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智能型手機(jī)電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)
本文介紹兩種電源管理系統(tǒng),它們可以協(xié)助智能型手機(jī)設(shè)計(jì)人員在彼此沖突的目標(biāo)間取得平衡,例如將封裝減至最小,同時(shí)支持更大的功率需求;實(shí)現(xiàn)最佳效率,讓電池提供最長(zhǎng)的使用時(shí)間;以及將電源噪聲和漣波降至可接受水平,以支持新世代的行動(dòng)電話。
2009-07-02
電源管理 電源設(shè)計(jì) TPS62200 電源集成
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開(kāi)關(guān)變壓器第四講 直流脈沖對(duì)鐵芯的磁化
直流脈沖對(duì)鐵芯的磁化過(guò)程類似電容器充、放電，不同之處在于當(dāng)電流消失之后鐵芯中存在剩磁。經(jīng)過(guò)N個(gè)直流脈沖之后，磁通密度和磁場(chǎng)強(qiáng)度以及磁矯頑力三者之間會(huì)形成一個(gè)動(dòng)態(tài)平衡點(diǎn)，使變壓器鐵芯中的最大磁通密度Bm和剩余磁通密度Br能夠達(dá)到相對(duì)穩(wěn)定。具體分析請(qǐng)看文中圖形。
2009-07-02
鐵芯的磁化
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西部電子論壇：聚焦工業(yè)和新興電子技術(shù)市場(chǎng)
西部電子論壇：聚焦工業(yè)和新興電子技術(shù)市場(chǎng)
2009-07-02
西部電子論壇 電子技術(shù) 新興電子 XCEF
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混合動(dòng)力汽車前景看好 IGBT成驅(qū)動(dòng)核心
混合動(dòng)力汽車是大規(guī)模應(yīng)用新能源汽車的切入點(diǎn)。功率半導(dǎo)體器件與模塊在混合動(dòng)力汽車中起著不可替代的作用。除降低成本之外，混合動(dòng)力汽車還需要在電池、電動(dòng)、傳動(dòng)及電氣系統(tǒng)等方面得到改善。
2009-07-01
混合動(dòng)力 IGBT 電池技術(shù) 能量密度
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超級(jí)電容器在電動(dòng)車上的應(yīng)用
超級(jí)電容器電動(dòng)車以其優(yōu)異的性能、低成本以及零排放建立了全新的交通運(yùn)輸電動(dòng)車的設(shè)計(jì)思想。綜述了超級(jí)電容器的基本原理和特點(diǎn)，介紹了超級(jí)電容器在純電動(dòng)車與混合動(dòng)力車上的應(yīng)用及發(fā)展。
2009-06-30
超級(jí)電容器 電動(dòng)車 能量密度 燃料電池
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國(guó)電電力拓展光伏產(chǎn)業(yè)鏈
國(guó)電電力未來(lái)準(zhǔn)備發(fā)展光伏產(chǎn)業(yè)的整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈，包括多晶硅到系統(tǒng)集成、組建，最后到電站的建設(shè)和運(yùn)營(yíng)管理，此次投資多晶硅項(xiàng)目將為進(jìn)入光伏發(fā)電領(lǐng)域奠定基礎(chǔ)。
2009-06-30
國(guó)電電力 光伏發(fā)電 多晶硅
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無(wú)源元器件創(chuàng)新聯(lián)盟—中國(guó)元件發(fā)展的里程碑
6月26日上午，無(wú)源元器件與集成省部產(chǎn)學(xué)研創(chuàng)新聯(lián)盟（以下簡(jiǎn)稱“創(chuàng)新聯(lián)盟”）成立大會(huì)暨無(wú)源元器件學(xué)術(shù)論壇在深圳市五洲賓館隆重舉行。它將聚集聯(lián)盟成員單位的科技資源，加強(qiáng)產(chǎn)學(xué)研的緊密結(jié)合，共同致力于解決無(wú)源器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展中所面臨的重大科學(xué)技術(shù)問(wèn)題，提升行業(yè)內(nèi)企業(yè)的自主創(chuàng)新能力，發(fā)展壯大企業(yè)...
2009-06-29
創(chuàng)新聯(lián)盟 無(wú)源器件聯(lián)盟 清華大學(xué)深圳研究生院
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iPhone 3G S的材料及制造成本為178.96美元
16Gb iPhone 3G S手機(jī)在材料成本和功能上與上一款幾乎完全相同，人們可能認(rèn)為該產(chǎn)品所用的零部件也不會(huì)有多大變化。但經(jīng)過(guò)拆解分析發(fā)現(xiàn)，其零部件及供應(yīng)商有不少有趣的變化
2009-06-29
iPhone 3G S手機(jī) PMB8878 iPhone成本
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SiZ700DT: Vishay單封裝雙不對(duì)稱功率MOSFET器件
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出在一個(gè)封裝內(nèi)集成一對(duì)不對(duì)稱功率MOSFET系列的首款產(chǎn)品 --- SiZ700DT。該款器件的推出將有助于減少DC-DC轉(zhuǎn)換器中高邊和低邊功率MOSFET所占的空間
2009-06-29
SiZ700DT MOSFET PowerPAIR TrenchFET
- 車輛區(qū)域控制架構(gòu)關(guān)鍵技術(shù)——趨勢(shì)篇
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