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逆變器輸出特性與非線性負(fù)載
六期連載,解讀UPS標(biāo)準(zhǔn),研究線路阻抗對(duì)整流電容濾波這類非線性負(fù)載的影響,同時(shí)討論針對(duì)整流電容濾波這類非線性負(fù)載逆變器輸出特性的設(shè)計(jì)對(duì)策和測試方法。
2022-10-08
逆變器 輸出特性
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RX24T電機(jī)驅(qū)動(dòng)配置:3電阻采樣(上)
電機(jī)(英文:Electric machinery,俗稱“馬達(dá)”)是指依據(jù)電磁感應(yīng)定律實(shí)現(xiàn)電能轉(zhuǎn)換或傳遞的一種電磁裝置。它主要是利用通電線圈(也就是定子繞組)產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)磁場并作用于轉(zhuǎn)子(如鼠籠式閉合鋁框)形成磁電動(dòng)力旋轉(zhuǎn)扭矩。
2022-10-08
RX24T 電機(jī)驅(qū)動(dòng) 3電阻采樣
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安森美在捷克共和國擴(kuò)建碳化硅工廠
2022年9月22日—領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi,美國納斯達(dá)克股票代號(hào):ON),慶祝其在捷克共和國Roznov擴(kuò)建的碳化硅 (以下簡稱“SiC”) 工廠的落成。以工業(yè)和貿(mào)易部科長Zbyněk Pokorny、茲林州州長Radim Holi?和市長Ji?í Pavlica以及當(dāng)?shù)仄渌獑T為首的多位嘉賓出席了剪彩儀式,表...
2022-10-01
安森美 擴(kuò)建 碳化硅
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貿(mào)澤推出各種Microchip創(chuàng)新MCU解決方案,為嵌入式系統(tǒng)工程師提供更多支持
2022年9月21日 – 專注于引入新品并提供海量庫存?的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 持續(xù)為嵌入式系統(tǒng)工程師提供一系列支持資源。作為Microchip Technology解決方案的全球授權(quán)分銷商,貿(mào)澤備有其新一代MCU、混合信號(hào)、模擬和閃存IP解決方案,以降低各類應(yīng)用的產(chǎn)品開發(fā)風(fēng)險(xiǎn)并加快上市...
2022-10-01
貿(mào)澤 Microchip MCU
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兩級(jí)運(yùn)算放大器的設(shè)計(jì)與仿真
運(yùn)算放大器的設(shè)計(jì)可以分為兩個(gè)較為獨(dú)立的步驟,第一步是選擇或搭建運(yùn)放的基本結(jié)構(gòu),繪出電路結(jié)構(gòu)草圖,第二步就要選擇直流電流,手工設(shè)計(jì)管子尺寸,以及設(shè)計(jì)補(bǔ)償電路等等,然后在手工計(jì)算的基礎(chǔ)上,運(yùn)用模擬電路仿真軟件對(duì)設(shè)計(jì)的兩級(jí)運(yùn)放進(jìn)行仿真,并對(duì)電路進(jìn)行后續(xù)的調(diào)試和修改。
2022-09-30
運(yùn)算放大器
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如何應(yīng)對(duì)不間斷電源(UPS)設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)
電池供電的不間斷電源(UPS)在保護(hù)數(shù)據(jù)中心、醫(yī)療設(shè)施、工廠、電信樞紐甚至家庭中的敏感設(shè)備免受短期電網(wǎng)尖峰和停電影響方面非常重要。在停電時(shí)間較長的情況下,它們能夠提供必要的短期電力,以實(shí)現(xiàn)有準(zhǔn)備的斷電,防止數(shù)據(jù)丟失。
2022-09-29
不間斷電源 電路設(shè)計(jì)
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運(yùn)算放大器偏置電阻的計(jì)算
由于各級(jí)電路的電路形式以及增益不同,故等效的RC時(shí)間常數(shù)也不同。輸出級(jí)為電壓跟隨器形式。其增益最低,但帶寬最寬(即RC低通截止頻率最高)。即RC時(shí)間常數(shù)最小。
2022-09-28
運(yùn)算放大器 偏置電阻
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高性能降壓穩(wěn)壓器解決了電流環(huán)路中發(fā)送器電路的功耗問題
本文介紹如何使用 LT8618(一款100 mA的高速同步單片降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器)代替LDO穩(wěn)壓器,為電流環(huán)路發(fā)送器設(shè)計(jì)緊湊型電源。我們對(duì)其性能進(jìn)行了評(píng)估,并選擇符合嚴(yán)格的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的器件。此外還提供了效率、啟動(dòng)和紋波測試數(shù)據(jù)。
2022-09-28
降壓穩(wěn)壓器 發(fā)送器 電路功耗
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最新的1200V CoolSiC MOSFET中的.XT技術(shù)如何提高器件性能和壽命
由于碳化硅(SiC)器件的低導(dǎo)通損耗和低動(dòng)態(tài)損耗,英飛凌CoolSiC? MOSFET越來越多地被用于光伏、快速電動(dòng)車充電基礎(chǔ)設(shè)施、儲(chǔ)能系統(tǒng)和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等工業(yè)應(yīng)用。但與此同時(shí),工程師也面臨著獨(dú)特的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。實(shí)現(xiàn)更小的外形尺寸,同時(shí)保持功率變換系統(tǒng)的散熱性能,是相互矛盾的挑戰(zhàn),但英飛凌創(chuàng)新的.XT技術(shù)...
2022-09-27
CoolSiC MOSFET .XT技術(shù)
- 挑戰(zhàn)極限溫度:高溫IC設(shè)計(jì)的環(huán)境溫度與結(jié)溫攻防戰(zhàn)
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