-
STPSC806D/1006D:ST太陽能電源系統(tǒng)轉(zhuǎn)換器應(yīng)用SiC二極管
電源開關(guān)使用的普通硅二極管因為無法立即關(guān)斷而導(dǎo)致電源能效損失1%。意法半導(dǎo)體率先推出可在開關(guān)操作中降低能耗的碳化硅(SiC)二極管。
2009-03-02
-
STY112N65M5:ST太陽能電池功率調(diào)節(jié)器用MOSFET
意法半導(dǎo)體(ST)開發(fā)出了用于配備太陽能電池功率調(diào)節(jié)器的MOSFET。耐壓650V,有最大導(dǎo)通電阻為0.022Ω(漏極電流為93A)的“STY112N65M5”和最大導(dǎo)通電阻0.038Ω(漏極電流為66A)的“STW77N65M5”。 此前,太陽能電池功率調(diào)節(jié)器一直使用IGBT,但由于MOSFET的導(dǎo)通電阻不斷降低,因此MOSFET正逐漸取代IGBT。
2009-02-25
-
方國健擔(dān)任BOSTON-POWER業(yè)務(wù)顧問
快速擴展的新一代鋰離子電池供應(yīng)商Boston-Power公司宣布電子業(yè)知名業(yè)者方國健將擔(dān)任這家屢獲殊榮的便攜式電源創(chuàng)新企業(yè)的業(yè)務(wù)顧問。在新職位上,他將在業(yè)務(wù)發(fā)展、供應(yīng)鏈運營和政府部門關(guān)系方面為Boston-Power提供協(xié)助。
2009-02-23
-
STx42N65M5:ST最新MDmesh V功率MOSFET
意法半導(dǎo)體近日宣布,功率MOSFET芯片性能方面取得巨大突破,最新的MDmesh V技術(shù)達到業(yè)內(nèi)最低的單位芯片面積導(dǎo)通電阻
2009-02-23
-
德州儀器收購電源管理初創(chuàng)公司Ciclon
德州儀器(Texas Instruments Inc. )為了擴大其模擬電源管理生產(chǎn)線,近日以未披露的價格收購了Ciclon半導(dǎo)體器件公司(Ciclon Semiconductor Device Corp.)。
2009-02-16
-
E102Z:VISHAY新型超高精度Z箔電阻
Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) 近日推出新型超高精度 Bulk Metal Z 箔電阻 --- E102Z。該款電阻可在 ?55°C 到 +125°C 的溫度范圍內(nèi)提供達軍品級標準的絕對 TCR 值 (±0.2 ppm/°C),容差為 ±0.005% (50 ppm),在 +70oC 下工作 2000 小時的負載壽命穩(wěn)定性達到 ±0.005% (50 ppm)。E102Z 符合EEE-INST-002規(guī)格和MIL-PRF 55182 軍用標準,設(shè)計用于非常規(guī)環(huán)境條件,漂移極小,適用于軍事、航空和醫(yī)療應(yīng)用。
2009-02-13
-
WSLT2010…18:Vishay推出2010封裝尺寸電流感測電阻
Vishay日前推出新型高溫 1-W 表面貼裝 Power Metal Strip 電阻,該產(chǎn)品是業(yè)界首款可在 –65°C 到 +275°C 溫度范圍內(nèi)工作的 2010 封裝尺寸電流感測電阻 --- WSLT2010…18。WSLT2010…18 電阻具有極低的電阻值范圍(10-m 到 500-m)、較低的誤差(低至 ±0.5%)和低 TCR 值(低至 ±75 ppm/°C)。
2009-02-04
-
J151:CIT RELAY & SWITCH公司20A繼電器系列
CIT RELAY & SWITCH 公司近日推出J151型系列繼電器,其額定電流在輸入電壓為277 Vac或28 Vdc時高達20A,輸入電壓125 Vac時為1/2 HP(功率)。線圈額定電壓范圍從6Vdc到220Vdc.當觸點排列從單刀單擲(SPST)到四刀雙擲(4PDT),線圈額定電壓范圍為6到240 Vac。
2009-01-22
-
美國第二大消費電子產(chǎn)品零售商正式宣布破產(chǎn)
繼去年11月申請破產(chǎn)保護后,上周末,美國第二大消費電子產(chǎn)品零售商“電路城”(CircuitCityStoresInc.)正式宣布破產(chǎn),公司表示由于無法達成出售協(xié)議,截至今年3月底將關(guān)閉全美的567家連鎖店,屆時,將有3萬多員工面臨失業(yè)。
2009-01-21
-
DisplayPort規(guī)格的升級版2009年中期將面世
顯示器相關(guān)標準化團體VESA(Video Electronics Standards Association,視頻電子標準協(xié)會)制定的數(shù)字接口規(guī)格“DisplayPort”的升級版“v1.2”,將于2009年中期確定技術(shù)指標。VESA在面向媒體的發(fā)布會上介紹了升級版的方向。現(xiàn)行規(guī)格為“v1.1a”。
2009-01-19
-
WSLT2010xxx18:Vishay寬廣工作溫度電流感測電阻
Vishay日前推出新型高溫1-W 表面貼裝 Power Metal Strip電阻,該產(chǎn)品是業(yè)界首款可在–65°C 到+275°C 溫度范圍內(nèi)工作的2010 封裝尺寸電流感測電阻 --- WSLT2010…18。WSLT2010…18 電阻具有極低的電阻值范圍(10-m? 到 500-m?)、較低的誤差(低至 ±0.5%)和低 TCR 值(低至 ±75 ppm/°C)。
2009-01-15
-
Stratum III:Focus EDL新型Stratum III 兼容式TCXO
Focus EDL 公司近日推出了一款新型的溫度補償晶體振蕩器 (TXCO),在 -40°C 到 +85°C 范圍內(nèi)的頻率穩(wěn)定度為 ±0.28ppm,總頻率穩(wěn)定度為±4.6ppm,老化期為 20 年。根據(jù)制造商Raltron 電子公司介紹,新器件可提升 TXCO 在通信、測試和測量應(yīng)用領(lǐng)域中的效能。
2009-01-13
- 重磅公告!意法半導(dǎo)體2025年Q2業(yè)績發(fā)布及電話會議時間確定
- 1700V耐壓破局!Wolfspeed MOSFET重塑輔助電源三大矛盾
- 西南科技盛宴啟幕!第十三屆西部電博會7月9日蓉城集結(jié)
- 硬件加速+安全加密:三合一MCU如何簡化電機系統(tǒng)設(shè)計
- 智能家電的“動力心臟”:專用電機控制MCU技術(shù)全景解析
- 溫漂±5ppm的硬核科技:車規(guī)薄膜電阻在衛(wèi)星與6G中的關(guān)鍵作用
- 納秒級時間敏感網(wǎng)絡(luò)!貿(mào)澤攜手ADI 開售納秒級工業(yè)以太網(wǎng)交換機
- 電感傳感破局線控技術(shù)系統(tǒng)!汽車機械架構(gòu)的數(shù)字化革命
- 西南科技盛宴啟幕!第十三屆西部電博會7月9日蓉城集結(jié)
- 帶寬可調(diào)+毫米波集成:緊湊型濾波器技術(shù)全景解析
- 從誤報到精準預(yù)警:多光譜MCU重構(gòu)煙霧探測邊界
- 溫漂±5ppm的硬核科技:車規(guī)薄膜電阻在衛(wèi)星與6G中的關(guān)鍵作用
- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車模塊拋負載的解決方案
- 車用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall