動(dòng)調(diào)整光束分布，從而顯著提...
2024-10-22
汽車 LED照明 LED驅(qū)動(dòng)
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開(kāi)關(guān)模式電源問(wèn)題分析及其糾正措施：晶體管時(shí)序和自舉電容問(wèn)題
本文是系列文章中的第三篇，該系列文章將討論常見(jiàn)的開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)的設(shè)計(jì)問(wèn)題及其糾正方案。本文旨在解決DC-DC開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器的功率級(jí)設(shè)計(jì)中面臨的復(fù)雜難題，重點(diǎn)關(guān)注功率晶體管和自舉電容。功率晶體管具有最小和最大占空比，如果違反限值，將會(huì)導(dǎo)致SMPS性能下降。此外，如果忽略自舉電容，晶體管將...
2024-10-20
開(kāi)關(guān)模式電源 晶體管 電容
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熱電偶的測(cè)溫原理
熱電偶的測(cè)溫原理是基于熱電效應(yīng)。在兩種不同材料的導(dǎo)體或半導(dǎo)體A和B組成的閉合可路中，如果兩個(gè)導(dǎo)體A和B的連接點(diǎn)溫度不同，設(shè)T>T，則回路中會(huì)產(chǎn)生一個(gè)電動(dòng)勢(shì)，即生此閉合回路中有電流產(chǎn)生，這種現(xiàn)象稱為熱電效應(yīng)。
2024-10-20
熱電偶 測(cè)溫
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【泰克先進(jìn)半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室】 遠(yuǎn)山半導(dǎo)體發(fā)布新一代高壓氮化鎵功率器件
氮化鎵功率器件因其高速開(kāi)關(guān)能力、高功率密度和成本效益而成為市場(chǎng)的熱門(mén)選擇。然而，由于工作電壓和長(zhǎng)期可靠性的制約，這些器件的潛力并未得到充分發(fā)揮，主要在消費(fèi)電子領(lǐng)域內(nèi)競(jìng)爭(zhēng)價(jià)格。近期，隨著高壓氮化鎵器件的陸續(xù)推出，我們看到了它們?cè)诟鼜V泛市場(chǎng)應(yīng)用中的潛力。
2024-10-20
泰克 遠(yuǎn)山半導(dǎo)體 氮化鎵 功率器件
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ADALM2000實(shí)驗(yàn)：變壓器
變壓器只適用于交流電(AC)。例如，變壓器會(huì)通過(guò)將電壓降低到更合適的電平來(lái)降低120V壁式功率，對(duì)于大多數(shù)消費(fèi)電子產(chǎn)品，降至僅幾伏；對(duì)于其他低功耗應(yīng)用，通常降至12V。變壓器還可以升高電壓以實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)距離傳輸，并降低電壓以實(shí)現(xiàn)安全配電。如果沒(méi)有變壓器，配電網(wǎng)絡(luò)中已經(jīng)很嚴(yán)重的電力浪費(fèi)將大到驚人...
2024-10-19
變壓器 電平
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意法半導(dǎo)體推出STM32微處理器專用高集成度電源管理芯片
意法半導(dǎo)體 STM32MP2 微處理器配套電源管理芯片STPMIC25 現(xiàn)已上市。新產(chǎn)品在一個(gè)便捷封裝內(nèi)配備 16 個(gè)輸出通道，可為MPU的所有電源軌以及系統(tǒng)外設(shè)供電，完成硬件設(shè)計(jì)僅需要少量的外部濾波和穩(wěn)定功能組件。評(píng)估板STEVAL-PMIC25V1現(xiàn)已上市，開(kāi)發(fā)者可立即開(kāi)始開(kāi)發(fā)應(yīng)用。
2024-10-18
意法半導(dǎo)體 STM32 微處理器 電源管理芯片
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