新聞事件：

• 接近與環(huán)境光光學(xué)傳感器和功率MOSFET榮獲EN-Genius的年度產(chǎn)品獎

事件影響：

• 能夠在各種消費(fèi)和工業(yè)應(yīng)用中大幅簡化設(shè)計(jì)

日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，其VCNL4000接近與環(huán)境光光學(xué)傳感器及SiR880DP ThunderFET® 80 V功率MOSFET榮獲EN-Genius Network頒發(fā)的年度產(chǎn)品獎，該網(wǎng)站在為電子設(shè)計(jì)工程師提供信息來源方面走在業(yè)界前列。

EN-Genius 2010年度產(chǎn)品獎的獲獎產(chǎn)品是由EN-Genius主編Paul McGoldrick，以及編輯Lee Goldberg和Alex Mendelsohn從年內(nèi)公開發(fā)布的產(chǎn)品中挑選出來的。

Vishay的VCNL4000被EN-Genius授予光檢測領(lǐng)域的最佳研發(fā)獎。該器件完整集成了接近與環(huán)境光光學(xué)傳感器，在業(yè)內(nèi)首次將紅外濾波器、光PIN二極管、環(huán)境光探測器、信號處理IC和16bit ADC集成進(jìn)小尺寸的3.95 mm x 3.95 mm x 0.75 mm無引線(LLP)表面貼裝封裝里。節(jié)省空間的VCNL4000支持易用的I2C總線通信接口，能夠在各種消費(fèi)和工業(yè)應(yīng)用中大幅簡化設(shè)計(jì)。

EN-Genius表示：“Vishay將光探測領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)應(yīng)用到這個(gè)產(chǎn)品上，對于移動設(shè)備的接近檢測、顯示/鍵盤對比度控制和調(diào)光應(yīng)用，這款產(chǎn)品在性能和尺寸都堪稱完美。產(chǎn)品定價(jià)非常合理，在性能表現(xiàn)上也極為出色。”

Vishay的ThunderFET SiR880DP被EN-Genius評為最佳高壓功率MOSFET，該MOSFET在制造過程中采用了一種新的為更高電壓MOSFET優(yōu)化的低導(dǎo)通電阻技術(shù)。SiR880DP是首款可在4.5V柵極驅(qū)動下導(dǎo)通的80V功率MOSFET，采用熱增強(qiáng)型PowerPAK® SO-8封裝，在4.5V、7.5V和10V下具有8.5mΩ、6.7mΩ和5.9mΩ的超低導(dǎo)通電阻。在4.5V下，典型導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積為161，該數(shù)值是衡量DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中MOSFET的優(yōu)值系數(shù)(FOM，單位是nC-mΩ)。

EN-Genius評價(jià)：“N溝道SiR880DP的顯著特點(diǎn)是兼有高電壓等級和4.5V柵極驅(qū)動等級，且能提供超低的導(dǎo)通電阻。SiR880DP能在4.5V電壓下導(dǎo)通，這樣就能用5V PWM IC實(shí)現(xiàn)更高頻率的轉(zhuǎn)換器，而不需要目前所使用的6V器件。產(chǎn)品定價(jià)非常有吸引力，還能讓以前的設(shè)計(jì)在DC-DC轉(zhuǎn)換器中繼續(xù)發(fā)揮余熱。”