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可取代效能較低器件同時(shí)節(jié)省數(shù)量的功率MOSFET系列
IR 推出StrongIRFET功率MOSFET系列，適合要求超低導(dǎo)通電阻的工業(yè)應(yīng)用。新器件除了具備超低的導(dǎo)通電阻，其高電流額定值更有助于提升系統(tǒng)的可靠性。若用其取代效能較低的器件，更可節(jié)省器件數(shù)量。
2012-12-05
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主流供應(yīng)商專家共話智能手機(jī)差異化創(chuàng)新設(shè)計(jì)
2013年將進(jìn)入LTE智能手機(jī)開發(fā)高峰期，預(yù)計(jì)英特爾、高通、英飛凌和ST- Ericsson將成為主要的LTE平臺(tái)解決方案供應(yīng)商，相變存儲(chǔ)器和SSD將成為L(zhǎng)TE智能手機(jī)的主流存儲(chǔ)解決方案。該如何選擇和利用這些平臺(tái)開發(fā)出有獨(dú)特賣點(diǎn)的差異化產(chǎn)品？ ST-Ericsson和Micron等主流供應(yīng)商專家，將于12月15日下午在第四屆智能手機(jī)設(shè)計(jì)工作坊上，從平臺(tái)、芯片組、存儲(chǔ)器、電源管理和測(cè)試方面深度分析移動(dòng)互聯(lián)下智能手機(jī)創(chuàng)新的差異化解決方案。
2012-12-04
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無線射頻技術(shù)
根據(jù)小編所知無線射頻身份識(shí)別系統(tǒng)之英文名稱為Radio Frequency Identification System，簡(jiǎn)稱RFID。無線射頻識(shí)別（RFID）是通過一種無線電訊號(hào)和微芯片標(biāo)簽識(shí)別特定目標(biāo)并讀寫相關(guān)數(shù)據(jù)的通訊技術(shù)。 它利用RFID電子標(biāo)簽（RFID Tags）來實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)和遠(yuǎn)程讀取數(shù)據(jù)。 RFID電子標(biāo)簽?zāi)軌虮粦?yīng)用于任何物體，通過無線電波對(duì)物體進(jìn)行身份識(shí)別。 有一些電子標(biāo)簽甚至能夠在幾米之外進(jìn)行讀取。
2012-12-04
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什么是電阻器？
電阻器（Resistor）在日常生活中一般直接稱為電阻。是一個(gè)限流元件，將電阻接在電路中后，電阻器的阻值是固定的一般是兩個(gè)引腳，它可限制通過它所連支路的電流大小。阻值不能改變的稱為固定電阻器。阻值可變的稱為電位器或可變電阻器。
2012-12-03
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電阻率公式
電阻率（resistivity）是用來表示各種物質(zhì)電阻特性的物理量。某種材料制成的長(zhǎng)1米、橫截面積是1平方毫米的在常溫下（20℃時(shí)）導(dǎo)線的電阻，叫做這種材料的電阻率。電阻率的單位是歐姆·米(Ω·m或ohmm)，常用單位是歐姆·毫米和歐姆·米。 在溫度一定的情況下，有公式R=ρl/S其中的ρ就是電阻率，l為材料的長(zhǎng)度， S為面積?？梢钥闯觯牧系碾娮璐笮∨c材料的長(zhǎng)度成正比，而與其截面積成反比。由上式可知電阻率的定義：ρ=RS/l. 國(guó)際單位制中，電阻率的單位是歐姆·米(Ω·m或ohmm)，常用單位是歐姆·毫米和歐姆·米。
2012-12-01
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銅線電阻率
電阻率（英文resistivity）是用來表示各種物質(zhì)電阻特性的物理量。某種材料制成的長(zhǎng)1米、橫截面積是1平方毫米的在常溫下（20℃時(shí)）導(dǎo)線的電阻，叫做這種材料的電阻率。電阻率的單位是歐姆·米(Ω·m或ohmm)，常用單位是歐姆·毫米和歐姆·米。 在溫度一定的情況下，有公式R=ρl/S其中的ρ就是電阻率，l為材料的長(zhǎng)度， S為面積。可以看出，材料的電阻大小與材料的長(zhǎng)度成正比，而與其截面積成反比。由上式可知電阻率的定義：ρ=RS/l. 國(guó)際單位制中，電阻率的單位是歐姆·米(Ω·m或ohmm)，常用單位是歐姆·毫米和歐姆·米。 我們要做的工作就是 測(cè)量銅線的長(zhǎng)度、橫截面積、電阻，然后根據(jù)電阻率的計(jì)算公式來計(jì)算.不過是銅線，銅線的電阻率太小，那么可以用更長(zhǎng)更細(xì)的銅線來測(cè)量它的電阻，再計(jì)算，那么誤差就會(huì)少點(diǎn)。
2012-12-01
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電阻率單位
據(jù)小編了解電阻率（resistivity）是用來表示各種物質(zhì)電阻特性的物理量。某種材料制成的長(zhǎng)1米、橫截面積是1平方毫米的在常溫下（20℃時(shí)）導(dǎo)線的電阻，叫做這種材料的電阻率。阻率是用來表示各種物質(zhì)電阻特性的物理量。某種材料制成的長(zhǎng)1米、橫截面積是1平方毫米的導(dǎo)線的電阻，叫做這種材料的電阻率。
2012-12-01
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壓敏電阻原理及應(yīng)用
“壓敏電阻"是中國(guó)大陸的名詞，英文名稱叫“Voltage Dependent Resistor”簡(jiǎn)寫為“VDR”, 或者叫做“Varistor"。壓敏電阻器是利用半導(dǎo)體材料的非線性伏安特性而制成的一種電壓敏感元件。
2012-11-30
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晶閘管觸發(fā)電路
晶閘管（Thyristor）是晶體閘流管的簡(jiǎn)稱，又可稱做可控硅整流器，以前被簡(jiǎn)稱為可控硅；1957年美國(guó)通用電器公司開發(fā)出世界上第一款晶閘管產(chǎn)品，并于1958年將其商業(yè)化；晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，它有三個(gè)極：陽極，陰極和門極； 晶閘管具有硅整流器件的特性。
2012-11-29
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實(shí)現(xiàn)高效率大功率LED路燈的方式
導(dǎo)讀：對(duì)于照明，不太高的功率都已經(jīng)對(duì)PFC有要求，大功率的情況下，PFC級(jí)加上DC/DC級(jí)已經(jīng)成為較為通行的方法，我國(guó)的電網(wǎng)電壓是220V，在效率和性價(jià)比的平衡下，臨界導(dǎo)通方式PFC自然成為首選，如FAN7530、FAN6961。只需使用很少的零件。Rds(on)很低的MOSFET系列，如SupreMOSTM，更能減少開關(guān)和導(dǎo)通損耗。
2012-11-27
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靜電放電防護(hù)的基本原理和原則
靜電放電（Electrostatic Discharge，ESD）指處于不同靜電電位的兩個(gè)物體間的靜電電荷的轉(zhuǎn)移就是靜電放電。這種轉(zhuǎn)移的方式有多種，如接觸放電、空氣放電。靜電放電的危害有很多，如何才能有效的防護(hù)靜電放電？
2012-11-27
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什么是穩(wěn)壓器
穩(wěn)壓器，顧名思義，就是使輸出電壓穩(wěn)定的設(shè)備。所有的穩(wěn)壓器，都利用了相同的技術(shù)實(shí)現(xiàn)輸出電壓的穩(wěn)定輸出電壓通過連接到誤差放大器（Error Amplifier）反相輸入端（Inverting Input）的分壓電阻（Resistive Divider）采樣（Sampled），誤差放大器的同相輸入端（Non-inverting Input）連接到一個(gè)參考電壓Vref。
2012-11-27
- 車用開關(guān)電源的開關(guān)頻率定多高才不影響EMC？
- 大聯(lián)大世平集團(tuán)的駕駛員監(jiān)控系統(tǒng)（DMS）方案榮獲第六屆“金輯獎(jiǎng)之最佳技術(shù)實(shí)踐應(yīng)用”獎(jiǎng)
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