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Molex為工業(yè)和網(wǎng)絡工程師提供可信來源的QTL電纜組件
Molex公司推出新款Quick-Turn 電纜組件,不僅具有價格競爭力,并且滿足小至中等批量客制化光纖客戶,而且可以滿足客戶快速交貨的定購需求。
2012-12-30
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僅有105μA電源管理器件,是便攜式應用的理想選擇
ON 安森美推出兩款新電源管理 IC CP6924 / NCP6914,兩款器件都提供多個配電字符串,節(jié)省電路板占用空間,并允許在整個系統(tǒng)以較高功率密度配電,協(xié)助解決散熱挑戰(zhàn),成為便攜式應用的理想電源分配方案。
2012-12-29
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SWS推出了超低噪聲高性能的ASIC
SWS針對Tronics的MEMS陀螺GYPRO2300提供ASIC,結合取得了目前市場上最高級別的性能。該陀螺(GYRPO2300)零偏穩(wěn)定性(艾倫方差)為1degree/h,超低噪聲為10degree/h/Sqrt(Hz),熱零偏穩(wěn)定性為+/- 0.05 degree/s。
2012-12-29
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停機模式下消耗電流小于3uA的DC-DC降壓轉換器
Richtek推出RT7297C 3A , 18V , 800KHz同步直流對直流降壓轉換器,提供UVP輸出過低電壓保護及OTP過熱保護 , 在停機模式下所需消耗電流小于3uA , 非常適用于待機模式及電池供電電源管理系統(tǒng)。
2012-12-29
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經(jīng)濟方便的提升消費電子音質的D類音頻開發(fā)
Silicon Labs 為32位嵌入式設計簡化數(shù)字D類音頻開發(fā),外部組件僅需要便宜的電感、電容和鐵氧體磁珠,并且無需專門的功率場效晶體管??梢越?jīng)濟方便的提升消費電子的音質。
2012-12-29
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LTE智能手機差異化設計點:基帶平臺
下一代智能手機的競爭焦點將集中于LTE(4G),而LTE也成為手機芯片大廠逐鹿的新戰(zhàn)場。在高通、ST-Ericsson之后,博通也宣布跨入LTE芯片市場,加上聯(lián)發(fā)科明年的第一代產(chǎn)品亮相,LTE手機平臺大戰(zhàn)將一觸即發(fā)。本文進行LTE基帶平臺的盤點和展望。
2012-12-29
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蘋果獲Micro SIM連接器專利 延續(xù)標準大戰(zhàn)
據(jù)Patentlyapple網(wǎng)站報道,蘋果Micro SIM(微型SIM卡)專利昨日獲得正式批準。此項專利能幫助用戶更方便地拔插SIM卡,在用戶插入不當時也可以保證設備不會受損,同時提供了可靠的機械性能。
2012-12-28
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中科院研制出可提升中國國產(chǎn)IC的競爭力的MOSFET組件
中科院電子研究所在N型和P型 MOS 電容上取得了 EOT≦8.5 、漏電流降低3個數(shù)量級以及金屬閘主動功函數(shù)距硅晶能隙距離≦0.2eV的成果,成功研發(fā)出組件性能進一步提升的22nm MOSFET 組件。
2012-12-28
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在LVDS 接口中加入TVS保護,防止靜電干擾
LVDS 數(shù)據(jù)線連接廣泛應用于高速數(shù)據(jù)信號傳輸,例如,在商用打印機或者LCD 面板 與轉接板的連接。這些應用需要TVS保護是由于使用了敏感的IC 器件,因此在信號線增加的TVS要方便走線。
2012-12-28
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完全符合汽車級ESD與EMI要求的雙向器件如何設計?
汽車級IC中采用新型三維箝位器件來整合魯棒性。通過確定互補“T”形與孤島有效區(qū)域,以控制高電平注入再生反饋期間的電子驅動或空穴驅動電流增益,可以最佳狀態(tài)實現(xiàn)高保持電壓雙向閉鎖箝位。箝位器件已集成至信號調理應用,完全符合汽車級ESD與EMI要求。
2012-12-28
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EPB
EPB是Electrical Park Brake的縮寫,電子駐車制動系統(tǒng)代替了傳統(tǒng)的機械杠桿和輪胎鋼索,能為司機提供更好的幫助,說白了就是取代傳統(tǒng)拉桿手剎的電子手剎按鈕. 比傳統(tǒng)的拉桿手剎更安全,不會因駕駛者的力度而改變制動效果,把傳統(tǒng)的拉桿手剎變成了一個觸手可及的按鈕。此系統(tǒng)也釋放了前排座間的空間,在大多數(shù)汽車中,這部分空間有其他的用途。在電子駐車制動系統(tǒng)中,制動力可調節(jié),從而與縱向傾斜度設置的需求相匹配。汽車啟動或加速時,按下按鈕它會自動釋放鎖住剎車。
2012-12-28
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蘋果正式獲Micro SIM卡連接器專利
近日,蘋果正式獲得了一項有關Micro SIM卡連接器的專利,能幫助用戶更方便地拔插SIM卡,在用戶插入不當時也可以保證設備不會受損,同時提供了可靠的機械性能。
2012-12-27
- 5mW待機功耗突圍戰(zhàn)!AC-DC電源待機功耗逼近物理極限
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