很多初學(xué)者往往希望通過公式計(jì)算來影響和避免尖峰波形,但因?yàn)樵趯?shí)際電路中影響的因素非常廣泛,而且每個電源都有不同的設(shè)計(jì)問題,因此我們這里提供的是一種調(diào)試方向。
下面的示意圖對解決反激開關(guān)管的Vds電壓尖峰問題有幫助。首先來看看MOS應(yīng)力公式:(理想化處理,不影響結(jié)論)Vds=Vin+n*Vo+Vspike=Vin+n*Vo+Ipk*(Lk/C1)0.5
這里兩個主要參數(shù)的意義:Lk是變壓器漏感(實(shí)際還應(yīng)包含PCB寄生電感);C1為RCD鉗位電容(實(shí)際還應(yīng)包含MOS DS兩端的電容,一般遠(yuǎn)小于C1,故忽略)。見下圖:
如果圖中采用的方法還解決不掉,就需要更加細(xì)化,可以采用以下幾個整改方向:
1、layout走線優(yōu)化(功率回路盡量短,使PCB電感盡量小;同時也注意RCD的走線,這里除了會影響尖峰,也會影響傳導(dǎo)的高頻段和輻射);
2、調(diào)整RCD中的D;(需要重新確認(rèn)效率、傳導(dǎo)、輻射)
3、調(diào)整RCD中的R;(需要重新確認(rèn)效率、傳導(dǎo)、輻射)
4、一般Rsense到IC CS pin都有個RC,調(diào)整RC時間常數(shù);(需要重新確認(rèn)過功率點(diǎn))
5、調(diào)整副邊二極管的吸收參數(shù)。(需要重新確認(rèn)效率、傳導(dǎo)、輻射)
圖一中的方法加上以上的5鐘方法,基本上可以解決所有電壓尖峰問題。對于反激的大部分應(yīng)用,用600V的MOS就夠了。當(dāng)然了,有特殊要求,如有較大裕量要求的,可能就要用更高耐壓的MOS了,但一般對效率不利。
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